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半導が況、2000QITバブル以来の@ぎに

半導が況、2000QITバブル以来の@ぎに

半導噞が好況だ。12月23日の日本経済新聞が報じたように、櫂侫ラデルフィア半導株指数(SOX)はおよそ16Qぶりの高値を新した。フィラデルフィアSOX指数とは、半導関連株のHい櫂侫ラデルフィアD引所が発表している経済指数。2000QのITバブルの時に半導]はピークを迎えたが、今vの動きはそれにる勢い。 [→きを読む]

NANDフラッシュは{J成長するもDRAMが落する2016Q

NANDフラッシュは{J成長するもDRAMが落する2016Q

2016Qはメモリにとって良いQではなさそうだ。毫x場調h会社のIC Insights社は、2016Qのメモリx場は11%になりそうだという見通しを発表した(図1)。にDRAMが19%と最Kで、NANDフラッシュは2%\と成長するが、メモリのBを引っ張るのがDRAMでメモリとしては11%という予Rを導いた。 [→きを読む]

東、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント

東、NANDフラッシュの微細化にナノインプリント

久しぶりに半導のるいニュースが先週~け巡った。東が、微細化\術としてナノインプリント\術を使ってNANDフラッシュを微細化するというニュースだ。6月3日の日本経済新聞が報じたもの。NANDフラッシュは、クラウドストレージ向けにこれから要性が\し、IoTシステムのk環を形成する。クラウドビジネスがIoTとk緒になりAI(人工Α砲砲茲襯如璽寝鮴呂砲きていく。 [→きを読む]

VLSI Symposium、日本\術のT在感

VLSI Symposium、日本\術のT在感

6月13〜17日ハワイで開される2016 Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称、VLSI Symposium)の採Ib文がまった。VLSIのデバイス・プロセスを扱うTechnologyでは、投MP数214の内、採Iされたb文は85P、v路\術を扱うCircuitsでは、375Pの投Mに瓦靴97Pの採Iであった。v路関係の内容はIoTk色である。 [→きを読む]

Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採

Intelの3D-NAND SSDは32層チップを採

Intelは、盜饂間3月31日に開されたCloud Dayにおいて、クラウドx場でのストレージの高]化のため、3D-NANDフラッシュをWしたSSD(半導ディスク)をはじめ、XeonプロセッサE5-2600 v4もセットで発表した。Intelが3D-NANDのSSDを発表したのはこれが初めて。 [→きを読む]

SanDisk、クルマのフラッシュカードに進出

SanDisk、クルマのフラッシュカードに進出

東の四日x工場でNANDフラッシュを攵しているSanDiskがSDカードでZ載分野に進出する。4月には、8GBから16GB、32GB、64GBという容量をeち、最j20MB/sのシーケンシャル書き込み/読み出し性Δ鮗存修掘△靴もW仕様AEC-Q100格の認証をDuしたSDカードを出荷する。動作a度J囲が-40℃〜85℃と広く、O動Zに使えるレベルに達している。 [→きを読む]

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