「これからの�\術開発のあり�気箸靴董▲機璽咼垢魎泙爐い蹐い蹐米�本の�噞の出口を�_��しなければならない。つまり、売�屬半W益、�攵掚、�e��性というごく当り�iのことが科研�Jをはじめとする�匲学のプロジェクトにはない」。元総合科学�\術会議議�^であり日立��作所代表�D締役副会長も経�xした、日立��別顧問の桑原洋��は、Selete Symposium 2009の基調講演において、これまでの�匲学連携の問��点を�D理した。 [→��きを読む]
「�埔蟶��Uは����していると聞く。�o的�@金もすでにワールドワイドで、200兆��も投入されている。それでも、�v復のシナリオはまったく見えない。�k��、いつになったらもどるの？」国内�j�}半導��メーカーの基��工場トップは、いらだちを隠せず、こうぶつぶつとつぶやいた。 [→��きを読む]
![半導�����]����、�p�R�Y、B/Bレシオとも緩やかな�v復基調を��す](/assets_c/900px/090528-bbratio.png "半導�����]����、�p�R�Y、B/Bレシオとも緩やかな�v復基調を��す")
日本��半導�����]����の�p�R�Y、B/Bレシオとも�峺���向にあることが日本半導�����]����協会（SEAJ）の発表で��らかになった。3ヵ月間にわたり�‘以振僂靴�B/Bレシオは3月に0.30だったが、4月には0.44となった。4月単月だけの数�Cだと販売�Y226億8100万��に�瓦靴��p�R�Y258億4800万��で、1.14という値になった。 [→��きを読む]
�櫂汽ぅ廛譽好札潺灰鵐瀬�タ社の子会社であるアギガテック社（Agiga Tech）は4Mバイトから2Gバイトまでの容量を�eつ不ｧ発性RAMモジュールAGIGARAMを開発、このほど発売した。2Gバイトという�j容量の不ｧ発性RAMの����はこれが初めて。このRAMモジュールには2�|類の����シリーズがあり、4M〜64MバイトのBALIと、256M〜2GバイトのCAPRIである。 [→��きを読む]
![�]晶ディスプレイの進歩のおかげでアモーファスSi�陵枦澱咾�次の�j本命に](/assets_c/900px/090528-amorphoussi.png "�]晶ディスプレイの進歩のおかげでアモーファスSi�陵枦澱咾�次の�j本命に")
Selete Symposium 2009に出席した。今�vは基調講演として、元日立��作所副会長や元総合科学�\術会議議�^を��め現在日立��作所顧問の桑原洋��の「日本の�\術開発のあり�気鯤僂┐襦廚函�科学�\術振興機構研�|開発戦�Sセンター�崟淵侫Д蹇爾療鎮聢k宜��の「国際�官�の研�|開発戦�S〜�劜官独のアクションプラン〜」という二つの講演があった。いずれもキーワードは、グローバル化であり、日本の官が関与するシンポジウムでの発言として興味をひいた。 [→��きを読む]
今�vのSICAS（世�c半導���攵�キャパシティ統��）のデータから見えてくるものは、�攵��ξ�と実投入数との�jきなかい�`、すなわち�n働率の��少である。2008�Q��4四半期と2009�Q��1四半期の落ち込みは��しく、半導��合��でそれぞれ68.4%、55.6%と��少した。昨�Qの��2四半期までは�n働率は90%�i後で推�，靴討い燭�、��3四半期に��少し、�i�vその��向を指�~した。 [→��きを読む]
先週のニュースでは、�盜颪離謄�サスインスツルメンツ（TI）が筑�Sの研�|所を6月��で閉鎖しインドと�盜颪慇濕��靆腓��‥召気擦襪箸いΕ縫紂璽垢函�東��が携帯電�B機を国内で�攵�せず�L外のEMS（���]専門のサービス会社）に委�mするというニュースに�R�`した。共に共通項はグローバルなパートナーシップを�啣修垢襪箸いε世任△襦９馥發世韻燃�発、設��、�攵�すべてを�pけ�eつことは国際��争��の点から�Mしくなってきた。 [→��きを読む]
この1-3月、���k四半期の携帯機�_�x場の販売数量データが発表され、携帯電�Bは�i�Q同期比1割�Zく��少している�k�機⊃郡蕕�smartphoneは同約13%�\で、��数も携帯電�Bの約14%の��模になっている。不況の��中にあっても、�\術の進化�]度は変わらない、むしろ早めないと�x場に�pけ入れられない、そのような感じ�気任△襦� [→��きを読む]
�O動�Zエレクトロニクスの分野で唯�k��発に動いている分野がある。ハイブリッドカーと電気�O動�Zだ。ある外�@�U半導��メーカーのマーケティングマネジャーは「�O動�ZメーカーにICを�eっていっても相�}にされないが、電気�O動�Z向けの半導��を�eっていくと、すぐに飛びつく」と言う。�O動�Zの最先端�\術を見せる見本�xである「人とクルマのテクノロジー�t」では電気�O動�Z向け半導��の�t��が少ない中、東��はシリコンのIGBTとSiCのショットキーダイオードの組み合わせで��失が30〜40%��ることを��した。 [→��きを読む]
中国の半導���噞が2008�Q、���i�Q比0.4%��の1246億8200万元（1兆9949億��）と20�Q間で初めてのマイナス成長を記�{した。数量ベースでは1.3%�\の微�\であった。2009�Qの1〜3月期の金�Yのデータはまだないが、個数では���i�Q同期比で14%��と言う�j幅なマイナスを記�{した。 [→��きを読む]
