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パワー・パワーマネジメント

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コスト的にもSiにMてるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

コスト的にもSiにMてるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

Si IGBTやパワーMOSFETの性Δ鬯える、SiCやGaNといった高a半導トランジスタが期待されながらjきく成長していけない最jの問はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、来の設△使え、低コストである。化合馮焼はどうやってコストの壁を突破するか、そのkつのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→きを読む]

Infineonのパワー半導、新パッケージ\術で差をける

Infineonのパワー半導、新パッケージ\術で差をける

パワー半導にを入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの攵を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と]ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーをいて、パワートランジスタとドライバトランジスタのv路を接するというマルチチップパワーパッケージ\術を、7月17〜19日東Bで開されたTechno Frontier2013でo開した。 [→きを読む]

Alteraが高効率電源メーカーEnpirionをA収した理yとは?

Alteraが高効率電源メーカーEnpirionをA収した理yとは?

Altera(アルテラ)社が電源メーカーのEnpirion(エンピリオン)社をA収したと発表した。FPGAメーカーであるAlteraがなぜ電源メーカーをA収したのか。k見関係のないように見えるこの提携は、28nmや20nmといった最先端の微細なLSIを常に動作させるために電源がカギを曚襪海函▲愁螢紂璽轡腑鵐咼献優垢_要になってきたことと深く関係する。 [→きを読む]

ルネサス、0.2V→1.8Vの圧DC-DCコンと4μWで動作するマイコンを開発

ルネサス、0.2V→1.8Vの圧DC-DCコンと4μWで動作するマイコンを開発

|極の低消J電動作を`指して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギーハーベスティングデバイスを開発、ユーザーに提案するため、ESEC(組込みシステム開発\術t)に出tした(図1)。このデバイスは、200mVを直接1.8Vに圧するDC-DCコンバータと、4μWで動作するマイクロコントローラ(マイコン)だ。 [→きを読む]

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