図1　EUV露光の��念図　出�Z：ギガフォトン/EUVA

EUVリソグラフィの最�jの問��は、光源の出��が小さいことだった。出��が小さければ、レジストを感光させる時間がかかり、ウェーハを露光する時間もかかってしまうため、スループットが�屬�らない。このためArFレーザーリソグラフィを2�v露光あるいは1�v露光＋セルフアラインメント加工によるダブルパターニングが優勢だった。�}間をかけても、ArFリソの�気�スループット、すなわち�攵掚の点で優れていた。

今�v、EUV光源の出��が100Wに�Zい92Wが�uられたことは、EUVの�攵掚向�屬量Oが開けたことになる。ギガフォトンは、「（リソグラフィメーカーの）ASMLの報告では、70Wで52��/時とあったので、92Wでは約60��/時、��来の43Wだと約40��/時に相当する」とみている。

EUVの13.5nmというX線光は次のようにして発�擇垢襦�Snを高�a加�Xして�]�r（ドロプレット）として�譴蕕靴覆�ら、CO2レーザーを照�oしプラズマを発�擇気�、Snイオン�X��になったSnがEUV光を発する(参考�@料1)。ドロプレットの直径が小さいほどプラズマ�a度が高くなり、イオン化効率が高まるという。

92Wという出��が�uられたのは、まずSnのドロプレットの直径を20µmと、��来の30µmよりも小さくした。ここにレーザーを照�oするのに2段階の�桔，鮖箸�。この�桔，�2008�Qに開発している。これは、出��の低いYAGレーザーをまずドロプレットに照�oして、細かいミスト�Xに砕き、さらに�j出��のCO2レーザーで加�Xし�^発させ、EUV光を発�擇垢襦２辰┐�、EUV光がウェーハに到達するまでの��中の反�oミラーでの劣化を防いだ。����的には、イオン化したSnを��電導磁石の磁��線で捕捉し、排出することによってミラーへのSnの����を抑�Uし、それでもミラーに����したSnをH2ガスによりエッチングで除去した。

ギガフォトンは量����EUVスキャナーの実現に向け、2014�Q��までに150Wの出��、最終的には250Wの出��を�`指すとしている。開発には新エネルギー・�噞�\術総合開発機構（NEDO）の�мqを�pけている。

参考�@料
1. 溝口��「半導��露光��EUV光源開発の進�tと最新動向」