東、メモリを軸にパワー、システムLSIはM

先週の3月18日金曜日のD(sh┫)、東は「2016Q度業画説会」を開した。仙でのD材を終えると筆vは東Bへとんぼ返りし、説会に参加した。在Bテレビ局が集Tし、テレビカメラがずらりと並んでいた。そのような中、室町志代表執行役社長は、淡々と説会@料を読み屬欧拭F影Samsungが設投@を半するというニュースも入った。 [→きを読む]
先週の3月18日金曜日のD(sh┫)、東は「2016Q度業画説会」を開した。仙でのD材を終えると筆vは東Bへとんぼ返りし、説会に参加した。在Bテレビ局が集Tし、テレビカメラがずらりと並んでいた。そのような中、室町志代表執行役社長は、淡々と説会@料を読み屬欧拭F影Samsungが設投@を半するというニュースも入った。 [→きを読む]
半導チップの出荷個数が2018Qには1兆個を突破しそうだ(図1)。このような予Rを]ち出したのは毫x場調h会社のIC Insights。2015Qの時点で、ICとディスクリートも含めた半導デバイスの出荷個数は8400億個を突破している。 [→きを読む]
「東日本j(lu┛)震uからの復興とは、元に戻すことだけにとどまらない。次への成長を期待できる仕組みを作ることだ」。このような思いを胸に、東j(lu┛)学は「2nd CIES Technology Forum」3月17〜18日、仙で開する。東j(lu┛)学が進めているスピントロニクスW(w┌ng)のMRAMとその応を中心とするテーマで、2日間に渡る。 [→きを読む]
久々に新しい半導メーカーが誕擇靴修Δ澄2012Qに経営破たんしたエルピーダメモリの社長をめたZ本mdが半導新会社「サイノキングテクノロジー」を設立した、と2月22日の日本経済新聞が伝えた。これから開される記v会見の案内が19日にセミコンポータルにも届いていたため、これは、日経が会見iに報じた記といえる。 [→きを読む]
WSTS(世c半導x場統)が2015〜2017Qの半導x場の見通しについて、11月中旬に会議を開き、予[を立て、このほど発表した。これによると2015Qの世c半導x場は、5月時点での見通しのiQ比3.4%\の3472億4800万ドルから下(sh┫)Tし、0.2%\の3363億9200万ドルになると予[する。 [→きを読む]
Samsung ElectronicsがTSV(Through silicon via)を使い、DRAMチップを4_ねた構]のメモリパッケージを9個使った128GバイトのDDR4メモリモジュールの量を開始した。ハイエンドの企業向けサーバーやデータセンター向けのメモリモジュール。 [→きを読む]
ISSCC2016は、IoTk色といえそうだ。噞cからの講演が\え(図1)、しかも日本からの発表が盜颪房,因P数となっている。参加vも60%が噞cから。ISSCCは常に時代の新しいトレンドを採り込み、基調講演はそのトレンドを反映している。アナログ、パワー、ロジック、メモリ、RF、通信v路、プロセッサなどテクノロジーの進化を見ることができる。 [→きを読む]
メモリのIPライセンスビジネスをt開してきたRambusが、ファブレスとしてDRAMチップ販売ビジネスも}Xけることになった。最先端高]DRAMとしてのDDR4格にじたDRAMおよびそれを搭載したメモリモジュールDIMMメモリインターフェースチップをチップセットとして販売する。 [→きを読む]
DRAMの単価が下がり、2015Q2四半期における世cのDRAM売幢Yは、i四半期比4.8%の114億ドルに下がるk(sh┫)(参考@料1)、モバイルDRAMは逆に同7.7%\で成長している(参考@料2)。このような調hT果をTrendForce傘下のDRAMeXchangeが発表した。トップ5社ランキングも掲載している(表1)。 [→きを読む]
8月4日に東が48層積層の256Gビット3D NANDフラッシュの開発をアナウンスした矢先、Samsungは同じように48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量を始めたというニュースが飛び込んできた。盜颯汽鵐織ララで開かれたFlash Memory Summit 2015でらかにしたもの。 [→きを読む]
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