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半導]は依として好調さを維e

半導]は依として好調さを維e

2013Q12月における日本半導]のpRYは1077億9900万とi月より{J下がったが、販売Yも同様な向で795億7800万となったとSEAJ(日本半導]協会)が発表した。このT果B/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)は1.35と依高水にある。 [→きを読む]

UMCと新日本無線、プロセスの共同開発でローノイズアンプを化

UMCと新日本無線、プロセスの共同開発でローノイズアンプを化

湾ファウンドリのUMCと国内アナログに咾た憩本無線(NJR)が、ファブレスとファウンドリの関係をえたコラボレーションを咾瓩討い(図1)。共同でプロセスのプラットフォーム化を進めると同時に、オペアンプの消J電を下げながらノイズ(1/fとホワイト)を抑えるプロセスを開発した。 [→きを読む]

次世代TFET、共鳴TFET、finFETFDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

次世代TFET、共鳴TFET、finFETFDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導の発表がさまざまな研|所、j学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流のAを峻にできるというメリットがあるため、Q社はこれを擇し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→きを読む]

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