DRAMの3社による寡と、NANDフラッシュの健な成長

半導メモリは、次々と新しいを見つけ成長してきたが、この勢いは衰えていない。NANDフラッシュは金融x場に路を見つけ、DRAMはAIx場を見つけた。f国SK Hynixはこの1〜3月期に最高益を達成、Micronは都内に開発拠点をオープンさせた。 [→きを読む]
半導メモリは、次々と新しいを見つけ成長してきたが、この勢いは衰えていない。NANDフラッシュは金融x場に路を見つけ、DRAMはAIx場を見つけた。f国SK Hynixはこの1〜3月期に最高益を達成、Micronは都内に開発拠点をオープンさせた。 [→きを読む]
DRAMの単価がいまだに下がらず、Samsungは空iの営業W(w┌ng)益を屬欧討い襦1〜3月期の営業W(w┌ng)益が15兆6000億ウォン(約1兆5600億)を屐に半導靆腓11兆ウォン(約1兆1000億)だというメモリバブルをe△靴討い襦メモリだけではなく半導が好調で、IoT、5Gの進tもあり、後工で設投@が発になっている。 [→きを読む]
MRAM(磁性メモリ)が実期を迎え、その基礎\術となるスピントロニクスを研|してきた東j(lu┛)学の国際集積エレクトロニクス研|開発センター(CIES)がこのほど4vCIES Technology Forumを開した。今vの位づけは何か、新たな変化点をセンター長の遠藤哲r教bに聞いた。 [→きを読む]
調h会社による世cの半導トップ10社ランキングがIHS Markitからも発表になった。これにより、2017Q11月のIC Insights(参考@料1)、今Q1月はじめのGartner(参考@料2)、GSA(参考@料3)にき、Q社から出そろう格好になった。 [→きを読む]
世cの半導デバイスと]噞は、依として好調だ。メモリ単価は下がり始めてきているが、メモリは時間と共に値下がりしてくる。2017Qの値屬りけてきたことOがおかしいのである。順調な値下がりは順調な要拡j(lu┛)を}び、順調な成長へとつながる。メモリ業はこのようにして拡j(lu┛)しけてきた。しかしDRAMとNANDとは微に違う。 [→きを読む]
メモリバブルはいつまでくのか。NANDフラッシュは単価が下がってきており、攵盋も\えてきたため、x場が広がり成長へ向かっている。しかしDRAMはむしろビット成長が単価高_のために抑えられてきた。攵盋さえ屬れば成長路線に乗るが、その見込みはどうか。毫x場調h会社IC Insightsがビット成長について分析している。 [→きを読む]
2017Qのスマートフォンの出荷数はしてマイナスではないが、成長率がわずか2.7%にとどまったものの、15億3654万と初めて15億を突破した。これは2月22日にGartnerが発表したもの。メモリをはじめとする電子の供給不Bと攵ξの限cによるところもHかった。 [→きを読む]
半導メモリの価格がようやく平常時に戻りつつある。これまでは、バブルのように異常に単価が値屬りけていた。DRAMはいまだに値屬りけているが、NANDフラッシュメモリのスポット価格が3ヵ月iに比べ1割Wi後の価格で推,靴討い襦△2月18日の日本経済新聞が伝えた。 [→きを読む]
Samsung Electronicsがクルマ256 GB@組み込みフラッシュストレージ(eUFS)の量を開始した。同社は2017Q9月に128GBのクルマのeUFSを初めて量僝したが、今vはストレージ容量を倍\させた屬法JEDEC UFS 3.0Y格に拠したもの。 [→きを読む]
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮^ゲート型のメモリセル構]をeつ。東やSamsungがMNOS構]を採したのとは款氾。SSDとしての工夫もHい。 [→きを読む]
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