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Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバ�v路や保護�v路を集積した����を発売した(参考�@料1)。電気�O動�Z（EV）のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば��来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすような�j電������ではない。 [→��きを読む]
Micron Technologyが176層のNANDフラッシュメモリの出荷を開始した（参考�@料1）。これまでもキオクシアの112層や128層の開発はあった。����では96層のNANDが入�}可�Δ世�、��来の最�j容量より40%以�屬盻jきな容量のストレージデバイスとなる。しかも読出し・書き込みのスピード（レイテンシ）は35%以�屬��]いという。データセンタ向けSSDを狙う。 [→��きを読む]
アナログ/ミクストシグナルICのMaxim Integratedは、Industry 4.0に適したセンサからの入��信�､鮟萢�するICによって、10cm角ボードに小型化したPLCカードを開発、カードに搭載したI/O Link��IC「MAX22000」と「MAX22515」をリリースした（図1）。����の予��保��や�攵掚向�屬魏未燭�Industry 4.0では、I/O-Linkはセンサ情報をCPUに伝える役割が�jきい。 [→��きを読む]
SiのIGBTよりも価格が1桁高く、�x場調�h会社の予�Rは毎�Q後送りになるほど外れてきたSiCパワーMOSFETだが、蓄電池との組み合わせでソーラーパネルのDC-DC/DC-ACコンバータなどでじわじわと広がり始めた（図1）。SiCのメリットは高耐圧、高周�Sであり、����の小型化のメリットが最も�jきい。なぜソーラーのような�jきな設�△任眈�型化が��要なのか。 [→��きを読む]
Nokiaが東�B広�_のフィンランド�j使館でConnected Future 2020を開��、日本におけるローカル5Gへの期待とエコシステムの�_要性を述べた。ローカル5Gは、IoTと組み合わせて工場や港湾、倉�Uなど広い場所で機械や機�_をつなぎ、�攵掚を�屬欧茲Δ箸いΧ\術である。 [→��きを読む]
���R�_メーカーのKeysight Technologyは、�����颪箸燐{�`を�Rるクルマ��ドップラーレーダーの�R定�_を拡充した。これからの79GHzのドップラーレーダーをテストするために3�瓦量祇�リモートヘッドを設けている。リモートヘッドは、�{�`をフレキシブルに変えられるヘッド1個と�{�`を�w定したヘッド2個からなり、横からの飛び出しを�h価できる。 [→��きを読む]
ArmのメモリIP�靆腓�独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した（参考�@料1）。Ce（Correlated Electron）RAMと�}ぶ、�啻蟯愿纏��Uの材料を使った不ｧ発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。�啻蟯愿纏��Uとは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→��きを読む]
Infineon Technologiesが60GHzのミリ�Sレーダーを使って、タッチレス応��を�t開し始めた。60GHz帯は日本でも認められたミリ�S周�S数帯。帯域が7GHzと広く�Dれるため、�����颪箸燐{�`を分解��2cm��度で�R定できる。タッチレスで人間の心臓や肺の動きを検出できるため、リモートで医師が患�vを����できる。 [→��きを読む]
�Z載��CMOSイメージセンサでトップを走るON Semiconductorが、ダイナミックレンジ120dB、画素数2.3MピクセルでLEDフリッカ低��機�Δ鮴澆韻�CMOSイメージセンサ(図1)を量�凮始したかと思うと、スバルの新型「レヴォーグ」に搭載されたことを��らかにした。このCMOSセンサが開発されたのは5�Q�i。�Z載に乗る時期はむしろ早いくらいだ。 [→��きを読む]
Texas Instruments (TI) はIC����とリンクした電子�v路シミュレータ「PSpice for TI」をリリース（図1）、ダウンロード可�Δ砲覆辰拭Ｅ纏��v路設���vは、無料でダウンロードできるこのツールを使って、電子�v路を予めコンピュータシミュレーションできるため、����の�x場投入を�]縮できる。 [→��きを読む]
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