図1　GT Advanced Technology社サファイヤ材料グループ担当バイスプレジデントのPaul Beaulieu��

白色光は�E色LEDに黄色い蛍光膜（��+�uに等しい）を被せることで�uられる。�E色発光ダイオード材料であるGaNの�T晶格子定数に�Zい材料がサファイヤであり、現在の�E色LED基��の主流となっている。LED照��では�E色LEDチップを数�恩鳥箸Δ里��k般的である。このためチップの価格が照��ランプの価格を��配する。チップを低コストにするためにはサファイヤ基��の低価格化が不可�L(f┘ng)になっている。

GT社は、サファイヤ�T晶の低価格化を�咾�推進している。同社は昨�Qまで�陵枦澱喘�のポリシリコン基��とウェーハを主������としていたが、昨�Q7月に��Crystal Systems社を�A収し、サファイヤ�T晶ビジネスを�}に入れた。その後、矢�Mぎ早にCrystal社の�eっていた����の��数を3倍に�\やし、�攵��ξ�を2インチのサファイヤウェーハ換�Qで600万��/月に�屬欧拭�GT社の�eつサファイヤ成長����ASF（Advanced Sapphire Furnace）の�p�R�Yは9億4400万ドルもある、と同社サファイヤ材料グループ担当バイスプレジデントのPaul Beaulieu��はいう。

同社のユーザーには、インゴット（厳密にはサファイヤビジネスではブールと�}ぶ。�T晶の原石という�T味のブールBouleという言��）から、ウェーハにスライスして加工するメーカーが�Hい。��に、サファイヤ�T晶からウェーハを作り出すメーカー�岼�10社のうち、6社がこの����で成長させたサファイヤのインゴットを使っているとしている。ユーザーであるウェーハメーカーはこの�T晶インゴットを�P(gu─n)入して、スライスし、ラッピング、研磨、アニール、��浄などの工��を経てウェーハに仕�屬欧襪�、GT社はウェーハ加工は扱わない。

サファイヤ�T晶の低価格化に�L(f┘ng)かせないのはサファイヤ�T晶の�j(lu┛)口径化である。�T晶成長の�]度からa軸��(sh┫)向に成長させることでインゴットを作��し、成長させたインゴットを�`的とする�T晶�C(軸)に向くように周囲を削り��柱にする。このため�j(lu┛)きければ�j(lu┛)きいほど、LED向けのc軸の��柱�T晶が�Dれやすくなる。LED Japanで見せた直径15インチの��柱型のインゴットの�_量は100kg。これまで同社の最�j(lu┛)�_量は85kgだった。最も�j(lu┛)きなインゴットとして130kgも可�Δ世箸靴討い襦�

サファイヤインゴットを�j(lu┛)口径化することで低価格化に�Tびつき、GTは�T晶インゴットの�j(lu┛)口径化によるコストダウンを図2のように見ている。

図2　�T晶インゴットの低価格化の推�〕女[

サファイヤの�x場はLEDだけではない。SOS（silicon on sapphire）デバイスの耐放�o(j━)線デバイスとして�x場があり、��Peregrine Semiconductor社などがSOSデバイスを宇宙防ﾅ�噞からもっと�k般的な工業��へと広げようとしている(参考�@料1)。絶縁���屬離轡螢灰鵑鷲碆^容量が小さくなるため、高�]・低消�J電��になる。SOIと同様の応��分野が期待できる。

参考�@料
1. 新��CMOS on SapphireのRFチップで携帯電�B�x場のGaAsを��き換えていく (2010/06/30)