EIDEC、グローバル協で10nmの加工にEUV導入`指す(2)〜マスク検h

EUVはを透圓靴笋垢X線のk|であるため、光学Uにはレンズではなく反oをWする。反o光学Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構]を採っている。ここにL陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無L陥にしたい。マスク検hは不可Lである。 [→きを読む]
EUVはを透圓靴笋垢X線のk|であるため、光学Uにはレンズではなく反oをWする。反o光学Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構]を採っている。ここにL陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無L陥にしたい。マスク検hは不可Lである。 [→きを読む]
EUVのマスク、レジスト\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター(EIDEC)が最Zの動報告を行った(図1)。S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光を開発しているが、EIDECは露光以外のEUV基本\術をpけeつ。出@は国内13社で、L外5社も共同研|で参加、原作所とレーザーテックは開発パートナーとして参加、3j学と噞\術総合研|所も参加するkjコンソーシアムだ(図2)。 [→きを読む]
パソコンからモバイルへの動きが加]している。先週のニュースはこの動きを見に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基、モバイル通信インフラ、てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→きを読む]
日本半導・FPD]が好調さをeしている。このほどSEAJ(日本半導]協会)が発表した、4月のpRY・販売Y・B/Bレシオのデータでは、pRYが\えけ、先月予[した通り、B/Bレシオは共に1.00をえ好調を維eしている。 [→きを読む]
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ\術の現Xがらかになった。Intelは2013Qに14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予Rする。これはEIDEC Symposium 2013でらかにしたもの。 [→きを読む]
アベノミクス3本`の矢に相当する、成長戦Sの要がW倍相から発表された。2012Q度のQ間63兆の設投@Yに瓦靴董∈83Qの間に70兆を`指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジーt」が開かれることでカーエレ\術の半導の発表が富士通、東からあった。半導材料メーカーも相次いで成長戦Sを発表した。 [→きを読む]
半導]x場がeち直してきた。日本半導]のpRYは5カ月連プラス成長しており、2013Q3月には販売YがpRYをvるほどにが売れた。このT果、B/Bレシオが1.00を割り0.96となったが、悲茲垢襪曚匹離譽戰襪任呂覆い世蹐Α [→きを読む]
先週は、半導業cのQ報告会が相次いで開され、湾TSMCは2013Qの設投@Yが95億〜100億ドルになるという見通しを発表した。来見通しの90億ドルよりも崟僂澆靴振碌Yになる屬法2012Qに投じた83億ドルと比べ14%〜20%\となる。2013Q度には好調がく、とメーカーは見る。 [→きを読む]
40nm未満の微細化プロセスの攵ξが最もjきく、80nm〜0.2μmがき、0.4μm以屬離廛蹈札垢碵HいというT果をICインサイツ(Insights)が発表した。これまでSICASが統をとってきたが、これに代わりこのx場調h会社が調べている。 [→きを読む]