低コストのGe-on-Si半導基\術を東洋アルミが開発、GaAs半導をW価に

Si基屬Ge層を]時間でW価に作する桔,鯏賤離▲襯潺縫Ε爐開発した。Ge層の厚さをOyに変えられるだけではなく、ストイキオメトリ(化学組成)もU御できる。今のところ高価なGaAsU半導向けの基としてのOを提案している。W価な陵枦澱咾Siフォトニクス、スピントロニクスなどの基材料への応を狙っている。 [→きを読む]
Si基屬Ge層を]時間でW価に作する桔,鯏賤離▲襯潺縫Ε爐開発した。Ge層の厚さをOyに変えられるだけではなく、ストイキオメトリ(化学組成)もU御できる。今のところ高価なGaAsU半導向けの基としてのOを提案している。W価な陵枦澱咾Siフォトニクス、スピントロニクスなどの基材料への応を狙っている。 [→きを読む]
2023Qのシリコンウェーハの出荷C積は、iQ比14.3%の126億200万平汽ぅ鵐舛世辰燭SEMIのSMG(Silicon Manufacturers Group)が発表した(参考@料1)。ウェーハ売り屬欧、10.9%の123億ドルになった。2019Qから3Q連ウェーハC積は拡jしてきたが、2023Qになって落ち込みを迎えた。 [→きを読む]
これまで半導噞とは縁が薄かった、3D-CADとシミュレーションのベンダーが積極的に半導噞にやってきている。2.5D/3D-ICやチップレット実△覆匹膿値Qシミュレーションが設時にLかせなくなってきたからだ。シミュレーションベンダーのAnsysがTSMCやGlobalFoundries、Samsungファウンドリ靆、Intelファウンドリ靆隋UMCなどと次々と提携を発表している。 [→きを読む]
2023Q3四半期(7月〜9月)における半導シリコンウェーハの出荷C積は、i四半期比(QoQ)9.6%、iQ同期比(YoY)19.5%の30億1000万平汽ぅ鵐舛箸覆辰。2Qには少しv復向がみられたが再びjきく落ちることになった。これはSEMIのSMG(シリコン]グループ)が発表したもの。SMGは出荷されるウェーハを調hしている。 [→きを読む]
2023Qのシリコンウェーハの販売Yは、半導不況の影xをpけ、iQ比7%という数Cが見込まれているが、2024Qにはv復しiQ比8%成長で戻ってくると期待されている。これは、半導材料専門のx場調h会社であるTechcet社が最新のレポートで予[したもの。 [→きを読む]
旧昭和電工と旧日立化成工業が合し、半導にを入れる化学材料メーカー、レゾナックは、これまでの合Sとはく異なる成長戦Sを掲げている。それは仲間と}を組もうというエコシステム「Joint2」を構成している点だ。その中心にいてまとめ役としてレゾナックがある。同じような化学材料メーカーとのコラボは、\術情報がれるのではないかと心配する向きはある。それでもレゾナックは発tするだろう。なぜか。 [→きを読む]
2023Q1四半期(1Q)におけるシリコンウェーハの出荷C積がi四半期比9.0%の32億6500万平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭SEMIが発表した。iQ同期比では11.3%となる。これはSEMIのSMG(Silicon Manufacturers Group)が発表したもの。SMGは、シリコンT晶ウェーハの]vたちの集まり。 [→きを読む]
半導パッケージ材料x場は2022Qの261億ドルが2027Qには300億ドルに成長する。2023Qにはパッケージ材料はiQ比0.6%で少し]するが、これは半導x場の原Г砲茲襪發。半導x場は2023Q後半からv復し始め2024Qは再び同5%度のプラス成長に転じると予[されている。 [→きを読む]
プリント基だけではなく、テフロンなどの基にも密性の良い配線を形成できる\術を岩}j学が開発、高周S性の優れたv路を容易に形成できるようになる。岩}jのi-SBと}ばれる\術は、分子接合材をいる異|材料接合\術である。噞cもすでに`し始め、実化に向けたエコシステムの構築中だ。この\術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する画で進めている。 [→きを読む]
2022Qにおける半導シリコン(Si)ウェーハの出荷C積が垉邵嚢發147億1300万平汽ぅ鵐繊MSI)となった。これはSEMIのSMG(Semiconductor Manufacturers Group)が発表したもので、2022Qは、2021Qの141億6500万MSIから3.9%\と\えた。その売幢YもiQの126億ドルから9.5%\加し138億ドルと垉邵嚢發魑{した。 [→きを読む]