2013QのSiウェーハ、C積は変わらず金Yは14%も少

2013Qシリコンウェーハの出荷C積は、iQ比でほぼ横ばいといえる0.4%\の90億6700万平汽ぅ鵐舛箸覆辰燭、販売Yは-14%の75億ドルとjきく少した。これはSEMIのSMG(Silicon Manufacturing Group)がこのほど発表したもの。 [→きを読む]
2013Qシリコンウェーハの出荷C積は、iQ比でほぼ横ばいといえる0.4%\の90億6700万平汽ぅ鵐舛箸覆辰燭、販売Yは-14%の75億ドルとjきく少した。これはSEMIのSMG(Silicon Manufacturing Group)がこのほど発表したもの。 [→きを読む]
1月29日、理化学研|所が発表した万細胞作の新}法は、日本中を勇気づけた。この研|のユニットリーダーである小保祇音の^真が理研のトップページをすでに飾っている。半導エンジニア・マネジャーにとって、今vの発表から学ぶことは何か、O社にかせることは何か、を考える良い機会になる。 [→きを読む]
東Bj学のグループは、プラスチックで作した集積v路で、13.56MHzのRF ID送p信動作に成功した。これは、‘暗戮10cm2/Vsと~機トランジスタとしては極めてjきいトランジスタを作したことでuられたとしている。 [→きを読む]
Qけ早々、半導関係の工場でjきな爆発故がきた。現在までに伝えられている実関係をD理したい。また、先週はInternational CESが櫂優丱Ε薀好戰スで開され、未来を見据えた\術がいろいろ出てきた。 [→きを読む]
世cの半導ファブ攵ξのトップテンランキングを毫x場調h会社のIC Insightsが発表した。これによると、1位はSamsung、2位TSMC、3位Micronという順である。トップ10社の攵ξは世cの半導メーカーの67%にも達し、2009Qの54%から\加し、寡化が進んでいることが判した。 [→きを読む]
IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導の発表がさまざまな研|所、j学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流のAを峻にできるというメリットがあるため、Q社はこれを擇し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→きを読む]
先週、SEMICONジャパン2013が開された。tは、幕張メッセのホール1〜6で行われ、国際会議場でセミナーが開かれた。業cでR`された東Bエレクトロン(TEL)とApplied Materialsとの業統合についての作業に入っているという発表があった。 [→きを読む]
2013Q3四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i期比で2%の23億4100平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函SEMIは発表した。これはiQ同期比でも2%である。長期的に見て、このところシリコンのC積は、ややB踏みXにある。 [→きを読む]
NECがスマートフォンの設]からを表し、パナソニックも同様の動きを見せる中、8月31日の日本経済新聞が「日本のスマホ復への条P」とした社説を掲載した。\術を見直し、まねのできないを作ることだとする。クラレ、Bセラがそのk環となる材料にを入れている。アドバンテストのSSD検h開発のニュースも`を引く。 [→きを読む]
半導]が好調だ。SEAJが発表した5月のpRY・販売Y・B/Bレシオを見る限り(参考@料1)、今Qは峺きになりそうだ。SEAJは先週、2013〜2015Q度の日本半導]の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日けでそのニュースを掲載した。先週はニコンが450mm向け開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→きを読む]