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インドに外�@�U企業の進出ラッシュ、東南アジアでのビジネスも加�]

 2013年7月16日 ｜週間ニュース分析

グローバル化は極めて�]い�]度で進�tしている。1週間の新聞では、インドの人材確保が�壹X、中国工場の����の�Mしさ、中国内半導���噞の��れ、IBMのグローバルマインド、日本人IT��業家のアジア拠点化、アピックヤマダのウェーハレベルパッケージング（WLP）����のアジア売り込み、タツタ電線のマレーシア工場開設、など世�cのニュースが�`立った。 [→��きを読む]

半導�����]����は好調、TSMC積極投�@、G450C/SEMATECHへニコン/東レ参加

 2013年7月 8日 ｜週間ニュース分析

半導�����]����が好調だ。SEAJが発表した5月の�p�R�Y・販売�Y・B/Bレシオを見る限り（参考�@料1）、今�Qは�峺�きになりそうだ。SEAJは先週、2013〜2015�Q度の日本��半導�����]����の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日��けでそのニュースを掲載した。先週はニコンが450mm向け����開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→��きを読む]

ミニマルファブ、LED光源のリソ����でMEMSカンチレバーを作��

 2013年7月 5日 ｜会議報告（プレビュー）

ミニマルファブのプロジェクトが組�E化され、昨�Q12月のセミコンジャパンにおいて初めて����のモックアップが�t��された。今どこまで進�tしたのか。その��1�vの報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東�B��川で開��された。 [→��きを読む]

欧�Δ�100億ユーロ��画、�盜颪�450mmを本格化、先端半導��開発を推進

 2013年7月 4日 ｜�噞分析

欧�Δ�100億ユーロの半導��開発プロジェクトを発表、�盜�VLSI Researchは450mmウェーハの����開発が300mmの時よりもずっと少ない金�Yで開発できるというレポートを発表した。英国からも電子�噞を主���噞に育てようというレポートが出た。先端半導��の開発��画が欧�櫃���発になっている。 [→��きを読む]

モバイル端��にけん引され、半導��・FPDとも日本�����]����は好調

 2013年6月25日 ｜�x場分析

SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した、2013�Q5月における日本��半導�����]����の1.17というB/Bレシオ（販売�Yに�瓦垢��p�R�Yの比）は、�p�R�Yが�\え��けている好調さをよく表している。昨�Q10月を�fとして、�p�R�Yは�Pび��け、5月には1�Qぶりに1000億��の�j��に乗った。 [→��きを読む]

��要が�峺�き、��めの�e勢を見せ始めた半導��・���]����企業

 2013年6月24日 ｜週間ニュース分析

スマートフォンやタブレットの��要拡�jを�pけ、半導��チップだけではなく、半導�����]����も好調に推�，靴討い襦�SEAJが発表したB/Bレシオは1.17で、6月22日の日本経済新聞は「�p�R�嵜兇譟徂集修妊妊�スコの好調さを伝えている。�L外�t開は��に半導�����]����が��発で、後工������のTOWAは現地�攵�すると24日の日刊工業新聞が報じた。 [→��きを読む]

日本の半導�����]����メーカー、世�cでも顧客満�B度依��として高い

 2013年6月17日 ｜週間ニュース分析

日本の半導�����]����メーカーは世�c�x場で依��、健�hしている。VLSI Researchが行った半導�����]・検�h�����j�}の顧客満�B度調�hでは、日本企業が�岼�10社中6社を��めている、と6月17日の日経�噞新聞が伝えた。先週は、設��関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新�x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→��きを読む]

2013�Qの世�cの半導��設��投�@は2%�\だが、14�Qは23%�\以�屐�SEMI予�R

 2013年6月14日 ｜�x場分析

2013�Qの半導��設��投�@総�Yは���i�Q比2%�\の325億ドルになりそうだ、という予�RをSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導��LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も����としている。 [→��きを読む]

�V�L�@密が�j阪にR&D拠点を設立、人材の�pけ��になるか

 2013年6月 3日 ｜週間ニュース分析

��湾の�V�L�@密工業が�j阪に研�|開発拠点を設立した、と6月1日��けの日本経済新聞が報じた。�V�Lは�]晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル�]晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導�����]����も�v復しつつある。 [→��きを読む]

EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（3）〜レジスト

 2013年5月31日 ｜会議報告（プレビュー）

フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�uていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]

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