これは、�B�^率の低い(高濃度)シリコンウェーハに直径35μm〜200μmのビアを残して、その周りを幅15μm〜20μmに渡って溝を�Eり、その溝をウェーハを楉未垢襪泙如△�りぬくというわけだ。できた溝を絶縁膜で�mめ尽くす。このようにして真ん中の高濃度シリコンが楉姪填砲箸覆襦�

Silexはこの�\術をSemiconductor International日本版主��のMEMSセミナーで発表した。楉姪填砲鬟船奪廚離椒鵐妊�ングパッド�霾�に形成したり、楉姪填砲世韻離船奪廚�CMOS�v路だけのチップとを張り合わせたり、あるいは楉姪填砲�MEMS�霾�を張り合わせたりするなど、さまざまな応��の可��性を��した。シリコン同士の張り合わせは�X膨張係数が同じであるため信頼性が高い。

Silex社は、現在6インチ・ウェーハを使��するMEMS専門のファウンドリ。2000�Qに設立され、すでに60社の顧客と100�|類以�屬�MEMS����を���]した実績を�eつ。同社セールスディレクタのMagnus Rimskog��によると、2008�Qには8インチラインを作るという。今�vのTSV電極を構成するチップあるいはウェーハをスターティング材料として供給する。

楉姪填砲蓮△泙坤疋薀ぅ┘奪船鵐阿納�辺に溝を�Eることから始まる。ボッシュプロセスと�}ばれるエッチングとデポジションを繰り返しながら、均�kな幅の溝を�Eっていく。����はアルカテル��だという。溝を�Eるのにかかる時間は数�科�ですみ1時間未満で終わるという。最初の����開発時は3時間もかかったとしている。そのあと、絶縁膜を高�aで形成し、溝を絶縁材料で�mめていく。最後にCMPで裏�Cを削り楉姪填砲鯱�出させる。

溝を�Eれる可�Δ淵ΕА璽聾�さは600μmまで、ビアのピッチは50μm以下、アイソレーションの溝の幅は10〜15μmだという。ビア平�Cの形は丸でも四角でも長�儀舛任皺��ΑＥ典��B�^は、例えば100μmの直径でウェーハの厚さが400μmの場合、１Ω��度だという。

Rimskog��によると、エピタキシャルウェーハにして、楉姪填砲魴狙�するつもりはない。楉姪填砲�楉姪填砲箸靴討離ΕА璽呂鮑遒襪箸靴討い襦�ウェーハレベル・パッケージング�\術を使い、センサーや楉姪填法�CMOS�v路などそれぞれのウェーハで作り、シリコン同士をアセンブリする。