プロセス

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欧�Δ�100億ユーロ��画、�盜颪�450mmを本格化、先端半導��開発を推進

 2013年7月 4日 ｜�噞分析

欧�Δ�100億ユーロの半導��開発プロジェクトを発表、�盜�VLSI Researchは450mmウェーハの����開発が300mmの時よりもずっと少ない金�Yで開発できるというレポートを発表した。英国からも電子�噞を主���噞に育てようというレポートが出た。先端半導��の開発��画が欧�櫃���発になっている。 [→��きを読む]

1チップMEMS CMOS ICのクロック発�昊_をSiLabsが����化

 2013年7月 3日 ｜�\術分析（半導������）

Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを����化した。MEMSラストのプロセスで���]、振動子としてSiGe薄膜を��いたことでSiよりも機械的�單戮��咾�、��冷･���Xや衝撃にも�咾い燭瓠◆�20ppmの周�S数�W定性を10�Q間保証する。 [→��きを読む]

モバイル端��にけん引され、半導��・FPDとも日本�����]����は好調

 2013年6月25日 ｜�x場分析

SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した、2013�Q5月における日本��半導�����]����の1.17というB/Bレシオ（販売�Yに�瓦垢��p�R�Yの比）は、�p�R�Yが�\え��けている好調さをよく表している。昨�Q10月を�fとして、�p�R�Yは�Pび��け、5月には1�Qぶりに1000億��の�j��に乗った。 [→��きを読む]

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

 2013年6月19日 ｜�\術分析（プロセス）

Mooreの法�Г離謄�ノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC����Stratix、ミッドレンジのArria����を現在最先端の28nmプロセスで�攵�しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変��する�疑砲鯣�表した。�����@はいずれも10シリーズと命�@している(図1)。 [→��きを読む]

日本の半導�����]����メーカー、世�cでも顧客満�B度依��として高い

 2013年6月17日 ｜週間ニュース分析

日本の半導�����]����メーカーは世�c�x場で依��、健�hしている。VLSI Researchが行った半導�����]・検�h�����j�}の顧客満�B度調�hでは、日本企業が�岼�10社中6社を��めている、と6月17日の日経�噞新聞が伝えた。先週は、設��関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新�x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→��きを読む]

10nmプロセスでIBMと協業するUMC、微細化で���]��争��を�啣�

 2013年6月14日 ｜�噞分析

UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの�\術開発アライアンス（Technology Development Alliances）グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス�\術を開発する。 [→��きを読む]

2013�Qの世�cの半導��設��投�@は2%�\だが、14�Qは23%�\以�屐�SEMI予�R

 2013年6月14日 ｜�x場分析

2013�Qの半導��設��投�@総�Yは���i�Q比2%�\の325億ドルになりそうだ、という予�RをSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導��LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も����としている。 [→��きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、��ビット動作確認

 2013年6月12日 ｜�\術分析（デバイス設��& FPD）

NEDO（新エネルギー･�噞�\術総合開発機構）とLEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から�B都で開��されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→��きを読む]

UMC、日本のIDMにはカスタマイズで�官�

 2013年6月11日 ｜経営�vに聞く

P. W. Yen��、��湾UMC社 CEO ��湾��2位のファウンドリ企業であるUMC。2012�Qの世�cのファウンドリ企業においてはそれまでの��2位から4位に��いた。今�Qは巻き返しを図る。来日したCEO（最高経営責任�v）のP. W. Yen��にその狙いを聞いた。 [→��きを読む]

EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（3）〜レジスト

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�uていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]

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