ところがどうだろう。�j(lu┛)きな�mでは言えないが、DRAMはともかく、フラッシュメモリの�Q社の���]現場は��して��況ではない。それどころか、�p�Rする量が�`に見えて��(f┫)っている。このため予定していた設��投�@を�k�靱�期するような動きも出てきている。

この理�y(t┓ng)はいったいなんだろう。�kつには中国��の�W�颯好沺璽肇侫�ンが横行し始めていることで、サムスンのギャラクシー、アップルのiPhone が���]に�Vまってきたことが�j(lu┛)きい。何しろ�W�颯好泪曚任△襪�ら、それほど高度の半導��を使うわけもなく、メモリについても�k世代�iのもので�科�なのだ。スマートフォン�O��は2013�Qの世�c出荷9億5000万��（なんと2012�Qに�瓦�3億��も�\加）となり（��集室�R1）、2014�Qも12〜13億��は行くとも言われている。つまりは、IT����が不調の中にあって、唯�kの高成長����なのだ。

ところが、中国��スマホの単価は、せいぜい1万5000����度であり、これがいかに���\していったとしても、半導����要を�j(lu┛)きく膨らましてはくれない。加えて、日本だけの��情で言えば、4月からの消�J税�\税に伴う電子機�_(d│)の�Aい�呂┐�もう始まりつつある。

�k��(sh┫)、1兆��という巨�Yを投�@する��湾のTSMCは、さきごろ16nmからメタル線幅を変えない、との見解を�]ち出したという内�霈霾鵑鯢��vは聞いている（��集室�R2）。つまりは、現在のシリコンを使ったプロセスではもはや微細化の限�cに来たというのだ。これに加えてインテルは、450mmウェーハ導入に積極的であったが、これを繰り��べするという��(sh┫)向性を�]ち出した。�j(lu┛)口径化と微細化の時代が終われば、����メーカーや材料メーカーにとって、開発投�@で儲けることができない。ましてや巨�Yの設��投�@には�Tびついていかない。

「半導���噞は、ポストスマホのスマートウォッチ、スマートグラスなどのウエラブル端��、さらには医��と半導��のクロスオーバー、次世代�O動�Zへの搭載�\加などのプラス要因があり、ここ10〜15�Qくらいの間には世�c�x場40兆��は見通せるだろう。しかしながら、間違いなく成長率は鈍化してきた。これからは�Q率3%��度で�Pびれば良い��(sh┫)だろう、と考える��(sh┫)が�W��かもしれない」。

国内で最も著�@な半導��アナリストが語った言��ではある。�攵�の�Pび�椶漾�微細化の限�c、�j(lu┛)口径化の先送り、さらには期待のかかる成長商��スマホの成�^化および中国��などに見られる単価の下落、といった様々な要因を�Xけ合わせれば、2014�Qの半導��設��投�@は、せいぜい5〜6%�\にとどまると筆�vは考える。

��集室�R
1. 調�h会社によって��数の見積もりは異なるが、IDCは2013�Qに10億��を突破したと今�Qの1月27日に発表している。
2. Qualcommの�\術担当責任�vのGeoffrey Yeap��は、16/14nmfinFETプロセスではトランジスタを小さくするが、BEOL（配線工��）のメタルの�∨，亙僂┐覆ぁ△噺譴辰討い襦福�Qualcommの�\術責任�v、プロセス�\術を�j(lu┛)いに語る」を参照）。