東�Bエレクトロンの東会長、統合の�T�Iを語る
東�Bエレクトロンの代表�D締役会長兼社長の東哲�r��が��25�vファインテックジャパンの基調講演において、Applied Materialsとの経営統合の発表があって以来、初めて�o式の場で、その�T�Iについて語った(図1)。 [→��きを読む]
プロセス
SPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が��した3D-ICの現実解
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」が3月25日、開��された(図1)。高集積化の�}段をこれまでの微細化だけではなく、�eに積み�屬欧��擬阿皺辰錣襪噺�て、企画した。システムから見た3D、ブームになりそうなFO-WLP、実際にメモリシステムを構成するHMC、など現実解は��実に進んでいる。 [→��きを読む]
LEAPの成果報告、どう����するか、問われる参加企業
��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）のプロジェクト「低炭素社会を実現する��低電圧デバイスプロジェクト」は平成22�Q度から本�Q度までの5�Q間に渡って研�|されてきた。LEAPが主��する「��4�v 低炭素社会を実現する��低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」がこのほど開かれ、その開発されたデバイスが披露された。 [→��きを読む]
EUVリソが量��に向け進歩、TSMCが1000��/日、ギガフォトン140W
EUVが��実に進歩している。��湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィ����を使って、1日に1000��以�屐∀�光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松��作所の100%子会社)は半導��量��レベルに�Zい140W、デューティ比50%で連��運転を達成したと発表した。 [→��きを読む]
「ダブルパターニングが曲�v」を露呈したFinFET�\術のSPIフォーラム
セミコンポータル主��のSPIフォーラム「3次元プロセスの壁とソリューション」が1月30日、東�B御茶ノ水で開��された。ここでは、16/14nm時代から本格的に導入されるFinFETや、NANDフラッシュのような�e型メモリといったプロセスの3次元化を採り�屬欧拭�2014�Q12月のIEDMでもFinFETが�jきなトピックスを��めたようだ。 [→��きを読む]
2014 IEDMのミステリーを解きほぐす
2014 IEDM（International Electron Devices Meeting）での�jきな問��は、IC業�cが��来に向けてどこに向かっているのかを��確にすることだった。 [→��きを読む]
B/Bレシオ、1.33への�\加が好ましくない理�y
2014�Q11月における日本��半導�����]����のB/Bレシオは、1.33となった。これはSEAJ（日本半導�����]����協会）が発表したもの。3ヵ月の�‘以振冀佑世�、11月の�p�R�Yは、�i月比7.3%�\の1157億2600万��、販売�Yは同10.0%��の871億2600万��となった。 [→��きを読む]
300mmウェーハ工場の�攵��ξ�、�f国・�盜餞覿箸暴乎罅�6割以��
300mmウェーハ工場を�eつ企業の地域別�攵��ξ�のシェアを�歡��h会社のIC Insightsが発表した。これによると最もシェアが高いのは�f国企業で35%、次が���櫃�28%、3番�`が��湾企業21%、日本企業は14%という�T果になった（図1の��）。 [→��きを読む]
TowerJazz、パナソニックとの合弁��業を�o開
イスラエルを本社とするTowerJazzグループがパナソニックとの合弁によるファウンドリ会社TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.（TPSCo：パナソニック・タワージャズセミコンダクター）を4月に設立、このほどそのビジネス内容を��らかにした。同社CEOのRussell Ellwanger��(図1)がTPSCoによる����ポートフォリオの拡�j、さらなるビジネス拡�jについて��らかにした。 [→��きを読む]
LEAP、不ｧ発性メモリTRAMの設��指針を確立
��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）は、Te（テルル）を使うカルコゲナイド材料を��格子に積層させた�B�^型メモリであるTRAMの理�bモデルを構築、性�Δ箴嫡J電��向�屬里燭瓩寮濕�指針を確立した。これをIEDM（International Electron Device Meeting）でレポートした。 [→��きを読む]
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