図1　3次元NANDフラッシュセルのコンタクトを�Dり出すための高アスペクト比を実現するCentura Avatar Etch
出�Z：Applied Materials

アプライドマテリアルズ社は、2011�Qの半導�����]����売�屮薀鵐�ングにおいて久しぶりに2位に甘んじた。しかし、「�u�Tな本流に集中することで�T果はついてくる」、といたって冷��にビジネスを分析する。メガトレンドとしてのモビリティ（スマートフォンやタブレット、クルマ��の動く応������）が半導���x場をけん引するという渡辺��の認識は、クアルコムが40nm/45nmはスマートフォンやタブレットのようなモバイルデバイスのブラウジング性�Δ覆匹�不�科�だから28nm、さらに20nmへと微細化を�{求するという認識とも�k致する。

アプライドの�u�Tなプラズマ����に関して、2機�|新����として今�v発表した。�kつは細い穴を�Eっていくエッチング����Centura Avatar Etchである。NANDフラッシュは微細化していくと蓄積電荷が少なくなるため、微細化だけに頼るわけにはいかない。そこで、チップ同士を3次元に積層するのではなく、1チップ�屬�NANDセルを3次元的に積層することで微細化せずに高集積化しようというデバイス構�]を東��、そしてサムスンが発表している。構�]的には、�e積みのNANDセルから電極を�Dり出すため、階段�Xにコンタクトを設ける��要がある（図1）。これに�官�するためのプロセス����がAvatarである。

Avatarは、アスペクト比が最�j80:1の穴を�Eることができる。この構�]から電極を�Dり出すためには、チャンネル層として�eに真っすぐ穴あけしなければならない。そして、階段構�]に1段ずつコンタクトホールを�k度に�Q階段までエッチングする。それも1�vのエッチングで階段の�屬�ら下まで同時にエッチングする場合には、階段表�C層でエッチングを�Vめなければならない。この階段表�C層には極めて�嗄�なエッチストッパーの役割を�eたせなければならない。階段の段数＝層の数は最�j64層まで�官�できるという。つまり1段�`のエッチングの下地は64段�`のエッチングにも耐えなければならない。それだけ高い���I比でエッチングする��要がある。

もう�kつの����は、細い穴にCuのシードメタルをスパッタで��けるためのEndura Amber PVDである。微細化により径が小さく深い溝を�mめる�\術が求められる。Cuイオンをスパッタリングで20nm径の穴に�mめ込んでいく場合には、穴が細すぎるため、��来のコンフォーマルな�}法は使えない。穴の�f�CのCu膜よりも表�CのCu膜の�気�厚くなりやすいため、スパッタ後に�X処理すると空��（ボイド）が出来やすいという。それを防ぐために、シード層のCuメタルは穴の�fで分厚く、表�Cと�篳匹杷�いという�X��を作り出す��要がある。スパッタした後に�X処理すると、表�Cと�篳匹�Cuが�f�Cに流れ込むような感じになり�篳匹�Cuが薄くなる。このような�X��を毛細管現��の仕組みで実現するのだとしている。この�X��でCuをメッキするとボイドを�擇犬気擦困�Cuを�mめ込むことができる。

図2　細長く深い穴にCuメタルシード層を、ボイドを�擇犬気擦困��\積できるEndura Amber PVD����
出�Z：Applied Materials

アプライドは���]・検�h����メーカーとして長い間、�����x場のトップに�\臨していたが、2011�QにASMLの後塵を拝した。しかし、「今は投�@の�j�気�リソグラフィに向かっているだけ」と渡辺��は�Tに介さない。むしろ、アプライドはプラズマプロセスのリーダーであり、この分野への参入バリヤは高いから450mmへの�官�にしても��要なことは���△靴討い襦△肇灰▲灰鵐團織鵐垢暴乎罎靴討い襦�