ルネサスの28nmフラッシュマイコン、O動運転向けU御へ

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガスU/低\Jに官し、コネクテッドカー向けのセキュリティとj容量フラッシュメモリ容量、そして機WのASIL-Dに拠しO動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設したフラッシュマイコン。 [→きを読む]
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ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガスU/低\Jに官し、コネクテッドカー向けのセキュリティとj容量フラッシュメモリ容量、そして機WのASIL-Dに拠しO動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設したフラッシュマイコン。 [→きを読む]
磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今Qからk気に加]しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ靆腓函▲侫.Ε鵐疋蠅GlobalFoundriesは2018Qに組み込みMRAM(eMRAM)のリスクプロダクションを開始すると東j学主のCIES(Center for Innovative Integrated Electronic Systems)Technology Forumで発表した。 [→きを読む]
家庭内のWi-Fi機_が数会もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークにを入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON\術も開発した。 [→きを読む]
クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICのx場としてもカーエレクトロニクスx場はjきい。ヘッドランプ/テールランプLEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも躍する。パワー関係もいくつかRってみる。 [→きを読む]
Infineon Technologiesがシンガポールにある同社の後工工場のIndustry 4.0すなわちスマート工場化を進めていることをらかにした。同社シンガポール工場長でバイスプレジデントをめるLaurent Filipozziは、スマート化とデジタル化を進めることによって攵奟率を屬欧襪世韻任呂覆、x場への出荷期間が]くなり、管理もしやすくなったとしている。 [→きを読む]
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮^ゲート型のメモリセル構]をeつ。東やSamsungがMNOS構]を採したのとは款氾。SSDとしての工夫もHい。 [→きを読む]
TSV(Through Silicon Via)を使い、シリコンチップを積み_ねて配線電極を楉未気擦3次元ICは、TSV工のコスト高が問でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み_ねた3次元ICであるHBM(High Bandwidth Memory)は、ハイエンドのHPC(High Performance Computing)分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルにTりてきた。 [→きを読む]
フランスの半導IPベンチャーのeVaderis社は、組み込みMRAMのIPを開発、それを集積したマイクロコントローラ(マイコン)をスロベニアのBeyond Semiconductorが設、このほどテープアウトを終えた。IoTやウェアラブルのような低消J電を狙う。 [→きを読む]
Intelは、バンド幅が512Gバイト/秒と極めて広いHBM2(High Bandwidth Memory)を搭載したFPGA「Stratix 10 MX」の販売を開始した。HBMはTSV(Through Silicon Via)を使って、DRAMメモリアレイチップをeに_ねた構]をeつ高密度メモリ。j量のデータをk気に流すに適している。 [→きを読む]
盜颪牧れること3Q。日本でもAIスピーカーが登場してきた。Googleが「Google Home」、 Amazonは「Amazon Echo」、LINEは「Clova WAVE」などが日本語を理解する音m認識ソフトウエアを使ったAIスピーカーという@称で登場してきた。音mもビームフォーミングで指向性を調Dすることで認識率を高めることができる。これを可Δ砲垢襯船奪廚魃僖侫.屮譽垢XMOSが投入している。 [→きを読む]
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