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フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�uていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]
EUVは����を透�圓靴笋垢�X線の�k�|であるため、光学�Uにはレンズではなく反�o(j━)��を�W(w┌ng)��する。反�o(j━)光学�Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構�]を採っている。ここに�L(f┘ng)陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無�L(f┘ng)陥にしたい。マスク検�hは不可�L(f┘ng)である。 [→��きを読む]
EUVのマスク、レジスト�\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最�Zの��動報告を行った(図1)。�S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光����を開発しているが、EIDECは露光����以外のEUV基本�\術を�pけ�eつ。出�@は国内13社で、�L外5社も共同研�|で参加、��原��作所とレーザーテックは����開発パートナーとして参加、3�j(lu┛)学と�噞�\術総合研�|所も参加する�k�j(lu┛)コンソーシアムだ(図2)。 [→��きを読む]
![パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�する電子�Q社](/assets_c/900px/130527-mobileshift.png "パソコンからモバイルへのメガトレンドの加�]に�官�する電子�Q社")
パソコンからモバイルへの動きが加�]している。先週のニュースはこの動きを見��に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基��、モバイル通信インフラ、��てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→��きを読む]
EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ�\術の現�Xが��らかになった。Intelは2013�Qに14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予�Rする。これはEIDEC Symposium 2013で��らかにしたもの。 [→��きを読む]
アベノミクス��3本�`の矢に相当する、成長戦�Sの��要が�W倍��相から発表された。2012�Q度の�Q間63兆��の設��投�@�Yに�瓦靴董∈８�3�Qの間に70兆��を�`指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジー�t」が開かれることでカーエレ�\術の半導��の発表が富士通、東��からあった。半導��材料メーカーも相次いで成長戦�Sを発表した。 [→��きを読む]
銀（Ag）ナノワイヤーを�W(w┌ng)��する新しい透��導電性材料のメーカーである、カンブリオス社CEOのJohn LeMoncheck��（図1）がその�\術について語った。印刷�\術を�W(w┌ng)��して電極を形成するため、��来のITO（インジウムすず�┣��顱砲茲蠅皀灰好箸魏爾欧蕕譴覯���性が高く、�j(lu┛)�C積のフラットパネルディスプレイや照��に向く。ファインテックジャパンで発表した。 [→��きを読む]
2012�Qにおける半導��材料の出荷�Yは、�i�Q比2%��(f┫)の471億1000万ドルであったとSEMIが発表した。地域別では、��湾が2%�\に�瓦靴董�日本の7%��(f┫)となり、日本の��(f┫)少が�j(lu┛)きく�xいた。ただし、日本の材料出荷�Yは��湾に次ぎ依��として��2位である。 [→��きを読む]
