図1　3D形�Xの構�]�颪��v路配線を形成できるFHE�\術　出�Z：TNO

インモールド�\術はインクジェット�\術などで3次元構�]のプラスチック����やパッケージでも配線を�Wくことのできる�\術（図1）であったが、ほとんど普及できなかった。あまりにもカスタマイズが��要な�\術だったからだ。

今�vTNOが開発した�\術は、��来のフレキシブルハイブリッドエレクトロニクス（FHE）と�}ばれる�\術をベースにしたもの。��来のフレキシブルエレクトロニクスは半導��ICのトランジスタまで�~機材料で構成しようとしていたため、いつまで経っても実��化できなかった。�~機トランジスタは開発初期から20�Q、30�Q経っても電子�‘暗戮�1cm2/Vs��度しかなく、シリコンには到�fかなわなかった。この�~機トランジスタはHoly Grail（�@�J）とも�k�陲慮��|�vに言われ、やってもムダとなる�}の届かない�\術の��徴でもあった。

ところが、�~機トランジスタを無理に使わず、�ζ哀妊丱ぅ垢砲��k般的なシリコンのCMOS LSIチップを使い、配線だけフレキシブル基��にスクリーン印刷�\術すればよい、という考え�気�出てきた。これがFHEである。この考えを進めることでフレキシブルな�v路はがぜん現実味を帯びてきた。シリコンLSIのウェーハは、ダイシングしてチップに切り分ける時に、工��時間の�]縮のために薄く削り、まるで�Lのようにペラペラになる。WLP（Wafer Level Package）だとフレキシブル基��に載せられる。

FHEでは、�~機材料を使ったソーラーセルや、OLEDディスプレイ、さらには2次元平�Cに敷き詰められるセンサなども可�Δ砲覆蝓△修譴蕕鴈~動するICを表�C実�△播觝椶垢襦�LSIチップも基��同様薄く、しかもチップ�C積はそれほど�jきくなければ、フレキシブルプリント基��にそれらを搭載しても、����の曲�Cに�pって張り��けることができる。

TNOが開発したインモールド�\術は、これまでの�\術とは工��が異なる。��来は3次元構�]�颪��v路配線を�Wき、その�屬縫船奪廚鮗��△靴討い拭�これを逆にして、ポリマーシートに載せた基��に�v路配線を�Wき、半導��ICや����を載せた後に、基��をまげて3次元構�]�颪鮑遒襪里任△襦平�2）。この�桔，世函��W価な��来�\術であるスクリーン印刷が使える。

図2　先に�v路配線やICを実�△靴討�ら(�^真��)、����や3D構�]�颪魴狙�する(�^真下)　出�Z：TNO

この�桔，世函∪茲��v路を形成してしまうので、��来の�\術をそのまま使えるため、3次元構�]への応��は広がってくる。TNOでは、効率�何堯鵑離撻蹈屮好�イト構�]のソーラーセルや、2次元のセンサアレイなどをFHEで試作しており、それらのデバイスと、3次元インモールド�\術を組み合わせることで、さまざまなフレキシブル基��の応��ができるようになる。