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450mmウェーハの先ばしニュースは本当か?サムスンの白p問もR`

今朝の日刊工業新聞は、半導ウェーハの450mmのj口径化が先ばしになりそうだというニュースを伝えた。7月14日には、f国のサムスン電子の国内工場の業^が白pに相次いでかかったとされる問で、v機関の調hのT果、環境と白pとは関係しないと同社が発表した。7月15日に日本経済新聞が報じた。

日刊工業の報Oは、サムスンが450mm化をすれば東も{するという捉え(sh┫)をしており、最Zサムスンが投@を縮小していることから、450mmへのはしないという読みから書かれた記である。この読みがしいかどうか、判しにくい。というのは、サムスンはf国の工場への投@は呂┐討い襪發里痢櫂謄サスΕースチンにあるファウンドリ工場には投@をMしているからだ。サムスンはメモリーからファウンドリへ舵を切り始めている。この記には、450mm化を推進してきた肝心のインテルと、TSMCの動向については書かれていないため、450mmの先送りはあくまでもサムスンのf国工場に限定したBと捉えるべきだろう。

サムスンの白p問はL外メディアもR`していた。f国のメディアのThe Hankyorehが伝えたところによると、v機関の盜Environ社は、患vを出したといわれているサムスンのキーフン工場の5および12ライン、オンヤン工場の5ラインにおける発がん性の使に瓦垢要性と、業^が浴びた発がん性のレベル、作業vが^(q┗)される発がん性と白p発との相関関係、について調べたという(参考@料1)。白p患v6@の内4@は発がん性に^(q┗)されておらず、残り2@が^(q┗)された量は国際基を下vったレベルだったとしている。ただし6月にソウルの行裁判所は、白p発fとの因果関係を認める判を下しており、今後も_を引きそうだ。

るいニュースとして、クルマのメーカーとして世cj}の独ボッシュが、クルマの電動化に研|開発Jを9.5%\やした、と7月15日の日刊工業が伝えた。2011Qの研|開発Jは250億になり来のABS(アンチブレーキングシステム)などW性を高める研|に加え、EVやハイブリッドZの電動システムに_点投@する。半導メーカーにとってボッシュにECU向けや電動U御v路向けのパワー半導を売り込むチャンスになる。

シャープとVL@密工業が50%ずつ出@して、テレビのj型]晶パネル雕爐魘ζ営潅する合弁企業をQ内にも設立する、と7月19日の日経噞新聞が報じた。ガラス基やカラーフィルタなどの雕爐鬚海旅臺朮饉劼調達し、VL傘下の奇美電子とシャープに供給する。調達模の拡jでコスト削を狙う。シャープはさらに、省エネ性Δ鮃發瓩覿\術も奇美に指導し、O社パネル並みのを確保するとしている。

アドバンテストがNANDフラッシュメモリーテスターを発売したというニュースを7月15日の日経噞が伝えた。このニュースは、Semicon Westの時期(先週)にNANDフラッシュテスターを出す画を松野晴夫社長が4月に述べていたが(参考@料2)、予定通りの運びとなった。ウェーハテストのHA5100CELLは、同時に4のウェーハ、または6144個のチップを100MHzの周S数でテストできる。パッケージに収容したNANDフラッシュテスターT5773は、200MHzの周S数で768個のICを同時にテストできる。

最後のニュースとして、東がMRAMをf国のハイニックスと共同で開発するという発表(7月13日発表、14日の日経噞など報O)を紹介する。DRAM専門のハイニックスとNANDフラッシュに咾づ贄がコラボすることで(j┤ng)来の不ァ発性RAM開発に乗り出すことは、素晴らしいニュースである。化で先行しているフリースケールのMRAMは電流~動型で高集積にしにくい構]だが、東j学のj野S男教bらが提案しているスピントロニクスW(w┌ng)のMRAMは高集積にしやすいという長をeつ。サムスンがスピンR入書き込み型のMRAMを開発中であり、同社との争に△┐襪箸いαT味もある。ただし、これまで提案のある不ァ発性RAMと言われるメモリーは、どれもROM的、ストレージ的であり、DRAMのようにRAM的な使われ(sh┫)はしていない。どのマーケットを狙うのかをしっかりx場調hすることは、研|開発に加え、成否のカギを曚訥_要なファクタである。東が独Oにマーケティングをどう啣修垢襪どうかが問われている。


参考@料
1. Samsung Commissioned-study rejects leukemia claims, in The Hankyoreh (2011/07/14)
2. アドバンテスト、3期ぶりにC化達成、A収・コア拡jで積極的なめをt開 (2011/04/28)

(2011/07/19)
ごT見・ご感[
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