パワー半導��を直接�~動できるマイコン内�泥疋薀ぅ�ICをNXPが����化
パワートランジスタは、ゲートをドライブするためのドライバICやドライバICに指令を送るための�U御��マイコンまでを�kつのソリューションとして使われている。1パッケージにドライバICとマイコンなどを収容したモータ�U御IC「S32M2」をNXP Semiconductorが����化した。最終段のパワートランジスタに直�Tして使える。 [→��きを読む]
カーエレクトロニクス
ルネサス、クルマ��MCUやSoCをArm�Uで統�kするロードマップ��す
ルネサスエレクトロニクスは、クルマ向けのマイコン（MCU）とSoCの総称である「R-Car」シリーズのこれからの��5世代のR-Carシリーズを発表した。MCUからSoCまでCPUコアは��てArm�UのIPを����、ハイエンドのSoCでは5nm,4nmなどの先端プロセスノードや、チップレットを�~使する先端パッケージを採��していく。 [→��きを読む]
半導��投�@、��発に、工場新設や拡張に�\�咾�始まった
昨�Q11月から�jきく落ち込んでいた半導��販売�Yが�v復し始め、ようやく�x況の�v復が見え（参考�@料1）、半導��投�@が��発になってきた。SBIとPowerchipとの合弁ファウンドリが工場��地を宮城県��川郡�j衡��に確定し、中国のDRAMメーカーCXMTが約8000億��を調達、Samsungも2023�Qの投�@�Yが約6兆��に達することが判��した。半導��教育は九�Δ�ら��国へ広がっている。 [→��きを読む]
�V�L主導のオープンコンソーシアム、�O動�Z�噞の地図を塗り��える可��性
世�c最�jのEMS（電子�����佗����]サービス）である�V�L�@密工業が電気�O動�Z���]のためのコンソーシアム（図1）を2015�Qに設立していたが、このほどJapan Mobility Show（旧モーターショー）で3人乗りのコンセプトカーを�t��した。電気�O動�Z（EV）を���]するためのアライアンスを組み、オープンなプラットフォームで�O動�Z���]に挑んできていた。 [→��きを読む]
EVで走行しながら充電することが現実味を帯びてきた、ここにもSiC新�x場
EV（電気�O動�Z）を走行しながら充電するという�\術が現実味を帯びてきた。ロームやデンソー、ブリジストンなどの企業と�k緒に開発を進めていた東�B�j学の藤本�F志教�bのグループが小さな電池だけで菹罎鯀�行できることをシミュレーションで��し、柏の��キャンパスの周辺で実証実�xを開始することになった。2025�Q3月まで実�xを�M��する。 [→��きを読む]
東��、TOB成立で�崗貲凅Vへ、新成長プランに向け���U�Dえる
経営の混乱が��いていた東��は、投�@ファンドの日本�噞パートナーズ（JIP）と国内連合20社��による東��へのTOB（株式�o開�Aい��け）が成立した、と発表した。東��は�Q内にも�崗貲凅Vとなる見通し。また、SiCやGaN材料を�W��したパワー半導��への投�@が�rんになってきた。けん引��はもちろん電気�O動�Z（EV）だが、サーバー��電源も見込まれている。 [→��きを読む]
半導��や蓄電池など成長�噞への税�U優遇が可�Δ�
ようやく半導��や蓄電池などの成長�噞メーカーへの税�U優遇が達成できそうになってきた。これまで世�cでは工場誘致での税�U優遇策を講じてきていたが、日本では税�U優遇がなく他国へ流れたケースが�Hかった。半導��投�@にも��みがつきそうだ。蓄電池も電気�O動�Zだけではなく再�擴��Ε┘優襯�ーにも�~効で、日本での�Dり組みを加�]させる。 [→��きを読む]
パワーデバイスの真のスイッチング��性を�uる�R定�_をKeysightがデモ
ガレージ実�x室から始まったHewlett-Packard社をルーツに�eつKeysight TechnologyがSiCやGaNなど高�]パワーデバイスのダイナミック��性を�Rる���R�_「PD1550A」（図1）をKeysight World 2023で�t��した。もともと高周�S�R定機に�咾�Keysightが、パワー半導��の�R定にもその�咾澆鯣�ｧする。��にSiCのスイッチング動作に�椶泙気譴討�たエンジニアには福音となる。 [→��きを読む]
�殤��Bが半導��とAI、量子�\術の�潅羹乘@を�U限・禁�Vする法案を推進
��休みに入った企業が�Hい中、�盜颪��潅耋�策がまた�k段と厳しくなった。�盜颪任蓮�中国への輸出ではなく中国への出�@をきびしく�U限する法��が出てきた。8月9日、バイデン�j統�襪蓮∪菽雫\術、すなわち半導��、AI、量子情報�\術を中国で投�@することを禁�Vあるいは�U限する法案にサインした。また、TSMCが欧�Δ棒瀘�する工場の��要が��らかになった。 [→��きを読む]
�Z載半導���x場の成長と共に拡�jするSiC�x場
パワー半導���x場が�k般�噞��から�O動�Z��へと拡�jするにつれ、SiCパワーMOSFET�x場も拡�jしている。それに合わせて新工場の設立や8インチ化の開発が進んでいる。�Z載�x場もこれまでのEV（電気�O動�Z）化からインホィールモーター（IWM）や、ステアリング-バイ-ワイヤー（Steering by Wire）などへ拡�j、SiCやGaNの�x場は拡�jする勢いだ。 [→��きを読む]
