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![新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進](/assets_c/900px/150701-combinatorial.png "新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進")
コンビナトリアルと�}ばれる�}法を使って新材料を開発するビジネスが��発になってきた。�H元�U材料の薄膜を形成するのに組成を連��的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007�QにSEMICON Westで�t��した��Intermolecular社の材料組成やプロセス条�Pを変える�擬阿箸楼磴ぁ�薄膜の組成を連��的に変えられる。真空����やスパッタリング����を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→��きを読む]
日本ナショナルインスツルメンツ（NI）が、PXIベースのワイヤレス機�_のテスターWTS（Wireless Test System）を発表した(図1)。この�@���R定�_を使えば、スマートフォンやIoT、無線チップなどの無線デバイスなどの性�ΑΦ��Δ離謄好箸��~単になる。 [→��きを読む]
![日立��作所、加�]電圧1.2MVの��高圧透�垠薪纏匕家���を�o開](/assets_c/900px/150414-hitachi.png "日立��作所、加�]電圧1.2MVの��高圧透�垠薪纏匕家���を�o開")
日立��作所は、分解�Δ�43pm(ピコメートル)と極めて高い透�垠薪纏匕家���（TEM）を開発、このほどメディアに�o開した(図1)。このTEMの加�]電圧は1.2MV(120万ボルト)と��常に高圧で、そのため分解�Δ��屬�り、��来より厚い試料も�荵，任�るようになった。 [→��きを読む]
「1/fノイズを�Rりたい」と思うエンジニアに福音。Agilent Technologiesから�R定�_�靆腓�独立したKeysight Technologiesの日本法人、キーサイト・テクノロジーは、低周�S雑音が極めて低い1/f�R定�_を開発した。1/fノイズの�莟Rできる周�S数が20Hz以下と低く、ホワイトノイズが��めるノイズフロアも��来の-177dB2/Hzから-183dB2/Hzと下がった。 [→��きを読む]
アドバンテストが、セミコンジャパンでテスター新����を発表した。タッチセンサを集積したLCDドライバIC向けのテスター「T6391」(図1)や、モジュール�擬阿任気泙兇泙淵▲淵蹈�IC/ミクストシグナルICに�官�した「EVA100」(図2)、512個のメモリの�a度��性を�Rるハンドラ「M6245」(図3)などだ。 [→��きを読む]
TektronixがポータブルタイプのリアルタイムスペクトラムアナライザRSA306(図1)を41万3000��という低価格で発売した。これは、B5サイズの本の�jきさで590gしかないスペアナで、USB端子を�eつ。USB端子はPCと接��、データ転送と電源を�W��する。 [→��きを読む]
����1��に数��のボードモジュールを差し込む�擬阿如▲妊�スプレイ表��やデータ処理にパソコンを使うという�R定�_を開発してきたNational Instrumentsは、半導��テスター分野にも本格的に乗り出してきた。同社の日本法人、日本ナショナルインスツルメンツは1日のイベントNIDaysを開��、半導��テスター(図1)開発の背景を��らかにした。 [→��きを読む]
![新��Keysight、65Gサンプル/秒と��高�]のAWGを発売](/assets_c/900px/140911-keysight.png "新��Keysight、65Gサンプル/秒と��高�]のAWGを発売")
Keysight Technologiesは、65Gサンプル/秒と��常に高�]のサンプリングレートを�eち、20GHzという極めて広い帯域で最�j4チャンネルまで拡張できる任�T�S形発�昊_（AWG）を開発、����化した(図1)。Keysightは、もともとHewlett-Packardを母��として分かれたAgilent Technologyから、さらに���R�_�靆腓箸靴�2014�Q8月1日に分�`した企業。 [→��きを読む]
National Instrumentsは、半導��チップの高性�Σ宗�高機�Σ修帽腓錣擦謄侫譽�シブルで再構成可�Δ僻焼���テストシステムSTS（Semiconductor Test System）を開発した（図1）。RFやミクストシグナル半導��のテスト向け。オープンなモジュラー�擬阿�PXIハードウエアプラットフォームをベースにしているため、実�x��から量����にPXIを�\設するだけで�々圓任�る。最�jの��長は開発から量��までの期間�]縮だ。 [→��きを読む]
![AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表](/assets_c/900px/140715-amat.png "AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表")
Applied Materialsは、ロジック向けのFinFETプロセス、メモリ向けの3D NANDフラッシュプロセスという�jきな二つの3次元構�](図1)を実現するためのプロセス����： CMP（化学的機械的研磨）とCVD（化学的気相成長）の新����を発表した。 [→��きを読む]
