2024�Qにおけるシリコン半導��ウェーハの出荷�C積が�i�Q比2.7%��の122億6600万平�汽ぅ鵐舛世辰燭�SEMIが発表した。その�Qのウェーハ売�幢Yは同6.5%��の115億ドルだった。出荷�C積の��少よりも出荷売�幢Yの��少の�気��jきいということは、在�U調�Dがゆっくりで、ファブの�n働率を�屬欧襪茲Δ塀j量�攵����`のデバイス��要が弱かったことを�T味する。 [→��きを読む]
JEITA（電子情報�\術�噞協会）が12月19日に発表した世�cの電子機�_とソフトウエアやソリューションを合わせた電子情報�噞の�x場は、2025�Qに�i�Q比8%�\の3兆9909億ドルになる。TSMCの�y本工場が�n働し始めているが、九�Δ又�々半導��プロセスに使う����や材料の企業が��々集まっている。ラピダスにEUV����が入り始め、関連企業もEUVに�△┐討い襦�キオクシアは18日、東�B証�w�D引所の東証プライム�x場に�崗譴靴拭� [→��きを読む]
�噞�\術総合研�|所がEUVリソグラフィを導入して5nm以下のプロセス開発を�мqする、と22日の日本経済新聞が報じた。これはIntelとの共同で�D�△垢訐菽屡焼���の研�|開発拠点に導入する。1000億��を投じるという。�k�機�日本にファウンドリ工場を新設するとしていた��湾のPSMCがSBIとの提携解消について理�yを述べている。また、QualcommとArmとの係争が��化している。 [→��きを読む]
メーカーとサプライヤとの関係がひっくり返る��例がNvidiaとTSMCとの間に見られる。これまではファブレス半導��としてのNvidiaが設��したチップをTSMCが���]するという関係だった。今度はTSMCがメーカーとなり、プロセス中によく使うリソグラフィ工��でより��確なマスクを作��するための���Qに、サプライヤであるNvidiaのGPUを�W��するのだ。 [→��きを読む]
IEDM（International Electron Devices Meeting）2024の内容が��らかになった。70周�Qを迎える今�Qは、「��日の半導���\術を形作る」という����テーマで、基調講演、�k般講演だけではなく、フォーカスセッションやチュートリアル、ショートコースなど270�Pの講演が予定されている。例�Q通り�櫂汽鵐侫薀鵐轡好海離劵襯肇鵐曠謄襪�12月7日から開��される（図1）。 [→��きを読む]
�噞�\術総合研�|所は、ペロブスカイト構�]の�陵枦澱咾亮唾�化に向け、�O動作��システムを試作した。ペロブスカイト�陵枦澱咾蓮∧儡晃�率がシリコン以�屬旅發じ�率を��す試作は�Hいが、バラつきが�jきいと共に、経時変化が�jきく劣化しやすい、�j�C積が�Mしいなどの問��が�兩僂漾�少しでも�}作業による作��ではなく�O動機によってバラツキを��らす狙いで����を開発した（図1)。 [→��きを読む]
リソグラフィ最�j�}ASMLはIntelのオレゴン工場にHigh-NA（Numerical Aperture：開口数）のEUV����を初出荷したが、�L外複数のメディアによると、早くも次のHyper-NAのEUV����開発が始まりそうだ。��来のEUV����のNAは0.33でHigh-NA����は0.55、そしてこれから開発するHyper-NAは0.75となり、これまで以�屬鉾�細加工が可�Δ砲覆襦� [→��きを読む]
MEMS（Micro Electro-Mechanical Systems）の国際会議「The 15th MEMS Engineer Forum」が先月、東�Bで開��された。MEMSデバイスは、加�]度センサ・圧��センサからマイクロフォン、RFフィルタ、��音�Sトランスデューサなどさまざまな応��に使われてきた。欧��勢は、�O動�Z�x場やスマホ�x場などでMEMSデバイスを発�tさせた。次のMEMSデバイスは何か。 [→��きを読む]
TSMCは2024Technology Symposiumをカリフォルニア�Ε汽鵐織�ララで開��、2nmの次の1.6nmに相当する�\術を発表した。先週、2024�Q��1四半期(1Q)における�Q社の���Qが発表された。Intel、SK hynix、ルネサスエレクトロニクス、ソシオネクストなどが���Qを発表。�收�AI向けの学�{ソフトを軽くするという動きもあり、AIプロセッサを集積するSoCへの期待が膨らむ。 [→��きを読む]
VLSI Symposium（��式�@称：2024 Symposium on VLSI Technology and Circuits）2024の��要が��まった。今�vの��長は、投�M�b文数、採���b文数ともここ10�Qで最も�Hいことだ。��に�f国からの採���b文が最も�Hく、Technology、Circuitsを合わせた��採���b文232�Pの内、54�Pと���櫃汎運瑤砲覆辰拭平�1）。次に�Hいのが中国（37�P）、そして欧�Α�36�P）、��湾（26�P）、日本（18�P）、シンガポール（8�P）、インド（1�P）となった。 [→��きを読む]
