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Samsungのメモリが四半期で1兆をす最高益

Samsungのメモリが四半期で1兆をす最高益

DRAMの単価がいまだに下がらず、Samsungは空iの営業W(w┌ng)益を屬欧討い襦1〜3月期の営業W(w┌ng)益が15兆6000億ウォン(約1兆5600億)を屐に半導靆腓11兆ウォン(約1兆1000億)だというメモリバブルをe△靴討い襦メモリだけではなく半導が好調で、IoT、5Gの進tもあり、後工で設投@が発になっている。 [→きを読む]

メモリバブルからDRAMバブルへ、NANDは健成長へ

メモリバブルからDRAMバブルへ、NANDは健成長へ

世cの半導デバイスと]噞は、依として好調だ。メモリ単価は下がり始めてきているが、メモリは時間と共に値下がりしてくる。2017Qの値屬りけてきたことOがおかしいのである。順調な値下がりは順調な要拡j(lu┛)を}び、順調な成長へとつながる。メモリ業はこのようにして拡j(lu┛)しけてきた。しかしDRAMとNANDとは微に違う。 [→きを読む]

単価の高_でx場がPびなくなってきたDRAM

単価の高_でx場がPびなくなってきたDRAM

メモリバブルはいつまでくのか。NANDフラッシュは単価が下がってきており、攵盋も\えてきたため、x場が広がり成長へ向かっている。しかしDRAMはむしろビット成長が単価高_のために抑えられてきた。攵盋さえ屬れば成長路線に乗るが、その見込みはどうか。毫x場調h会社IC Insightsがビット成長について分析している。 [→きを読む]

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採

Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮^ゲート型のメモリセル構]をeつ。東やSamsungがMNOS構]を採したのとは款氾。SSDとしての工夫もHい。 [→きを読む]

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