図1　20nmまではTSMCと密に組むAltera　出�Z：Altera

Alteraは、現在の28nmプロセスから20nm、さらに14nmへのロードマップを�Wいており、さらにTSMCの�eつ55nm組み込みフラッシュプロセスも����に組み入れるという発表も最�Zしている。OTN（Optical Transmission Network）分野に向けてIPベンダーであるデンマークのTPACK社を�A収したことも同時期に発表した。

TSMCの55nm組み込みフラッシュをAlteraのFPGAに採り入れる狙いはズバリ、�O動�Zと�噞����である。クルマ����では、ダッシュボード�U(ku┛)御からシャーシ�U(ku┛)御など比較的低コストの分野から、�W���\術であるドライバアシスタンスのビデオ処理やオフロードでのハウスキーピング機�Δ砲皀侫薀奪轡絅瓮皀蠅鮖箸Α�フラッシュなどの不ｧ発性メモリを使うPLDでは、小容量の����しかできなかったが、55nmフラッシュ�\術の導入により、�j(lu┛)容量のPLDが可�Δ砲覆襦�FPGAよりは量��もしやすい。

フラッシュを集積することで、ユーザのシステムコンフィギュレーションの立ち�屬�りが�]くなる。しかも�j(lu┛)容量のフラッシュメモリ�覦�(図2)を�eっているならユーザのデータメモリとしても使える。TSMCは、ルネサステクノロジと40nmフラッシュマイコン�\術を共同開発することで1�Q�iに合�Tしており（参考�@料1）、今�vの55nm組み込みフラッシュ�\術とは違うようだが、そのプロセスの詳細は不��である。

図2　TSMCの55nmフラッシュメモリプロセスのテストチップ　出�Z：Altera

TPACK社は2�Q半�iにApplied Micro Circuits社が�A収したが、今�v、AlteraはApplied MicroからTPACK社を�P(gu─n)入したもの。狙いは、400Gbpsの光ネットワーク��の高�]�v路。FPGAの�j(lu┛)容量・高�]の主な����として、通信インフラの高�]スイッチ、高�]インターフェースがある。モバイル分野では、YouTubeなどの動画やブラウザをアクセスするユーザが�\え、通信トラフィックが���\している。通信容量の拡�j(lu┛)は�L(f┘ng)かせない。通信インフラ機�_(d│)はAlteraのFPGAの主������の�kつである。TPACKは、10Gbps/20Gbpsと高�]のOTN向けのIPを�eっており、これがAlteraには�L(f┘ng)けていた。

Alteraが28nmから20nm、さらに14nmへと微細化を推進するのは、通信や放送などのインフラ�x場の要求が�咾い燭瓩澄７搬喞命�はLTEからLTE-Advancedへ進化し、放送は4Kという解�掬戮魑瓩瓩討�る。20nmプロセスで作るFPGAは、28nm����と比べ、消�J電��は最�j(lu┛)60%も下がると見ている。20nmプロセスでは��来通りTSMCのHKMG（高誘電率のメタルゲート）プレーナMOSFETプロセスを�W(w┌ng)��する。

しかし、14nmでは3次元構�]のTri-gateFETプロセスに�々圓垢襪�Alteraは見ており、ファウンドリとしてIntelを��(li│n)んだことを発表している。なぜIntelか。Alteraの����およびコーポレートマーケティング担当VPのVince Hu��（図3）は、その理�y(t┓ng)を二つ挙げる。�kつは、Intelが最先端のプロセス�\術を�eっているから低消�J電��・高性�Δ�期待できること。もう�kつは、IntelはTri-gateやFINFETなどの3次元トランジスタの経�xが長いからだ。同��は、「GlobalFoudriesはまだ14nmプロセスを��確にしていない」と言う。

図3　Altera Products and Corporate Marketing VPのVince Hu��

Intelの��(sh┫)からはこれまで通り、ファウンドリビジネスの発表がないが、14nmプロセスではファウンドリビジネスを行うことをIntelはAlteraに�瓦靴謄灰潺奪箸掘∧�数の�攵��ξ�があることを保証した、とHu��は語る。14nmのような最先端プロセスではコストシェアリングが��に�_要となり、ファブレス半導��にとってファウンドリの�攵��ξ�のコミットメントは�L(f┘ng)かせないとする。

Alteraは、Siインターポーザ�屬�FPGAチップを並べて配��する2.5DのICだけではなくチップ同士を�_ねる3D ICの開発もTSMCと共同で��けている。Intelもこの3D�\術を�eっているという。Alteraはさらにチップ同士を光ファイバでつなぎ、光の入出���v路をシリコンフォトニクス（シリコンを光導�S路として使う）で形成する�\術にも��を入れている。やはり無線通信インフラ機�_(d│)に400Gpbsが求められるようになると、1チップで20Gbpsや50Gbpsといった高�]性が��要になるため、光�\術も�M��して開発しているという。

参考�@料
1. ルネサス、フラッシュマイコンのグローバル戦�SでTSMCと提携 (2012/05/29)