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パワー・パワーマネジメント

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TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを?y┐n)?/a>

TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを?y┐n)? title=

GaNやSiCのような高]のパワー半導は性Δ陵グ明は確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基屬濃箸い砲さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを曚襪海箸鬚垢任謀舛┐燭(参考@料1)、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール(図1)をTexas Instrumentsが開発した。 [→きを読む]

Analog Devices、GaNパワーFETを~動するシリコンICでGaNv路設を容易に

Analog Devices、GaNパワーFETを~動するシリコンICでGaNv路設を容易に

Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023Qに新として発売していたが、このほどその背景についてらかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子‘暗戮2000cm2/Vsと高く高]動作に適している。k(sh┫)、高]すぎて使いにくい点もある。 [→きを読む]

湾のファウンドリ、歟翦焼戦争をしり`に漁夫のW(w┌ng)狙う

湾のファウンドリ、歟翦焼戦争をしり`に漁夫のW(w┌ng)狙う

歟翦焼戦争は、湾に恩Lを及ぼしそうだ。盜駭Bは中国半導(中国でアセンブリされた盜を含む)の輸入に50%の関税をかけることを発表したが、これが湾のファウンドリにとって~W(w┌ng)に働く、と湾Uのx場調h会社TrendForceは見ている。4月に東Bで開された「2024Q湾半導デー」(参考@料1)でも湾のジャーナリストが述べていた言がそれを唆していた。 [→きを読む]

Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング\術で性Α信頼性を向

Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング\術で性Α信頼性を向

Infineon Technologiesは、2世代のトレンチ構]のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細についてらかにした。このG2(2世代)では、オンB^を1桁ミリオームに下げると共に、XB^を12%(f┫)らし電流容量を屬欧拭新は650Vと1200Vの2|類で、パッケージもピンU入型と表C実型をTする。G2でパワーMOSFETのチップ設から見直している。 [→きを読む]

電源ICの効率アップに賭けるTI、GaNパワーFETやトランス内も

電源ICの効率アップに賭けるTI、GaNパワーFETやトランス内も

電源アダプタのj(lu┛)きさを見れば、電源ICの実がわかる。パソコンや電気の電源アダプタは最新なものほど小さくなっている。O動Z内やデータセンターなどでも電源は、より小さくなってきている。アナログ半導トップのTexas Instruments社は電源の小型化を`指し、より効率を屬欧v路や材料などにを入れている。このほど2|類の小型電源ICを発表した。 [→きを読む]

新工場の立ち屬欧мqするXceleratorの例をSiemensがo開

新工場の立ち屬欧мqするXceleratorの例をSiemensがo開

半導や]、材料などての工場でのデジタル化を推進するための統合ソフトウエアSiemens Xceleratorをバッテリ工場に適した例をSiemensがらかにした。かつての3D-CADソフトは今や半導の世c、に先端パッケージではL(f┘ng)かせないT在となりつつある。Siemensだけではなく、仏Dassault SystemesやPTCなども半導噞にやってきている。 [→きを読む]

GaNパワー半導の逆バイアス試x(sh┫)法がJEDECYとなった

GaNパワー半導の逆バイアス試x(sh┫)法がJEDECYとなった

化合颯僖錙屡焼のGaNデバイスの逆バイアス信頼性h価法(図1)がJEDECでY化された(参考@料1)。JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)はメモリのピン配などのY化をみんなでめるための世c的なY化団。ここでまった仕様は半導のYとなり、の普及だけではなくコストを下げる役割もある。 [→きを読む]

SiC、Z載向け800Vインバータ、OBCの実v路をす時代へ、GaNもZ載可Δ

SiC、Z載向け800Vインバータ、OBCの実v路をす時代へ、GaNもZ載可Δ

SiC・GaNのWBG(Wide Band Gap)半導がもはや単ではなくシステムボードをい合う時代に入った。東Bビッグサイトで開かれたオートモーティブワールド2024では、パワー半導トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコM負を見せた。InfineonがGaN応ポートフォリオをし、STは8インチウェーハSiCデバイスとシステムを見せた。 [→きを読む]

パワー半導、AIチップ、税U(ku┛)優遇などBの}厚いмq、出

パワー半導、AIチップ、税U(ku┛)優遇などBの}厚いмq、出

ロームと東デバイス&ストレージ(図1)が申个靴討い織僖錙屡焼の供給確保画を経済噞省が認定し、両社に\金が交されることがまった。相および経j(lu┛)臣がNvidia CEOのJensen Huangと会いGPUの日本への供給確保を要个靴拭OBはAIチップにも\金をмqする。Bは半導など攵盋に応じて税優遇する仕組みを提案している。法人税の峺托Yを20%とする。 [→きを読む]

Onsemi、インテリジェントなパワーとイメージセンサでM負

Onsemi、インテリジェントなパワーとイメージセンサでM負

ON Semiconductorがonsemiと会社の@称を変(g┛u)してから3Qたった。元CypressのCEOであったHassane El-Khouryがトップに任、onsemiの(sh┫)向をインテリジェントパワーとインテリジェントセンサに定めた。応としてはクルマとe可社会にRし、2022Qから2027Qまでの半導のCAGR(Q平均成長率)4%よりも高い10〜12%の成長率を`指す。El-Khouryはこのような中期画をWいている。 [→きを読む]

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