新�襪縫僖錙屡焼���のファウンドリ工場を作るという噂が�~け巡る
7月21日に日刊工業新聞が報じた、「新�襪縫僖錙屡焼���共同工場 経�愱�мq、23�Q度��業化」という記��が半導��業�cの中で、真偽を巡るうわさに包まれた。経済�噞省が�мqするということから、どこまで��実なのか、という疑念を�Qいての噂�Bとなっている。 [→��きを読む]
パワー･パワーマネジメント
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TIのPMIC新����、EMIノイズ抑�U�\術をふんだんに
TIは、EMI（電磁�S�J渉）を削��させたパワーマネジメントICを��々発表、これからの�Z載を始め工業����への応��を狙っている。DC-DCコンバータをはじめとする電源ICは、��に�Z載��ではEMI削��は絶�款鴕Pとなる。EMIは��にスイッチングレギュレータのようにオン/オフの切り��えが��しいと発�擇靴笋垢ぁ�TIの最新EMIノイズ削���\術を紹介する。 [→��きを読む]
ルネサスはDialogとの合��で成長できるポートフォリオを揃えた
ルネサスエレクトロニクスが英国とドイツ、�櫂轡螢灰鵐丱譟爾���動拠点を��くDialog Semiconductorを49億ユーロ（約6157億��）で�A収することで両社合�Tした。Dialogは、PMIC（電源IC）やLEDドライバ、アナログ�v路搭載のFPGAであるCMICなどで高い�\術��を誇る会社だ。この1�Qでルネサスはグローバル企業に変身中だ。両社の合��は成長するための����ポートフォリオをもつことになる。 [→��きを読む]
UnitedSiC社、SiCパワーJFETで750V、18mΩの����をリリース
SiC専門のパワー半導��メーカー��UnitedSiC社が耐圧750Vと高く、オン�B�^が18mΩ/60mΩと低いSiCパワーFET（図1）をリリースした。狙う�x場は主に電動�O動�Z（EV）とデータセンターの電源、ソーラーシステム��のインバータや蓄電池向けチャージャー。EV向けのオンボードチャージャーとDC-DCコンバータ向けなどはすでに出荷中だとCEOのChris Dries��は言う。 [→��きを読む]
パッケージング�\術でパワーMOSFETの�X�B�^を�jきく改��したInfineon
パワー半導��の巨人Infineon Technologiesが、冬の時代を迎えているパワー半導��への次の�}を�]ち始めた。シリコンのパワーMOSFETやIGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTなどパワー半導��の����ポートフォリオを広げ、しかもクルマ�x場をにらみながら新型コロナ後を狙って��々と���△鮨覆瓩討い襦� [→��きを読む]
GaNパワーデバイス�x場の立ち�屬�りは本��
GaNパワーデバイスが立ち�屬�りそうだ(図1)。2019�Q9月に中国�j�}スマートフォンメーカーOppoがGaNパワーICを高�]充電�v路に採��したことを�pけ、GaN半導��が���]に立ち�屬�るという予�[を�x場調�h会社のYole Developpementが�]ち立てた。�c�旱x場での採��はGaN�x場が�jきくなるという�T味である。 [→��きを読む]
リチウムイオン電池は改��の余地�Hく今後も成長し��ける
今�Qのノーベル化学賞は、リチウムイオン電池の発���vである�盜颯謄�サス�j学オースチン�鬚�John Goodenough��、ニューヨーク�ξ��j学ビンガムトン�鬚�Stanley Whittingham��と共にリチウムイオン2次電池の実��化にこぎつけた、旭化成の�@誉フェロー、吉野彰��が�p賞した。今�Qの�b賞理�yは�k般にもわかりやすい業績である。 [→��きを読む]
�����mめ込み��厚さ0.6mmの���w��薄膜リチウムイオン電池
薄膜�\術による���w��リチウムイオン電池は、半導��プロセス�\術で���]するウェーハベースのバッテリ���]�\術であるが、医����に人��に�mめ込む����では10�Q以�峪箸┐襯瓮匹�立った。英国のファブレス企業Ilika（イリカと発音）社は、新型電池Stereax M50を開発、�����mめ込み可�Δ扮���としてその���]�桔，鬟薀ぅ札鵐抗�始した。 [→��きを読む]
Infineon、�咾ぅ僖錙屡焼���で積極投�@、2019�Qもプラス成長期待
Infineon Technologiesが�咾ぅ僖錙屡焼���を戦�S的な投�@によってさらに�咾�する。オーストリアのフィラハ工場に2番�`の300mmラインを導入、硬いSiCのインゴットから�~単にウェーハをカットできる�\術を�eつSiltectra社を�A収、中国で電気�O動�Zの���]・販売会社を合弁で設立するなど、クルマや�噞向けに積極的に投�@し未来を盤石にする。 [→��きを読む]
実��化を加�]するSiCパワーデバイス
![実��化を加�]するSiCパワーデバイス](/assets_c/900px/181225-sic.png "実��化を加�]するSiCパワーデバイス")
SiCパワーMOSFETが��来のIGBT（Integrated Gate Bipolar Transistor）に�Dって代わると言われ��けて数�Qたったが、SiCパワー半導��の��性向�屬肋�実に進んでいる。性�Δ鴉�うというより、実��化を加�]する動きが出てきた。また、IoTを�~使して�攵掚を�屬欧襯妊献織襯肇薀鵐好侫�ーメーションが始まった。 [→��きを読む]
