半導]のpRYが3カ月連で少、B/Bレシオは1.1でも要RT
![半導]のpRYが3カ月連で少、B/Bレシオは1.1でも要RT 半導]のpRYが3カ月連で少、B/Bレシオは1.1でも要RT](/assets_c/900px/140225-bbratio.png)
2014Q1月における日本半導]のpRYは1004億1800万、その販売Yが916億7500万となり、販売Yに瓦垢pRYの比であるB/Bレシオは1.10となった。ただ、B/Bレシオが2013Q10月をピークに下T線を辿っていることは要RTであろう。 [→きを読む]
2014Q1月における日本半導]のpRYは1004億1800万、その販売Yが916億7500万となり、販売Yに瓦垢pRYの比であるB/Bレシオは1.10となった。ただ、B/Bレシオが2013Q10月をピークに下T線を辿っていることは要RTであろう。 [→きを読む]
キヤノンがナノインプリント\術のベンチャー企業である、Molecular Imprints社をA収することで合Tした。このニュースが日本経済新聞朝刊に載った2月14日に、キヤノンもニュースリリース(参考@料1)を流した。 [→きを読む]
2014QのICファウンドリビジネスはiQ比12%\の480億ドルになりそうだ、という予Rを毫x場調h会社のIC Insightsが発表した。同社はファウンドリ専門メーカーとIDMファウンドリメーカーを分けてx場を見積もっている。 [→きを読む]
2013Q12月における日本半導]のpRYは1077億9900万とi月より{J下がったが、販売Yも同様な向で795億7800万となったとSEAJ(日本半導]協会)が発表した。このT果B/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)は1.35と依高水にある。 [→きを読む]
湾ファウンドリのUMCと国内アナログに咾た憩本無線(NJR)が、ファブレスとファウンドリの関係をえたコラボレーションを咾瓩討い(図1)。共同でプロセスのプラットフォーム化を進めると同時に、オペアンプの消J電を下げながらノイズ(1/fとホワイト)を抑えるプロセスを開発した。 [→きを読む]
半導プロセス\術に関するIPライセンスのベンチャー企業であるSuVolta社は、このほど1060万ドル(約10億6000万)の@金調達に成功した。出@vの1社は富士通セミコンダクターであり、残りはシリコンバレーで~@なベンチャーキャピタルが@を連ねている。 [→きを読む]
Qけ早々、半導関係の工場でjきな爆発故がきた。現在までに伝えられている実関係をD理したい。また、先週はInternational CESが櫂優丱Ε薀好戰スで開され、未来を見据えた\術がいろいろ出てきた。 [→きを読む]
世cの半導ファブ攵ξのトップテンランキングを毫x場調h会社のIC Insightsが発表した。これによると、1位はSamsung、2位TSMC、3位Micronという順である。トップ10社の攵ξは世cの半導メーカーの67%にも達し、2009Qの54%から\加し、寡化が進んでいることが判した。 [→きを読む]
2013Q11月における日本半導]のpRYはややkKというところ。依としてpRYの気販売YよりもHいという好調を維eしている。pRYは1128億6300万、販売Yは813億7300万、B/Bレシオは1.39であった。 [→きを読む]
IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導の発表がさまざまな研|所、j学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流のAを峻にできるというメリットがあるため、Q社はこれを擇し、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→きを読む]
<<iのページ 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 次のページ »