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先端パッケージング�\術開発の鍵を�曚襪里録雄燹△弔�个�TSMCが言及

$先端パッケージング�\術開発の鍵を�曚襪里録雄�、つくばのTSMCが言及$

2024年3月18日｜週間ニュース分析

�i工�でも後工�でもない「中工�」と言われる先端パッケージング�\術を、つくばにあるTSMCジャパン3DICセンターが徐々に��蕕�砲靴討い�。またToppanがサブストレート基�の工場をシンガポールに新設する。2.5D/3D-ICなどの先端パッケージはクルマでも採�されそうだ。ASRA（�O動�Z�先端SoC�\術研�|組合）の狙いはチップレット。 [→�きを読む]

驚きの67%という営業�W(w┌ng)益率のNvidiaと、ファウンドリに賭けるIntel

2024年2月26日｜週間ニュース分析

先週は半導��にとって�jきな出来�が3�P�きた。�kつは、Nvidiaの2024�Q度��4四半期（2023�Q11月～24�Q1月期）の��Q発表があり、Intelを�sいて世�c半導��のトップに躍り出たこと、二つ�`はIntelがイベントを開�、AI時代のシステムファウンドリになると�x言したこと、�つ�`はTSMCが�y本県��枋�坊暙澆鮟�┐�JASM（Fab23）が完成し、開所式を行ったことだ。 [→�きを読む]

低コストのGe-on-Si半導��基��\術を東洋アルミが開発、GaAs半導��を�W価に

$低コストのGe-on-Si半導��基��\術を東洋アルミが開発、GaAs半導��を�W価に$

2024年2月16日｜�\術分析（プロセス）

Si基��屬�Ge層を�]時間で�W価に作��する��(sh┫)法を東洋アルミニウムが開発した。Ge層の厚さを�O�y(t┓ng)に変えられるだけではなく、ストイキオメトリ（化学組成）も�U御できる。今のところ高価なGaAs�U半導��向けの基�としての�Oを提案している。�W価な�陵枦澱咾�Siフォトニクス、スピントロニクスなどの基�材料への応�を狙っている。 [→�きを読む]

Intelが4nmプロセス�攵凮始、TSMCは3D・先端パッケージの設�ツール開発

2023年10月 2日｜週間ニュース分析

この週�、IntelとTSMCから先端テクノロジー2�Pの発表があった。IntelはアイルランドのFab34で進めてきた、4nmプロセス相当の「Intel 4」プロセスの�攵�インが完成したというニュースであり、TSMCは3D-IC向けの設�を容易にするツール「3Dbox 2.0」の発表である。Intel 4はTSMCに�{いつきつつあることを�し、TSMCは3Dbox 2.0で先端パッケージ�\術のリードを狙う。 [→�きを読む]

ラピダスの進�t、社�^200�@確保、高圧ガスは�L�嵳∩��

2023年9月11日｜週間ニュース分析

半導��業は�々と進んでいる。ラピダスの進�t�X況について、9月8日の日経�業新聞が報じている。9月1日に��L�O�h歳�xで�工式を行ったときに日経が�D材して報じたもの。また、半導��業に�Lかせない�\術�vをはじめとする人材の�啣什�砲弔い栃＜K県が��(sh┫)針を�]ち出し、��L�Oでも議�bが始まっている。 [→�きを読む]

IntelがTowerと新提携、微細化ノードからパワー/アナログノードまで揃う

2023年9月 6日｜�業分析

IntelがTower Semiconductorを�A収するという�Bは中国当局の�可が�uられず破�iとなったが、逆にIntelとTower両社の間で相互にファウンドリ同士での�Tび��韻�咾瓩鞫T果となった。Intelは最先端の微細化工場を運営しており、Towerは65nm以�屬離僖錙爾筌▲淵蹈鞍焼��を�攵�てきた。両社の関係�啣修凌靴燭閉鷏箸聾楜劼縫錺鵐好肇奪廚任離機璽咼皇鷆，砲弔覆�襦� [→�きを読む]

シリコンウェーハの出荷�Y、23�Qは7%�だが24�Qは8%�\へ

$シリコンウェーハの出荷�Y、23�Qは7%�だが24�Qは8%�\へ$

2023年7月21日｜�x場分析

2023�Qのシリコンウェーハの販売�Yは、半導��不況の影�xを�pけ、�i�Q比7%�という数�Cが見込まれているが、2024�Qには�v復し�i�Q比8%成長で戻ってくると期待されている。これは、半導��材料専門の�x場調�h会社であるTechcet社が最新のレポートで予�[したもの。 [→�きを読む]