100億ユーロの欧�θ焼���業�画の�貌が��蕕��

欧�Δ�焼���業(最�Zではナノエレクトロニクス�業と表現することが�Hい)に100億ユーロ(約1兆3000億�)を投�@するという�画(参考�@料1)が��蕕�砲覆辰拭�海亮�画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn���450mmウェーハの実情を調�h、そのレポートをベースに�eち�屬�辰拭M萋釮靴�Malcolm Penn��(図1)に、欧���画について聞いた。 [→�きを読む]
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Si IGBTやパワーMOSFETの性�Δ鬯�える、SiCやGaNといった高�a半導��トランジスタが期待されながら�jきく成長していけない最�jの問�はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは���]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、�来の設�△�箸─�礇灰好箸任△襦2醜�馮焼��はどうやってコストの壁を突破するか、その�kつのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→�きを読む]
パワー半導��に�を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの�攵�始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と�]ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを�いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの�v路を接�するというマルチチップパワーパッケージ�\術を、7月17~19日東�Bで開�されたTechno Frontier2013で�o開した。 [→�きを読む]
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる�v路が膨�jになるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと�@��韻�(図1)。CLB(Configurable Logic Block)周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→�きを読む]
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを����化した。MEMSラストのプロセスで���]、振動子としてSiGe薄膜を�いたことでSiよりも機械的�單戮�咾�⊂�冷・��Xや衝撃にも�咾い燭瓠◆�20ppmの周�S数�W定性を10�Q間保証する。 [→�きを読む]
�湾の�V�L�@密工業が�j阪に研�|開発拠点を設立した、と6月1日��韻瞭鐱楫从竸景垢�鵑犬拭�V�Lは�]晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル�]晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導�����]���も�v復しつつある。 [→�きを読む]
日本��半導��・FPD���]���が好調さを�e�している。このほどSEAJ(日本半導�����]���協会)が発表した、4月の�p�R�Y・販売�Y・B/Bレシオのデータでは、�p�R�Yが�\え�け、先月予�[した通り、B/Bレシオは共に1.00を�え好調を維�eしている。 [→�きを読む]
Altera(アルテラ)社が電源メーカーのEnpirion(エンピリオン)社を�A収したと発表した。FPGAメーカーであるAlteraがなぜ電源メーカーを�A収したのか。�k見関係のないように見えるこの提携は、28nmや20nmといった最先端の微細なLSIを�常に動作させるために電源がカギを�曚襪海函▲愁螢紂璽轡腑鵐咼献優垢�_要になってきたことと深く関係する。 [→�きを読む]
Nikhil Joshi��▲ぅ鵐�Delta Embedded Solutions社Executive Director 5月8日~10日、東�Bビッグサイトで開かれた2013 Japan IT week春にインドの組み込み開発企業が出�tした。インドのエレクトロニクスとIT関係の2300の企業をメンバーとするESC(Electronics and Computer Software Export Promotion Council)が10数社を代表として送り込んだもの。ソフトウエア開発企業が�Hい中、エレクトロニクスの設�会社として参加したDelta Embedded Solutions社にその狙いを聞いた。 [→�きを読む]
先週、ルネサスエレクトロニクスの新人�が発表された。経営トップの会長兼CEOとして作田久男オムロン会長を迎え入れることが�まった。鶴丸哲哉社長は�稜い掘∈嚢蘯更埓嫻でv(COO)を兼��垢襦F閒��作所、NEC、�菱電機の3社の��メモリ�靆腓���してできたルネサスは、しがらみのない作田��慮気悩瞳悊靴討い�海箸砲覆襦� [→�きを読む]
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