シリコンウェーハの出荷�C積は後半から�\加��向
SEMIは、シリコンウェーハの出荷�C積は、2016~2018�Qまで�M��的に成長していく、と発表した。2016�Qは�i�Q比2%�\で成長し、2017�Q、2018�Qも2%�\で��実に成長していくと予�Rしている。 [→��きを読む]
材料・薬��・�雕�
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��2四半期のシリコンウェーハ出荷�C積は�垉邵嚢�
2016�Qの��2四半期に出荷したシリコンウェーハの総�C積は、27億600万平�汽ぅ鵐舛箸覆蝓∋揚彰�における出荷�C積としては�垉邵嚢發魑��{した、とSEMIが発表した。�i期比、�i�Q同期比ともプラスである。 [→��きを読む]
シリコンウェーハ�C積はこの1Qに下げ�Vまった
シリコンウェーハの�C積が、2015�Q��2四半期をピークに、��3、��4四半期と低下してきたが、2016�Q��1四半期になり、ようやく下げ�Vまった感が出てきた。��1四半期におけるウェーハ�C積は�i四半期比1.3%�\の25億3800万平�汽ぅ鵐舛箸覆辰拭� [→��きを読む]
�~機ELがらみのフレキシブルエレに動き
半導��そのものに�jきなニュースはなかったが、半導��の応��に向けた記��は�Hかった。先週のトレンドは二つある。�kつは、フラットパネルディスプレイの�t��会である、ファインテックジャパンが開かれ、フレキシブルエレクトロニクスが�R�`された。もう�kつは�O��運転が可�Δ砲垢襯蹈椒奪箸筌蹈吋奪箸離肇譽鵐匹任△襦� [→��きを読む]
�C白い電池がいろいろ
��7�v二次電池�tでは、リチウムイオン電池だけではなく、��薄型や�w��電解��、電���Q�鼎里燭瓩離僖錙次∫u害時に水を電解�]に��いる電池など、さまざまな電池が�t��された。この中からいくつか紹介する。 [→��きを読む]
Siウェーハの出荷�C積は�垉邵嚢癲���3四半期の半導��売�屬眛瑛佑�
2015�Q��2四半期(4〜6月)におけるシリコン（Si）ウェーハの出荷�C積が�垉邵嚢發�27億200万平�汽ぅ鵐舛肪�した、とSEMIが発表した。�i期比(2015�Q��1四半期)で2.5%�\、�i�Q同期比4.4%�\加した。 [→��きを読む]
新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進
![新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進](/assets_c/900px/150701-combinatorial.png "新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進")
コンビナトリアルと�}ばれる�}法を使って新材料を開発するビジネスが��発になってきた。�H元�U材料の薄膜を形成するのに組成を連��的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007�QにSEMICON Westで�t��した��Intermolecular社の材料組成やプロセス条�Pを変える�擬阿箸楼磴ぁ�薄膜の組成を連��的に変えられる。真空����やスパッタリング����を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→��きを読む]
�X設���vに福音、加工しやすい放�Xフィルムが相次いで入�}可�Δ�
ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放�X設��を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学��メーカーのADEKA（旧旭電化工業）とパナソニックが��く異なるアプローチから新しい放�Xフィルムを開発した。 [→��きを読む]
�]チャンネル効果のないIGZO�W��のMOSトランジスタ
![�]チャンネル効果のないIGZO�W��のMOSトランジスタ](/assets_c/900px/150610-sel.png "�]チャンネル効果のないIGZO�W��のMOSトランジスタ")
シャープの�]晶ディスプレイの�Q画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの�┣��顱鉾焼���を改良し、リジッドな完���T晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」�T晶を半導��エネルギー研�|所が開発、半導��LSIに応��するため、��湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→��きを読む]
GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET
![GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET](/assets_c/900px/150527-gan.png "GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET")
GaNの歩�里泙蠅�90%に�屬欧蕕譴覯���性のある設���}法、GaNの耐圧を1200Vまで�屬欧討皀�ン�B�^が1.8mΩcm2とSiC並みに�ZづけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。�h��県幕張メッセで開��されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導��GaNに�jきな進歩がみられた。 [→��きを読む]
