Samsung、Note 7スマホの攵桵V、発原因は不のまま

f国SamsungのファブレットGalaxy Note 7の発P以来、リコール、返金や新との交換といったI肢を提、交換してもまた発故が消えなかった。このことをpけ、Samsungは11日、Note 7の攵を中Vすることを発表した。原因は何だったのだろうか? その解はこれからだ。 [→きを読む]
f国SamsungのファブレットGalaxy Note 7の発P以来、リコール、返金や新との交換といったI肢を提、交換してもまた発故が消えなかった。このことをpけ、Samsungは11日、Note 7の攵を中Vすることを発表した。原因は何だったのだろうか? その解はこれからだ。 [→きを読む]
Analog Devices(ADI)は、電池の要らないエネルギーハーベスティングをWしたIoTデバイス(端、あるいはセンサデバイス、センサノードなどとも言う)向けのパワーマネジメントIC、「ADP5091」の詳細をらかにした(図1)。エネルギーハーベスティングは発擇垢訶杜が小さく、しかも変動がjきいのにもかかわらず、送信電は数mWとjきい。充電マネジメントも含め、W定な電をどう供給するか。ここにPMICの腕の見せ所がある。 [→きを読む]
シングルチップのGaNパワーICを英Dialog Semiconductorが開発、スマートフォンのACアダプタ(AC-DCコンバータ)に向け、今後12カ月以内に量すると発表した。GaNのモノリシックICは世cで初めての量となる。ファウンドリはTSMCの予定。 [→きを読む]
Infineon TechnologiesがSiC戦Sをjきく変える。これまでのJFETからMOSFETを充実させる疑砲らかにした。耐圧1200VでオンB^11mΩ〜45mΩの、CoolSiCシリーズをサンプル出荷し始めた。さらにCreeの子会社Wolfspeed社をA収、SiC材料を}に入れ、SiCとGaN(GaN-on-SiC)のポートフォリオを拡jできるUをDえた。 [→きを読む]
4月下旬に東Bビッグサイトで開かれたTechno-Frontier 2016では、パワーデバイスのさまざまな応、使いM}よく動かすためのドライバ、パワーで動くロボットやドローンなどのU御性を屬欧襪燭瓩離札鵐機△覆豹靴靴けと動\術が登場した。もともとこのイベントはモータU御やパワー半導、電源などに集中しているが、新しい応を指向する。 [→きを読む]
Texas InstrumentsがGaNパワーFETに進出した。これまでのGaNやSiCのFETは、少数キャリヤの蓄積時間がないため高]に動作するが、峻な立ち屬りゆえにリンギングをこしたりノイズを発擇気擦燭蝓▲押璽肇疋薀ぅv路の設がMしかった。TIの新(図1)はゲートドライブv路まで集積したため、使いやすいパワーデバイスとなった。 [→きを読む]
携帯電B・スマートフォンの無線充電が日本ではまだれている。国内でを入れているロームは、このほどWPC(Wireless Power Consortium)セミナーを開した。WPC会^企業は最新の無線充電\術を紹介すると同時に、t会によるデモも見せた。WPCの会長であるMenno Treffers(図1)へのD材も含めて、最新ワイヤレス充電をレポートする。 [→きを読む]
世c的な半導噞再の中、盜饕聟のアナログ半導メーカー、Maxim IntegratedはW益が出ているうちに業cのトレンドにあった形に再構築する、という疑砲膿靴靴だ鐓Sをaり直した。10以屬△辰慎業靆腓4靆腓帽覆蝓▲侫.屬眷箋僂靴拭再構築(リストラ)といっても人をカットしたlではない。 [→きを読む]
半導噞の再はVまらない。先週は、シリコン半導の創始企業ともいうべきFairchild Semicondutorを、ON semiconductorがA収するというニュースが入った。世cの半導噞のM&Aに関しては、11月4日に報Oしたばかり。先週はET/IoT総合\術tがあったためIoT関連のニュースもHかった。 [→きを読む]
「電Bビジネスが電B時代、5兆のx場だったのが30Q後の今、84兆のx場に拡jした。ここにはインフラの破s的発tがあった。これと同じことを電分野でOy化すれば、x場は爆発する」。東Bj学総括プロジェクト機構兼\術経営戦S学専任教bの阿靂也は、3vGPICシンポジウムでこのように述べた。 [→きを読む]