ET & IoT Technology 2019(2)〜IoTネットワークでBluetoothの応広がる

ET & IoT Technology 2019tでは、IoTデバイスをつなぐBluetoothもされている。Bluetoothビーコンはアンテナを?q┗)することで位@度が屬り、Bluetooth Mesh格が確立したことで応が広がった。加えて、Bluetoothのソフトウエア開発ツールも充実してきており、プログラムによる独O仕様のしやすさが普及を後押しする。 [→きを読む]
ET & IoT Technology 2019tでは、IoTデバイスをつなぐBluetoothもされている。Bluetoothビーコンはアンテナを?q┗)することで位@度が屬り、Bluetooth Mesh格が確立したことで応が広がった。加えて、Bluetoothのソフトウエア開発ツールも充実してきており、プログラムによる独O仕様のしやすさが普及を後押しする。 [→きを読む]
2019Q9月までの半導]x場について、10月23日現在で「?j┼n)fから峺きへ」、という見通しを紹介したが(参考@料1)、10月の半導]x場もこの見(sh┫)を後押しするT果となった。10月の日本半導]の販売Yはi月比1.4%\の1806億9000万、(sh━)のそれでは同7.7%\の21億910万ドルとなった。 [→きを読む]
2019Qの世cの半導x場は、iQ比12.8%(f┫)の4089億8800万ドルになりそうだという見通しをWSTS(World Semiconductor Trade Statistics)が発表した(参考@料1)。これは、11月下旬にQ社の半導x場関係vが集まってめた見通しである。別では、メモリの落ち込みが同33%(f┫)の1059億700万ドルとなったことが最もj(lu┛)きく、それ以外のはk桁のマイナス成長にとどまっている。 [→きを読む]
2019Q3四半期におけるNANDフラッシュの売幢Yはi四半期比10.2%\の119億ドルになった、とTrendForceが発表した(表1)。メモリ単価は5%値下がりしたものの、ビット(ji┐n)要は15%成長した。中でもキオクシアは6月下旬の停電故の後にもかかわらず、20%以屬離咼奪頒(ji┐n)要で売り屬欧14.3%\加し、22億2670万ドルに達した。 [→きを読む]
(sh━)x場調h会社のIC Insightsが今Qの世c半導トップ15社を発表した。それによると、予[通り、Intelが位に返り咲いた。2017Q、18Qとメモリバブルに{いたQの反動が2019Qにやってきたため、メモリメーカーの下落はj(lu┛)きかった。メモリだけのSK Hynixは38%(f┫)、Micronは35%(f┫)だったが、ファウンドリも}XけているSamsungは29%(f┫)ですんだ。キオクシア(旧東メモリ)の数C(j┤)はo表されていない。 [→きを読む]
世cの半導x場がv復に向かっていることが確になってきた。11月16日の日本経済新聞は、世cのj(lu┛)}半導メーカー10社の動向をまとめた所、2019Q3四半期の純W(w┌ng)益は4四半期ぶりに\益に転じた、と報じた。半導をけん引するメモリがv復の兆しが出てきたことがj(lu┛)きい。中国もこれからめのe勢を見せ始めた。日本は量子学の応にを入れるニュースがHい。 [→きを読む]
半導デバイスの中で、CMOSイメージセンサがj(lu┛)きく成長しそうだ。IC Insightsの調hによれば、2019QのCMOSセンサはiQ比19%\の168億3000万ドルに成長するとみている。これは同4%\の168億8000万ドルのパワートランジスタx場に匹發垢襦2020QにはCMOSセンサが成長]度のいパワー半導をsくのは間違いなさそうだ。 [→きを読む]
ベルギーにある半導研|所のIMECが今週はじめ、東BでIMEC Technology Forumを開(h┐o)した。ここ2〜3Q、このフォーラムではIoTやAI関係の半導応の発表例がHかった。このため、CEOのLuc Van den Hove(hu━)(図1)は、日本企業に瓦靴・材料メーカーとシステム企業に参加を期待していた(参考@料1)。今Qは違った。本流のムーアの法Г膿抱tがあった。 [→きを読む]
2019Q3四半期におけるSiウェーハ出荷C積はi四半期比1.71%(f┫)の29億3200万平(sh┫)インチになった、とSEMIが発表した。iQ同期比では9.9%(f┫)となっている。この向は、そろそろfにZづいている様子を表している。 [→きを読む]
CEATEC 2019では、j(lu┛)学関係からも実化にZい研|が発表された。文隹奮愍併渦爾JST(科学\術振興機構)が主(h┐o)するCREST(戦S的創]研|推進業)の中で、ナノエレクトロニクスに関する研|3Pが、材料からデバイス、v路、システムに至るQレイヤー間の協を求めるプロジェクト「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」の成果を発表した。 [→きを読む]
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