テクトロ、最�j26.5GHzで500万����のリアルタイムスペアナを発売
�R定可�Δ兵��S数帯域が15GHzおよび26.5GHzと��常に高いにもかかわらず、基本仕様の価格がそれぞれ516万��、576万��と�}頃なリアルタイムスペクトラムアナライザRSA5115AおよびRSA5126Aをテクトロニクス（Tektronix）社がリリースした。無線通信��の機�_や半導��チップのノイズ解析・�敢�に�嗄�な�}段となる。 [→��きを読む]
�\術分析（���]・検�h����）
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アドバンテスト、プラットフォーム戦�Sでモジュール����など��々開発
アドバンテストは、T2000半導��テスタープラットフォームをベースにしたモジュールをセミコンジャパン2012で��々発表した。CMOSのイメージセンサを64個並�`にテストできるモジュール、8Gbpsのテスト�]度でSoCの�Q�|インターフェースをテストするモジュール、フラッシュ内�泥泪ぅ灰鵑筌好沺璽肇�ードICなど最�j256個同時にテストできるテスターなどである。 [→��きを読む]
テクトロニクス、500MS/sながら4万����という低価格のオシロを発売
テクトロニクス（Tektronix）が4万����と極めて低価格なデジタルオシロスコープTBS1000シリーズを発売した。学�擇篏蘓看vが使う���R�_であるが、開発現場でも�S形を確認したいだけという�}軽な����にも向く。 [→��きを読む]
�j学発ベンチャーのイニシアム、分子間��や微量な��量の小型�R定�_を開発
アルバックの100%子会社であるイニシアムは、たんぱく��や微��子などの��量や分子間相互作��などをリアルタイムに�R定できる小型の����AFFINIX Q8を発売した。ノートパソコンとイーサーネットケーブルでつなぎ、�R定�T果を表��する。 [→��きを読む]
デュポン、10μm��の薄いポリイミド絶縁材料でLEDの放�X性を改��
最�j90度まで折れ曲がった放�X��にも�Dり��けられる電気的絶縁材料として、デュポンがポリイミド材料CooLamシリーズを開発した。LEDの放�X基��向けに使う。曲げられる柔らかい材料なので丸い電球形�Xの基��に��数のLEDを張り��けることができる。この�T果、白�X�i並みに広がりを�eった光をLED電球で�uることができる(図1)。 [→��きを読む]
�}のひらサイズのIRスペクトロスコピー、MEMS�\術のおかげ
IR（�軍粟�）スペクトロスコピー(図1)が�}のひらサイズになった。これは、英国のベンチャー、パイレオス（Pyreos）社が開発したMEMS�\術によるIRセンサを使い、�O社で開発したものだ。��来、IRスペクトロスコピー（分光分析�_）はデスクトップのサイズしかなく、�_量は数��kgもあり、しかも�a度��償が��要であり、100万��以�屬塙皺舛世辰�。 [→��きを読む]
拡張性を常に�T識、テクノロジーを未来へ発�tさせるNIの成長戦�S
半導��企業やその関連企業はすべてテクノロジー企業である。テクノロジー企業を成長させるためには����や�\術に発�t性あるいは拡張性を�eたせることが��要だろう。拡張性があれば�J�Tの�v路やシステムは、再�W��し低コストで次の世代のテクノロジーにつなげることができる。半導��メーカーではないが、�R定�_メーカーから出発したNational Instruments社は、拡張性あるテクノロジーを開発し��け成長している(図1)。 [→��きを読む]
NIがワイヤレス分野に本格参入、ハンドヘルドの802.11ac�R定�_を開発
ナショナルインスツルメンツ（NI）社は、ワイヤレス通信で�LかせないRF信�､鮖箸辰��v路や半導��チップをテストするための�~便なツールを発表した。これは次世代の高�]Wi-Fi��格である802.11acやLTEに�官�する信�ﾈ��昊_と信�ｲ鮴��_をPXIモジュール内に搭載した、��小型のVST（ベクトル信�･肇薀鵐掘璽弌砲任△�。 [→��きを読む]
アプライド、メガトレンドに�pった3D/20nm以下�官����]����を��実に提供
![アプライド、メガトレンドに�pった3D/20nm以下�官����]����を��実に提供](/assets_c/900px/120801amat.png "アプライド、メガトレンドに�pった3D/20nm以下�官����]����を��実に提供")
アプライドマテリアルズ（Applied Materials）社は、3D IDや20nm以下の����をいくつかSEMICON Westで発表したが、半導���x場のメガトレンドを見据えたビジネス戦�Sを改めて確認した。同社日本法人代表�D締役社長の渡辺徹��は、モビリティが�x場をけん引しているため、それに合わせた����開発を��ける�e勢を崩さない、と��言する。 [→��きを読む]
GaNデバイス���]��8インチウェーハ�官�のMOCVD����を�j陽日�┐�発売へ
![GaNデバイス���]��8インチウェーハ�官�のMOCVD����を�j陽日�┐�発売へ](/assets_c/900px/111222-taiyonissan.png "GaNデバイス���]��8インチウェーハ�官�のMOCVD����を�j陽日�┐�発売へ")
LEDのチップ�C積�\�jや個数�\加に�官�したり、あるいはチップ�C積の�jきなパワー半導��にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入�}できるようになる。�j陽日�┐�8インチSiウェーハ�屬�GaN膜を形成できるMOCVD����、モデルUR26Kを開発、セミコンジャパンで�t��した。 [→��きを読む]
