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肋灑抨獲ˇ糠IP柴家ˇ籠緩へと僻み叫す染瞥攣緩度

2017年8月14日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

染瞥攣緩度のさらなる喇墓に羹けた肋灑抨獲、糠柴家、欄緩墻蝸の籠動などの瓢きが黎降あった。さらに、セキュリティやAIに灤借するための客亨伴喇の紛茶が魯叫し、モノづくり緩度を寵拉する≈Maker Movement∽のイベントがビッグサイトで倡かれた。すなわち、染瞥攣を網脫する婁も寵拉步してきている。 [ⅹ魯きを粕む]

ST-MRAMは1Gビットに、Everspinがサンプル叫操

2017年8月 9日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷

Everspin Technologies家は、1Gビットという光礁姥のST∈spin torque∷-MRAM∈Magnetoresistive random access memory∷チップのサンプル叫操を幌めた。剩眶の潑年ユ〖ザ〖羹けのチップであり、翁緩は踏年。これまでのST-MRAMの呵光礁姥刨は256Mビットだった。 [ⅹ魯きを粕む]

Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを倡券

2017年7月26日 ∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷

澎記メモリと煌泣輝供眷を鼎銅しているWestern Digitalは、64霖の3D-NANDフラッシュ禱窖を蝗った、4ビット/セルの768Gビット∈96Gバイト∷メモリを倡券した∈哭1∷。驕丸と票じ眶のメモリセルを積つ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ推翁は512Gビット∈64Gバイト∷だったが、これよりも50%籠裁した。 [ⅹ魯きを粕む]

SK Hynixがファウンドリサ〖ビスを倡幌

2017年7月18日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

澎記を傾箭するらしいと聾がれている躥柜のSK Hynixがファウンドリサ〖ビスを倡幌した。7奉10泣に供眷の賴及オ〖プンを券山し、12泣の泣塑沸貉糠使もそれを鼠じた。また、SEMIが2017鉗の斧奶しを券山し、染瞥攣緩度の攻斗さを泣沸や泣沸緩度糠使などが鼠じた。 [ⅹ魯きを粕む]

Inotera禍肝で染瞥攣丁惦稍顱はさらに裁廬

2017年7月11日 ∶輝眷尸老

2017鉗5奉の坤腸染瞥攣任卿馳は、3カ奉の敗瓢士堆猛で漣鉗票奉孺22.6◇だとSIA∈勢染瞥攣供度柴∷が券山した(徊雇獲瘟1)が、5奉帽奉の眶機がWSTSから券山された。それによると、漣鉗票奉孺23.8%籠の316.2帛ドルと帽奉で3カ奉息魯300帛ドルを畝えた。攻拇さは積魯するようだ。 [ⅹ魯きを粕む]

供眷糠肋や籠動のラッシュ

2017年7月 3日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

甫墊凋爬や供眷を侯る瓢きが寵券だ。糙百禱窖が泣塑に供眷を惟て、絡哇泣煥は面柜に供眷、錄拍瀾侯疥は玻賞に甫墊倡券凋爬を、それぞれ侯るというニュ〖スがあった。黎降はAIの鷗績柴が倡かれAI簇息のニュ〖スも驢かった。澎記メモリの卿笛はメドが惟たない。 [ⅹ魯きを粕む]

澎記メモリの卿笛蛤灸黎を3家に瘋年

2017年6月22日 ∶緩度尸老

澎記は候泣、艱涅舔柴を倡き、緩度匙糠怠菇とベインキャピタル、泣塑蠟忽抨獲朵乖からなるコンソ〖シアムを澎記メモリの卿笛に犯わる庭黎蛤灸黎とすることを瘋めた。これは澎記が賴及にニュ〖スリリ〖スとして券山したもの。 [ⅹ魯きを粕む]

Samsung、64霖3D-NANDの翁緩倡幌

2017年6月16日 ∶緩度尸老

Samsung Electronicsが64霖の256Gビット3D-NANDフラッシュメモリの翁緩を倡幌したと券山した。これまでキ〖カスタマ羹けに64霖の256Gビット3D-NANDフラッシュチップを1奉から欄緩していたが、このほどモバイルやストレ〖ジ劉彌など辦忍輝眷羹けに翁緩を倡幌した。 [ⅹ魯きを粕む]

メモリが染瞥攣鏈攣、エレクトロニクス鏈攣をけん苞

2017年5月 1日 ∶降粗ニュ〖ス尸老

染瞥攣緩度の攻拇が魯いている。この1×3奉袋および2016鉗刨の瘋換券山が稱家から券山され、メモリを面看とする染瞥攣メ〖カ〖、染瞥攣瀾隴劉彌メ〖カ〖、シリコンメ〖カ〖など府事み攻度烙が券山された。海攙の染瞥攣の攻拇はDRAMとNANDフラッシュのメモリが染瞥攣緩度、さらには排灰緩度鏈攣をけん苞している。 [ⅹ魯きを粕む]

Intel、3D-Xpointメモリボ〖ドをPC羹けに券卿

2017年4月26日 ∶緩度尸老

Intelが3D-Xpointメモリを蝗ったメモリボ〖ド(哭1)を券卿すると券山した。3D-Xpointメモリは、3D-NANDフラッシュの肌のメモリ瀾墑(徊雇獲瘟1)で、2015鉗に券山された。メモリマトリクスをトランジスタより懼の芹俐撾拌に妨喇し、礁姥泰刨を懼げるというメモリチップだ。 [ⅹ魯きを粕む]

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