厚さ150µmのLiイオンバッテリ、半導プロセスで作、商化1

厚さ0.15mm(150µm)とA4Lのように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商化された。Siウェーハ屬貿膜を形成する法を使うため、Si LSIv路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP(Package on package)や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは櫂戰鵐船磧爾Cymbet社。 [→きを読む]
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厚さ0.15mm(150µm)とA4Lのように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商化された。Siウェーハ屬貿膜を形成する法を使うため、Si LSIv路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP(Package on package)や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは櫂戰鵐船磧爾Cymbet社。 [→きを読む]
英国の工業ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での動を本格化させている。これまで工業のダイヤモンド砥やパウダーなど駘的にwいという長を擇し機械的な作業の分野にRしていたが、エレクトロニクスにもを入れ始めた。X伝導の良さにR`している。 [→きを読む]
イスラエルに本社をくファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることをらかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwangerが7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的にらす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削できる。 [→きを読む]
Mooreの法Г離謄ノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoCStratix、ミッドレンジのArriaを現在最先端の28nmプロセスで攵しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変する疑砲鯣表した。@はいずれも10シリーズと命@している(図1)。 [→きを読む]
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量を出荷しており、その量模拡jを進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち屬欧冒世い鮃覆辰討い襪海箸らかにした(図1)。 [→きを読む]
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ\術の現Xがらかになった。Intelは2013Qに14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予Rする。これはEIDEC Symposium 2013でらかにしたもの。 [→きを読む]
FPGAj}のAltera(アルテラ)は、14nm時代に向けたのロードマップ(図1)とポートフォリオをらかにした。14nmではIntelをファウンドリとして使う旨も表しており、そのT図をD材した。 [→きを読む]
かつて、バリアブルコンデンサと}ばれる、ラジオチューナの可変キャパシタがあった。空気を絶縁としてい、向かい合わせた金關の片Cだけを機械的にv転させることで金關が向かい合うC積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金關間の{`を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで小型にした。 [→きを読む]
MEMS発振_は、性Δ盖Δ眇緇修魎井にsくようになった。櫂汽ぅ織ぅ燹SiTime)社は、1Hzから32.768kHzまでの周S数をIでき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振_を化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットもjきい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→きを読む]