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Samsung、32Gビット DRAM開発で、実∨,12nm級と表現

Samsung、32Gビット DRAM開発で、実∨,12nm級と表現

Samsung Electronicsが12nm級の微細化\術を使って32GビットDDR5 DRAMを開発した。実∨,12nmという表現を半導メーカーがしたことはこれが初めて。これまでメモリメーカーは20nm以下のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1〜2nmずつ刻んできた。ロジックメーカーは、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと}んできたが、実∨,14〜13nmでVまったままだ。 [→きを読む]

共鳴トンネリングをW(w┌ng)する新不ァ発性RAMで英ベンチャーが最優秀賞をp賞

共鳴トンネリングをW(w┌ng)する新不ァ発性RAMで英ベンチャーが最優秀賞をp賞

フラッシュメモリの国際会議であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory startup靆腓悩罵ソ┥泙魃儿颪離好拭璽肇▲奪Quinas Technologyがp賞した(図1)。この新型メモリは量子学的な井戸型ポテンシャルの共鳴トンネル現(j┫)をW(w┌ng)して電荷を出し入れする(sh┫)式のデバイス。Quinasは英ランカスターj(lu┛)学の発を業化する企業。 [→きを読む]

インドでの半導集積基地が現実的に

インドでの半導集積基地が現実的に

デリスキング(De-risking:脱中国)への動きから、インドに半導集積基地を作ろうとするインドBの}びかけに箴o国が応じている。インドBは日殤携の覚書を交わした。盜颪Applied MaterialsやLam Research、Micronなどが早]インドへの投@を啣修垢襦ディスコもインド拠点を検討する考えをし、VL@密工業がApplied Materialsと組んで半導]をインドで作る。 [→きを読む]

メモリは2023Q2四半期も悲惨だが、光も見えた

メモリは2023Q2四半期も悲惨だが、光も見えた

Samsung、SK Hynixの2023Q2四半期(2Q)Qが発表になった。それぞれ営業益は、4兆3600億ウォン、2兆8820億ウォンのj(lu┛)幅なCとなった。メモリはファウンドリと比べるとキズは深い。逆に好調なときはファウンドリよりW(w┌ng)益がj(lu┛)きい。またZい(j┤ng)来、SEMICON Indiaが開されそうになってきた。その△進んでいる。 [→きを読む]

未来Z載コンピュータ向けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル出荷

未来Z載コンピュータ向けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル出荷

クロックの立ち屬りとT下でトリガーをかけるLPDDR(Low Power Double Data Rate)\術は、これまでDRAMの高]化\術であった。これを高]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いはZ載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍]いという。 [→きを読む]

先端トランジスタ、先端パッケージングが出する2023 VLSI Sympo

先端トランジスタ、先端パッケージングが出する2023 VLSI Sympo

6月11日からB都で開されるVLSI Symposiumのプログラムがまった。投Mb文数はこの10Q間で最Hの359P、採I数は123P、採I率は34%となった。2017Qからv路とプロセスがk化したVLSI Sympoだが、2023Qのテーマは「e可Δ別ね茲里燭瓠VLSIデバイス\術とv路\術を再始動」である。FinFETの次となるGAAやCFET、など新トランジスタ\術や裏C電源\術などの実\術がBになりそうだ。 [→きを読む]

Gartner、世c半導メーカーの2022Q確定値ランキングを発表

Gartner、世c半導メーカーの2022Q確定値ランキングを発表

2022Qの世c半導メーカーのランキング確定値をx場調h会社のGartnerがこのほど発表した。これによると1位Samsung、2位Intelはこれまでと変わらないが、3位にはiQ比27.4%成長したQualcommが入った。逆にメモリメーカーはてマイナス成長となった。メモリはj(lu┛)量攵ビジネスだけに好不況の影xを咾pける。 [→きを読む]

Samsungが20Q間で31兆投@、菱電機は8インチのSiCラインに投@

Samsungが20Q間で31兆投@、菱電機は8インチのSiCラインに投@

Samsungがf国内に今後20Q間で300兆ウォン(約31兆)を投じ、新たな半導攵妌場を設立すると表した。また、日本ではf国との懸案項であった半導材料3`の輸出管理を緩和すると経済噞省が発表した。また、菱電機はy本のパワー半導工場において1000億を投@、SiCのための新棟を建設する。InfineonがZ載マイコンでUMCと長期契約した。 [→きを読む]

Micron、1β nmノードの64GビットのDDR5x-DRAMをサンプル出荷

Micron、1β nmノードの64GビットのDDR5x-DRAMをサンプル出荷

Micron Technologyが1β nmプロセスノードで]した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル出荷を開始した。Micronが述べる1β nmプロセスノードは、13nm以下のプロセスノードだという。12〜13nmとの見(sh┫)もある。リソグラフィパターニングの実現には、]浸マルチパターンニングをいており、EUVはいていない。]はまず東広工場で行う。 [→きを読む]

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