DRAMの平均単価が�峺�、�Q間では�i�Q比28%�\の�x場に
DRAMの平均単価ASP（average selling price）が2010�Q��4四半期レベルにまで戻った。2013�Q��1四半期の1.97ドルが��2四半期には2.42ドルになり、以�Tの��3四半期、��4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルと�x場調�h会社のIC Insightsは予�Rしている。 [→�きを読む]
メモリ
日本の半導�����]���メーカー、世�cでも顧客満�B度依�として高い
![日本の半導�����]���メーカー、世�cでも顧客満�B度依�として高い](/assets_c/900px/130617-equipmentmakers.png "日本の半導�����]���メーカー、世�cでも顧客満�B度依�として高い")
日本の半導�����]���メーカーは世�c�x場で依�、健�hしている。VLSI Researchが行った半導�����]・検�h����j�}の顧客満�B度調�hでは、日本企業が�岼�10社中6社を�めている、と6月17日の日経�業新聞が伝えた。先週は、設��愀犬離縫紂璽垢�羈單�犬泙辰討い�。また、NANDフラッシュの新�x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→�きを読む]
LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、�ビット動作確認
NEDO（新エネルギー･�業�\術総合開発機構）とLEAP（�低電圧デバイス�\術研�|組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から�B都で開�されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→�きを読む]
�嗄�鋪��Wの影�xで、2013�Qの世�c半導���x場は2.1%�\に下�巨T�
世�c半導���x場統�（WSTS）が2013�Qの半導���x場見通しを、�i�v(2012�Q11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下�巨T�した。この最�jの理�yは、��Wによってドル換�Qでの日本の�x場��模が�jきく押し下げられたためである。もし、為��譟璽箸��く変わらなかったと仮定するなら、今�vの予�Rは��Q��4.0%�\になる。 [→�きを読む]
パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�垢訶纏匏Q社
![パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�垢訶纏匏Q社](/assets_c/900px/130527-mobileshift.png "パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�垢訶纏匏Q社")
パソコンからモバイルへの動きが加�]している。先週のニュースはこの動きを見�に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基�、モバイル通信インフラ、�てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→�きを読む]
Spansion社長に富士通のマイコン・アナログ�業�P入の狙いを聞く
John Kispert���CEO Spansion Spansionが富士通のマイコンとアナログの�業�靆腓�A収することが�まった。�業�靆�1億1000万ドル、�^卸�@�6500万ドルの合�1億7500万ドル（約175億�）で富士通から�A収する。Spansion CEOのJohn Kispert��(図1)にその狙いを聞いた。 [→�きを読む]
IBM、フラッシュストレージの新��開発に10億ドルを投�@、東�はどう出る？
IBMはフラッシュメモリシステムを新たに開発するために10億ドルを投�@すると発表した。�`的はサーバやストレージシステム、ミドルウエアの����ポートフォリオを拡張するため��靴靴ぅ侫薀奪轡絅愁螢紂璽轡腑鵑鬚海譴蕕冒箸濆�爐燭瓩寮濕�、���]などの研�|開発を�膿覆垢襦� [→�きを読む]
