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DRAMのビット成長率、20%時代に突入

DRAMのビット成長率、20%時代に突入

DRAMのビット成長がらかに鈍ったことを、x場調h会社IC Insightsがレポートした。1995〜1999Qには83%のQ平均成長率(CAGR)だったが、2010Qから2014Qに至る最Zの5Q間には36%に少する。ただし、2014Qは見込みである。 [→きを読む]

Qualcomm、60GHzのWi-Gi企業をA収、802.11b/g/n/ac/adチップ実現へ

Qualcomm、60GHzのWi-Gi企業をA収、802.11b/g/n/ac/adチップ実現へ

先週、Qualcommが、60GHzのWi-Fi格である、IEEE802.11ad(別@WiGig)を}に入れたというニュース発表があった。LTEの耀uにもアグレッシブに動く同社が今v、数Gbpsという常に高いデータレートをサポートする60GHz帯の企業WilocityをA収した。咾だ長分野をますます咾するQualcommはめけている。 [→きを読む]

NANDフラッシュの勢図に変化あり

NANDフラッシュの勢図に変化あり

2014Qの1四半期におけるNANDフラッシュの売り屬欧任蓮1位のSamsungが21億7500万ドル、2位の東は15億4770万ドル、3位のSanDiskは13億6700万ドルであった。これは、シンガポールを拠点とするメモリのx場調h会社DRAMeXchangeが発表したもの。 [→きを読む]

LEAP、FPGAスイッチ、STT-MRAM、TRAMをVLSI Sympoで発表

LEAP、FPGAスイッチ、STT-MRAM、TRAMをVLSI Sympoで発表

盜饂間6月10日からハワイで開かれる2014 Symposia on VLSI Technology and CircuitsでLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)が3|類のメモリを発表する。FPGAのスイッチとして使う「原子‘扱織好ぅ奪船妊丱ぅ后廚STT-MRAMのk|「磁性変化デバイス」、PCRAMのk|「相変化デバイス」である。 [→きを読む]

東、3次元NANDフラッシュ専の設導入に投@

東、3次元NANDフラッシュ専の設導入に投@

東が四日x工場の2棟を建てえ、3次元構]のNANDフラッシュの専設△鮴する拡張スペースを確保する、と5月14日のプレスリリースで発表した。その日の朝、日本経済新聞は、1Tビットを5Q以内に]すると報じている。東はSanDiskと共同で投@を行い、合5000億の投@になると日経は伝えている。 [→きを読む]

2014Q1Qの世c半導トップ20社ランキング

2014Q1Qの世c半導トップ20社ランキング

2014Q1四半期(1〜3月)の世c半導20社ランキングを、盜驂x場調h会社のIC Insightsが発表した。最新のランキングデータである。スマホ向けチップメーカーは相変わらず好調、パソコンおよびサーバ向けマイクロプロセッサを攵しているIntelとAMDも共にプラス成長を記{した。 [→きを読む]

直Zでは値下がりあるもスマホNANDフラッシュの好調く

直Zでは値下がりあるもスマホNANDフラッシュの好調く

スマートフォンx場に向けた半導は好調がいている。NANDフラッシュメモリメーカーの東の業績が餮譴辰討い。4月10日の日経噞新聞は、「2013Q10〜12月期の3ヵ月だけで約500億の営業W益をnぎ、来月発表予定の14Q1〜3月期Qでも500億にZい水のW益をnぐ見通し」と報じた。 [→きを読む]

2013Qの世c半導ランキング、出荷Yが確定、Micronが5位に躍進

2013Qの世c半導ランキング、出荷Yが確定、Micronが5位に躍進

2013Qの世c半導販売Yランキングが確定した。これはx場調h会社のIC Insightsが発表したもの(表1)。これまで昨Qの11月に発表された2013Qランキング(参考@料1)はあるが、見込みの出荷Yであり今vは実績値である数Cにはファウンドリの出荷Yも含まれているため、合Yは半導のx場模をvることにRTする要がある。 [→きを読む]

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