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ルネサスの28nmフラッシュマイコン、O動運転向けU御へ

ルネサスの28nmフラッシュマイコン、O動運転向けU御へ

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガスU/低\Jに官し、コネクテッドカー向けのセキュリティとj容量フラッシュメモリ容量、そして機WのASIL-Dに拠しO動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設したフラッシュマイコン。 [→きを読む]

組み込みMRAMを今Qにファウンドリ2社が攵凮始

組み込みMRAMを今Qにファウンドリ2社が攵凮始

磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今Qからk気に加]しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ靆腓函▲侫.Ε鵐疋蠅GlobalFoundriesは2018Qに組み込みMRAM(eMRAM)のリスクプロダクションを開始すると東j学主のCIES(Center for Innovative Integrated Electronic Systems)Technology Forumで発表した。 [→きを読む]

Qualcomm、家庭内機_をセキュアなWi-Fi Meshで何でもつなぐ戦S

Qualcomm、家庭内機_をセキュアなWi-Fi Meshで何でもつなぐ戦S

家庭内のWi-Fi機_が数会もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークにを入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON\術も開発した。 [→きを読む]

インテリジェントカーが故をらす−カーエレtから(後)

インテリジェントカーが故をらす−カーエレtから(後)

クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICのx場としてもカーエレクトロニクスx場はjきい。ヘッドランプ/テールランプLEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも躍する。パワー関係もいくつかRってみる。 [→きを読む]

半導後工でのIndustry 4.0をシンガポールInfineonがらかに

半導後工でのIndustry 4.0をシンガポールInfineonがらかに

Infineon Technologiesがシンガポールにある同社の後工工場のIndustry 4.0すなわちスマート工場化を進めていることをらかにした。同社シンガポール工場長でバイスプレジデントをめるLaurent Filipozziは、スマート化とデジタル化を進めることによって攵奟率を屬欧襪世韻任呂覆、x場への出荷期間が]くなり、管理もしやすくなったとしている。 [→きを読む]

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採

Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮^ゲート型のメモリセル構]をeつ。東やSamsungがMNOS構]を採したのとは款氾。SSDとしての工夫もHい。 [→きを読む]

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

TSV(Through Silicon Via)を使い、シリコンチップを積み_ねて配線電極を楉未気擦3次元ICは、TSV工のコスト高が問でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み_ねた3次元ICであるHBM(High Bandwidth Memory)は、ハイエンドのHPC(High Performance Computing)分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルにTりてきた。 [→きを読む]

AIスピーカーの感度を屬欧XMOSのマルチスレッドプロセッサ

AIスピーカーの感度を屬欧XMOSのマルチスレッドプロセッサ

盜颪牧れること3Q。日本でもAIスピーカーが登場してきた。Googleが「Google Home」、 Amazonは「Amazon Echo」、LINEは「Clova WAVE」などが日本語を理解する音m認識ソフトウエアを使ったAIスピーカーという@称で登場してきた。音mもビームフォーミングで指向性を調Dすることで認識率を高めることができる。これを可Δ砲垢襯船奪廚魃僖侫.屮譽垢XMOSが投入している。 [→きを読む]

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