半導��不�Bに�棺茲垢襪燭瓠�200mmプロセスファブの�攵��ξ�は�\える�k��(sh┫)に
200mmシリコンウェーハを使う半導��プロセス工場の�攵��ξ�が、2024�Qには2020�Q比で21%�\となる月��690万��と�Pびていきそうだ。このような見通しを発表したのはSEMIであり、その「200mmFab Outlook Report」で�o表した。 [→��きを読む]
�噞
日本の半導��ICメーカーの世�cシェアは2021�Qも6%のまま
2021�Qの世�c半導��メーカーの国別�x場シェアが発表された。�x場調�h会社IC Insightsによると日本の半導��ICの�x場シェアは昨�Qと同じ6%であった。2021�Qで�j(lu┛)きく変化を見せたのは中国の半導��である。中国のIC�噞は�i�Q5%シェアで間もなく日本を�sくかと思われていたが、4%に落ちた。��に、ファブレスのシェアは�i�Qの15%から9%に落ちた。 [→��きを読む]
2021�QのESD�噞は15.8%�\の132億ドルに成長
2021�Q��4四半期におけるESD（Electronic System Design：電子システム設��、かつてはEDAと�}ばれた）業�cは�i�Q同期比14.4%�\の�Pびを��(j┤)し、販売�Yは34億6820万ドルとなった。これはSEMIのESD Alliance�靆腓�発表したもの。半導��およびプリント�v路基��設��ツールやIP、検証ツールも含めている。 [→��きを読む]
�L(zh┌ng)中100mの�{(di┐o)�`を1Gbpsで通信可�Δ法�ALANコンソが実�xに成功
通信ネットワークを都�xや人間のいる��来の�J(r┬n)囲内だけにとどまらず、無人の�冀罎粡L(zh┌ng)�屐��L(zh┌ng)中、空間でも宇宙までへと拡�j(lu┛)していく様相を見せ始めた。携帯通信が5G時代から携帯電�BだけではなくIoTなどさまざまなモノがつながる時代になってきたからだ。その�kつ、�L(zh┌ng)中通信を確立しようとALANコンソーシアムが�L(zh┌ng)中で1Gbpsの無線通信を成功させた。 [→��きを読む]
Seagateがビデオストリームを�{画･AI分析可�Δ�20TBのHDDを出荷
HDD（ハードドライブ）�j(lu┛)�}のSeagate Technologyが画�飢鮴話�のAI（機械学�{）を内�鼎靴�20TB（テラバイト）のHDD「SkyHawk AI 20TB」を4月中旬から出荷する。64��分のHD（High Definition）ビデオストリームと32本のAIストリームに�官�する。VIA（ビデオイメージング&AI）デバイス����となる。 [→��きを読む]
キオクシア、����拡�j(lu┛)に向け、����拡�j(lu┛)と投�@の両�Cで��発に
キオクシアが�Z載、データセンター向けのNANDフラッシュと�x場拡�j(lu┛)に向け動き出した。JEDEC仕様のUFS 3.1に��拠した�Z載向けのNANDフラッシュをサンプル出荷、データセンター向けにはPCIe 5.0に��拠するインターフェイスを設けたSSDと、ミッションクリティカルなクラウドサーバやストレージシステム向けSSDもサンプル出荷を始めた。モバイル����以外の応��を積極的に広げている。 [→��きを読む]
Omdiaの半導��ランキングではIntelがまだ1位
英Omdiaが発表した2021�Qの世�c半導��ランキングでは、1位は依��としてIntelだったことがわかった。Intelの売�幢Yは�i�Q比0.4%しか�Pびなかったが、765.7億ドルを記�{した。2位のSamsungのそれは32.1%�\と�j(lu┛)きく成長したが752.1億ドルだった。これまで発表された�x場調�h会社との違いは何か。 [→��きを読む]
2021�Qのファブレス半導��トップテンランキング、2位にNvidiaが��浮��
2021�Qのファブレス半導��トップテンランキングが発表された。これは��湾�U�x場調�h会社のTrendForceが発表したもの。�岼�10社はファウンドリビジネスよりも�j(lu┛)きな1274億ドル（約15.2兆��）に達し、�i�Q比48%成長した。�岼�10社は��(sh━)国と��湾の企業のみ。1位は昨�Qに��きQualcommだが、2位にはNvidiaが61%成長で�屬辰討�た。 [→��きを読む]
��(sh━)下院議会で税�U(ku┛)�禄�の新法案FABS法案が提出され、SIAが�j(lu┛)��迎
��(sh━)国の下院議会で新たな半導��法案が提出され、SIA（��(sh━)半導��工業会）が早�]��迎の�Tを表した（参考�@料1）。これはFABS法案（Facilitating American-Built Semiconductors Act）と�}ばれるもので、半導��設��と���]および研�|に税�Y�禄�のインセンティブを確立しようという��党派の法案。 [→��きを読む]
EV�x場に向けパワー半導��、電池、セキュリティなど新�x場広がる
EV（電気�O動�Z）を中心核に、パワー半導��とバッテリ�\術を巡る動きが��発になっている。パワー半導��関連では東��デバイス&ストレージ社が2022�Q度に1000億��の設��投�@を行い、ニコンも200mmウェーハでi線のステッパーを�攵�する。電池の最�j(lu┛)の�椶澆魯灰好塙癲�コスト削��(f┫)努��が��発に行われている。EVのセキュリティを��(d┛ng)化するため�V�L(zh┌ng)はTrendMicroと組んだ。 [→��きを読む]
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