デンソーのSiC半導��　左奥がMOSFET、真中SBD、左下3インチウェーハ
���}�i4インチウェーハ、��奥パワーモジュール

SiCは高�aにしても溶けずに気��になるという��華の性��がある。このため、シリコンで使われてきたチョクラルスキー引き�屬暇，�使えない。気相成長法を使わざるを�uない。しかし、SiC�T晶を成長させると��ずマイクロパイプと�}ばれる�T晶�L(f┘ng)陥が成長軸��(sh┫)向に�pって成長する。このため�j(lu┛)きな�T晶を分厚く成長させることが�Mしい。

そこで、デンソーはまず�|�T晶を�j(lu┛)きく成長させる��(sh┫)法をとっている。�|�T晶はシリコンと同様、�T晶インゴットの�|として使う場合と、インゴットそのものにしてしまう��(sh┫)法の二つがある。�|�T晶をそのままインゴットにする場合にはいったん成長させた後、マイクロパイプ�T晶のない場所を切り出し、�T晶成長?f┐n)Cの角度を変えて再び成長させる。再度マイクロパイプが成長すると、再びその�L(f┘ng)陥のないところだけを切り出し、成長角度を変えてさらに成長させる。この��(sh┫)法を何度も繰り返して、�T晶を�j(lu┛)きくさせていく。�}間はかかるが�L(f┘ng)陥をそのたびに��ち切るということで�T晶の����は良い。

この��(sh┫)法は�C倒でコストが高くなるが、これに�瓦靴謄妊鵐宗爾��L(f┘ng)陥のない�|�T晶をたくさん作っておき、それを�|�T晶として�W定して無�L(f┘ng)陥の�T晶を作り出せるようになると、最初の�|�T晶の�}間はコストにさほど�xかなくなるという。完��な�|�T晶ができるとそれを元に次々と完���T晶を作り出せるため、その後のコストはさほど効かなくなるからである。この�\術はデンソーと�l田中央研�|所との共同で����を�D�uしているとしている。

デンソーはMOSFETの�┣祝譴砲弔い討盡正擇靴�。シリコンとは違い、SiCのゲート�┣祝譴�MOS構�]を作る�屬把c�Cはクリーンでなければならない。しかも成長�]度もそこそこに�]いことも求められる。このため、デンソーはまず�X�┣祝譴鮑遒蠅修慮�CVDにより所望の厚さのゲート�┣祝譴鮴�長させる。厚さのコントロールはCVDで行う。ただし、単純な�X�┣修任呂覆�、窒化したりあるいは水素アニールしたりするなど後処理もノウハウとして��要になるとしている。

SiCのパワーMOSFETは高�a動作という�W(w┌ng)点よりは、高耐圧・�j(lu┛)電流デバイスとして高�]動作が可�Δ世箸いΕ瓮螢奪箸���(sh┫)が�j(lu┛)きい。��圧コンバータなど、コイルを使うスイッチングレギュレータのコイルを数分の1に小さくできるからだ。200〜300℃の高�aにするとSiC半導��はびくともしないが、SiCの�┣祝譴筌魯鵐精猯舛�溶けたり弱くなったりするため、実使��ではSiC以外の問��が出てくるため、高�a動作はさほど期待できないとしている。