SMIC、TSMCともTowerJazzとも違う独�O戦�Sを��らかに
中国のファウンドリSMICがその最新�X況について��らかにした。かつてDRAMメーカーの�\���мqという形のファウンドリをやっていたが、浮き沈みの��しいDRAMに引きずられ業績も浮き沈みが��しかった。6〜7�Q�iにDRAMから����し、ロジックや�\���мqでNANDフラッシュも�}�Xける。そのポジショニングを��らかにする。 [→��きを読む]
プロセス
日本��・������の半導�����]����、共に成長��く
![日本��・������の半導�����]����、共に成長��く](/assets_c/900px/170831-semiseaj.png "日本��・������の半導�����]����、共に成長��く")
日本��・������の半導�����]����の7月販売実績が出そろった。共に高い水��の金�Yを維�eしている。SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）とSEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した販売�Yは、それぞれ�i�Q同月比32.8%�\の22億6800万ドル、同49.9%�\の1617億4900万��となった。 [→��きを読む]
AMATも東�Bエレクトロンも絶好調
Applied Materialsが半導��景気の好調を�pけ、2017�Q度��3四半期（5~7月）の売�幢Yは、創立以来、最高�Yの37億4000万ドルを記�{したと発表した。�i�Q同期比33%�\であり、これで5期連���\収ということになり、ずっと��肩�屬�りの成長を��けている。 [→��きを読む]
半導��の成長は�Vまると見誤った理�y
7月19日に、セミコンポータルでは、チュートリアルセミナー「�x場・統��データの見�機廚魍���した。ここでは、統��データの数�Cが同じでも、見せ�気砲茲辰討論�長�噞と見えなくなることを議�bした。10�Q�i、「半導��はもう成長�噞ではない」と語る人たちがいた。半導���噞から�`れていった企業もあったが、再び戻ってきた。 [→��きを読む]
東��とWD、共同投�@を巡る見解の食い違い
2017�Q8月3日に東��はプレスリリースを出したが、東��メモリ四日�x工場で建設中の��6���]棟に導入する�攵摚�△亡悗靴董⇒眛�のWestern Digitalのプレスリリースとは見解が違っている。東��が共同ラインの�攵摚�△鮹影箸播蟀@すると発表したのに�瓦靴董�WD�笋呂海旅臺杁�業は共同で投�@するというこれまでの約�Jを守る、と発表した。 [→��きを読む]
2017�Q6月の半導�����]����の販売�Yは�k段落
![2017�Q6月の半導�����]����の販売�Yは�k段落](/assets_c/900px/170727-semiseaj.png "2017�Q6月の半導�����]����の販売�Yは�k段落")
2017�Q6月の半導�����]����の販売�YがSEMIとSEAJからそれぞれ発表された。それによると、������半導�����]����は�i�Q同月比33.4%�\の22億8890万ドル、日本��半導�����]����は同53.6%�\の1530億5200万��となった。依��、高水��にある。 [→��きを読む]
Intel、エネルギーデータ収集・分析プラットフォームを提案
「デジタルトランスフォーメーション」。エレクトロニクス�\術を使って、社会を変革するテクノロジーを最�Zこう�}ぶ。エレクトロニクスの肝はもちろん半導��。半導��を使うエネルギーの変革をIntelが進めている。「スマートメータ」をもっと賢くして電��コストも抑えるという「エネルギーコレクティブプラットフォーム」(図1)をIntelが提案した。 [→��きを読む]
Inotera��故で半導��供給不�Bはさらに加�]
![Inotera��故で半導��供給不�Bはさらに加�]](/assets_c/900px/170711-chipmarket.png "Inotera��故で半導��供給不�Bはさらに加�]")
2017�Q5月の世�c半導��販売�Yは、3カ月の�‘以振冀佑��i�Q同月比22.6％だとSIA（�殀焼���工業会）が発表した(参考�@料1)が、5月単月の数�CがWSTSから発表された。それによると、�i�Q同月比23.8%�\の316.2億ドルと単月で3カ月連��300億ドルを��えた。好調さは�e��するようだ。 [→��きを読む]
IGBTの高�]化に向け2�|類のイオン�R入����をアルバックが発売
![IGBTの高�]化に向け2�|類のイオン�R入����をアルバックが発売](/assets_c/900px/170707-ulvac.png "IGBTの高�]化に向け2�|類のイオン�R入����をアルバックが発売")
半導�����]����もニッチ�x場で�M負する時代といえそうだ。アルバックは、IGBTパワー半導��に��化した加�]エネルギーが2keV〜30keVと低い加�]電圧と、最�j2400keVと極めて高い加�]電圧の2�|類のイオン�R入����を発売する。それぞれ浅い、深いpn接合を作るのに使う、両極端のニッチ向け����だ(図1)。 [→��きを読む]
プリント基��を機�Ε妊丱ぅ垢愿彰后�JPCAショーから
プリント�v路基��（PCB）の総合�t��会であるJPCAショー2017が先週、東�Bビッグサイトで開かれ、プリント基��を再定�Iしようという動きがあった。PCBはこれまでの半導��チップや����を載せるだけの�Хe基��というパッシブな�T味合いに�瓦靴董�機�Δ魎韶�内に�mめ込んだり3次元形�Xの����に�v路配線を形成したりするようなアクティブな�T味を�eたせよう、という動きである。 [→��きを読む]
