IntelとMicron、クロスポイント型不ｧ発性メモリをサンプル出荷へ
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと�}ぶ）�\術と�@��けたこの不ｧ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ�]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え�v数が1000倍�Hいという。 [→��きを読む]
メモリ
SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ
![SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ](/assets_c/900px/150512-flashstorage.png "SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ")
書込みレイテンシが15µs、とストレージ����としては3ケタ高�]のフラッシュストレージ����(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を�mめることができる�屐▲好肇譟璽犬修里發里��]度を�f�屬欧垢襪海箸砲覆蠅修Δ澄� [→��きを読む]
SPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が��した3D-ICの現実解
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が3月25日、開��された(図1)。高集積化の�}段をこれまでの微細化だけではなく、�eに積み�屬欧��擬阿皺辰錣襪噺�て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は��実に進んでいる。 [→��きを読む]
3D-NANDの����発表相次ぐ
先週��、東��が3D-NANDの����を発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内に�e�妓�にメモリを直�`接��した構�]で、リソグラフィを�H少緩くしても容量を�屬欧蕕譴襦�ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構�]に�jきな差があった。 [→��きを読む]
東��、ついに3D-NANDフラッシュを����化、BiCSを採��
東��が48層のNANDフラッシュメモリを3月26日からサンプル出荷すると発表した。128Gビットの����で2ビット/セル構�]を�eち、当社の3次元メモリBiCS�\術で�攵�する。これはモノリシックにメモリセルを�eに積み�屬欧��擬阿如△い錣罎�3D-ICとは違う。 [→��きを読む]
SSDより�]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷
![SSDより�]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷](/assets_c/900px/150319-violinflash.png "SSDより�]いフラッシュストレージをViolin Memoryが出荷")
NANDフラッシュを�j量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位�t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、�j量に使われることを�T味する。これまでは�]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメイン����だった。 [→��きを読む]
TSVを使った新型メモリHMCの詳細がまもなく��らかに
DRAMのデータレート（バンド幅）を1ピン当たりDDR4の8.5倍�]いHMC（Hybrid Memory Cube）の���Sが��らかになった。HMCは、TSV（Through Silicon Via）を使ってDRAMチップを�eに積み�屬欧�3D-ICの�k�|で、基地局やデータセンターなどに向け消�J電��を�屬欧困帽��]性を�uるRAMメモリである。詳細は3月25日に開��されるSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」で��らかになる。 [→��きを読む]
NANDフラッシュ、�j�}トップ3社を下位3社が�{いかける
NANDフラッシュの2014�Q��4四半期でのトップ6社が�i四半期比2%�\の87億4620万ドルになったとDRAMeXchangeが発表した。1位Samsungから6位のIntelまでの順位に変わりはないが、下位3社が�i期比で2桁成長を��し、�岼�3社を�{い�屬欧討い襦平�1）。 [→��きを読む]
「ダブルパターニングが曲�v」を露呈したFinFET�\術のSPIフォーラム
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東�B御茶ノ水で開��された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのような�e型メモリといったプロセスの3次元化を採り�屬欧拭�2014�Q12月のIEDMでもFinFETが�jきなトピックスを��めたようだ。 [→��きを読む]
10〜12月期の四半期���Qが��らかに、半導��の好調��く
半導���噞の好調が依��として��いている。この2014�Q10〜12月期の四半期���Qが��らかになり、半導��メーカーだけではなく、関連材料メーカーやテスターメーカーも好調という�T果が出ている。東��、ルネサス、信越化学、JSR、ディスコ、アドバンテストの四半期���Qが相次いで報�Oされた。 [→��きを読む]
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