次世代TFET、共鳴TFET、finFETFDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導の発表がさまざまな研|所、j学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流のAを峻にできるというメリットがあるため、Q社はこれを擇し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→きを読む]
IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導の発表がさまざまな研|所、j学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流のAを峻にできるというメリットがあるため、Q社はこれを擇し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→きを読む]
世cのエコシステムをどうやって構築していくか、これをテーマにしたパネルディスカッション(図1)がSEMICONジャパンの会場で行われた。主vのGSA(Global Semiconductor Alliance)は、世c中の半導および半導関連企業のトップが集まる人脈ネットワークで、業の拡jと業cの発tに貢献することを最jの狙いとした団だ。 [→きを読む]
相変化メモリがRAMとして使える可性が出てきた。低電圧デバイス\術研|組合(LEAP)は、T晶AとT晶Bの,世韻覗蠹,任る原理をWしたメモリを開発し、1億vをえる書き換えv数をuた。これ以屬僚颪換えテストは時間がかかりすぎるため、中Vしたという。 [→きを読む]
先週、SEMICONジャパン2013が開された。tは、幕張メッセのホール1〜6で行われ、国際会議場でセミナーが開かれた。業cでR`された東Bエレクトロン(TEL)とApplied Materialsとの業統合についての作業に入っているという発表があった。 [→きを読む]
ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。k見関係のない言だが、半導のプロセスがITデータセンターの\術と今、深くTびついている。AEC/APCレポート(参考@料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDとき換わる堙牢にある。 [→きを読む]
Intelがファウンドリビジネスに参入することを式に表した。11月23日の日本経済新聞が伝えたものだが、盜饂間21日にIntelは業説会を開した。11月24日の日曜日には、東j学を中心にMRAM開発を日欟ζ韻燃発するというニュースを日本経済新聞が報じた。久しぶりに半導でjきなトピックスが出した。 [→きを読む]
2013Q10月における日本半導]のB/Bレシオが先月の1.25をjきくえ、1.59という値になった。だからといって、文句なしに好況に向かうというlではない。pRは相変わらず峺きだが、販売Yが落ちたために見かけB/Bレシオがjきく屬っただけにすぎないからだ。 [→きを読む]
2013Q3四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i期比で2%の23億4100平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函SEMIは発表した。これはiQ同期比でも2%である。長期的に見て、このところシリコンのC積は、ややB踏みXにある。 [→きを読む]
IntelがIoT(Internet of Things)の分野に参入した。先月、Internet of Things Solution業陲鮨契漾△海里曚彬霙垢Jim Robinson(図1)らが来日した。IoTといえばセンサや小さな端の気勃`が行きがちだが、Intelの狙うのはもっと岼未離轡好謄爐澄 [→きを読む]
半導]におけるプロセスパラメータがあまりにも膨jになり、まるでビッグデータそのものの扱いと同様な分析法が求められるようになりつつある。さまざまな検索データや通信ログ、などの膨jなデータをクラウド屬能萢するビッグデータの解析}法が、半導プロセスのデータにそっくりそのまま当てはまるのである。 [→きを読む]
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