TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを����化
GaNやSiCのような高�]のパワー半導��は性�Δ陵グ明�は��確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基���屬濃箸い砲�さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを�曚襪海箸鬚垢任謀舛┐燭�（参考�@料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→��きを読む]
�\術分析
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新��Imagination Technologies、RISC-V CPUとGPUのIPで�M負
英国のIP（Intellectual Property）ベンダーの�kつ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主������POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応��もかつての主要1社から�H岐に渡る。 [→��きを読む]
Analog Devices、GaNパワーFETを�~動するシリコンICでGaN�v路設��を容易に
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023�Qに新����として発売していたが、このほどその背景について��らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子�‘暗戮�2000cm2/Vsと高く高�]動作に適している。�k�機�高�]すぎて使いにくい点もある。 [→��きを読む]
Arm、モバイルにも�~単な�收�AIを搭載できるサブシステムIPを開発
IntelやAMD、Qualcommまでがパソコン向けのAI機�ζ��鼎�SoCプロセッサを発表し、パソコンにAI機�Δ�これから入っていく時代になるが、スマートフォンのようなモバイルにもAI機�Δ�入っていく時代になりそうだ。モバイル半導��IPの覇�vArmがAI機�Δ鯏觝椶任�る新IP「Arm Compute Subsystems（CSS）for Client」を発表した。電��効率が高いことが最�jの��長となる。 [→��きを読む]
SiTime、4つのSoCに同時にクロック信�､鯀�れるICを����化
MEMSを�W��する振動子と発振�v路、クロック発�昊_を1パッケージに実�△靴織�ロックICは、小型、高性�Α�低ノイズだけではなく、クロック周りのプリント基��設��も�~易にしてくれる。MEMSベースのクロックICを�}�XけてきたSiTimeが4つのSoCを同時にクロックできる4出��のクロックIC「Chorus」を����化した。 [→��きを読む]
ラピダス、Esperantoとの提携で、TSMCとの違いが��確に
ラピダスがRISC-VのスタートアップEsperanto Technologiesと交わした提携は、実はここで初めてTSMCとの違いが��確に出ていた。Esperantoの会見では�W才CPUデザイナーとも言われるDave Ditzel CTO（図1）も同席していたのだ。彼はかつてソフトウエアによる工夫でX86互換プロセッサを設��し、今はRISC-Vの設��を率いる。彼がTSMCとの違いを��確にした。 [→��きを読む]
Micron、232層でQLC（4ビット/セル）のNANDフラッシュSSDを量�凮始
Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を�eつ、クライエントSSD（半導��ディスク）「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC（Quad Level Cell）を�eつNANDフラッシュ（図1）を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量��を開始した。 [→��きを読む]
高NA EUVリソグラフィ������1�､�Intelオレゴン工場に導入、組み立てた
Intelは1.8nmプロセスノードに相当するIntel 18Aに向け、オランダASML社��の高NAのEUVリソグラフィ����「TWINSCAN EXE:5000」（図1）をプロセス開発拠点のあるオレゴン工場に導入した。まずIntel 18Aプロセスノードから導入し、Intel 14Aノードへと拡張していく予定だ。Intelのファウンドリ��業�陲�導入しTSMCに�{いつき�{い越す��画を進める。 [→��きを読む]
Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング�\術で性�Α�信頼性を向��
Infineon Technologiesは、��2世代のトレンチ構�]のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について��らかにした。このG2（��2世代）では、オン�B�^を1桁ミリオームに下げると共に、�X�B�^を12%��らし電流容量を�屬欧拭�新����は650Vと1200Vの2�|類で、パッケージもピン�U入型と表�C実��型を���Tする。G2でパワーMOSFETのチップ設��から見直している。 [→��きを読む]
STMicroelectronics、AI･IoT応��を�T識、マイコンのポートフォリオを拡�j
STMicroelectronicsがマイコンの����ポートフォリオを拡�jしてきた。小さな�陵枦澱咾覇虻遒垢襯┘優襯�ーハーベスティング����のマイコンから、さらにはハイエンドマイコンとしてコスト効率の高いCortex-A35とCortex-M33を集積するSoC+MCUまでSTM32シリーズとして拡�jした。今後18nmノードのFD-SOIプロセスPCMメモリ集積マイコンも24�Q後半サンプル出荷する予定だ。 [→��きを読む]
