アップルiPhone5Sに初の64ビットAPU搭載、東��の積極投�@に�R�`
日本時間9月11日にアップルのiPhone5Sの発表があったものの、報�Oの�壹X感はさほどでもなかった中、64ビットアプリケーションプロセッサ（APU）が初めてスマートフォンに搭載された。この�T果、DRAMをいくらでも積めるようになる。東��は半導��・ストレージ��業を2015�Q度までに�Q平均6.8%で成長させるという中期��画を投�@アナリスト向けに発表した。
64ビットプロセッサをスマホに搭載したことは、Qualcomm CEOのPaul Jacobs��が今�QのMobile World Congressで述べたように（参考�@料1）、スマホがコンピューティングのプラットフォームになったことを裏��けている。32ビットでは2の32乗、すなわち最�j4Gバイトメモリしかアドレスできなかったが、64ビットにすることでアドレッシングの�U約を�Dり除けることになった。ただし、現在のスマホのDRAM容量はパソコンほど��要としていない。��来のスマホを見越したシステムを考えているのであろう。
64ビットはビデオRAMに��要という�mもあるが、容量ではない。例えば4K動画を扱う場合に、画素数は1フレームあたり24Mビット分（4096×2160×RGB＝3Mバイト）しかいらない。1秒間では30フレームとして90Mバイト��要になるが、ビデオRAMは�k時的に�Qめるだけであり、次々と書き換えることを�`的としているため、4Gバイト以�屬僚j容量はやはり��要ない。2画�Cテレビや3Dテレビでさえ、その2倍すなわち180Mバイトで�科�。4倍の画素密度の8K HDビデオでさえも1秒間に��要な容量は540Mバイトである。8K動画の3Dでやっと1秒間に1Gバイトの容量になる。スマホからテレビへ転送する場合でも1秒以�屬厘�れはおそらく��容�J囲を��えているから、この容量があればやはり�科�だろう。
ではなぜ64ビットにしたのであろうか。ビデオRAMのようなDRAMにはむしろ並�`処理向けのワイドI/O（例えば512ビット）が要求されている。512ビットの出��には32ビット幅の16並�`よりも、64ビット幅の8並�`で送る�気��]い。4Gバイトという容量ではなく、バンド幅を広くとるために64ビットデータバスを採��したのではないだろうか。あるいは、直�Zの�����`的ではなく、��来のコンピューティングプラットフォームとしての����を考えて、パソコン並みの書き換えを��要とするアプリケーションを探しているのかもしれない。これだと、次のスマホでアッと驚かせるようなユーザエクスペリエンスに�△┐襪燭瓩世箸盥佑┐蕕譴襦�実際に64ビットマシンを提供しなければアプリ開発�vの食指を動かすことはできないからだ。もしかすると仮�[化�\術を32ビットずつに分けて使うかもしれない。��並�`マルチタスクをスマホで行わせる応��が出てくれば�C白い。64ビットマシンで�[�気鮟笋蕕擦襪箸い蹐い蹐扮���が出てくるかもしれない。ただ、この64ビットプロセッサはARMのCortex-A50シリーズをベースにしているのだろうが、どの����なのかは、今後のティアダウン解析を待つしかない。
64ビットプロセッサが組み込みシステムに普及するとなると、容量の�U約はなくなり、DRAMメーカーにとって�j容量化という�`�Yは再び�擇�てくる。新たに発売されるパソコンはすでに64ビットが主流になった。組み込み�Uでも64ビット時代がこれから始まる。DRAMメーカーにはビジネスチャンスが訪れる。
東��は、投�@アナリスト向けの説��会を11日に開��した、と12日の日本経済新聞が伝えた。東��セミコンダクター＆ストレージ社社長であり東��の執行役�崟幣���である成毛康�d��が半導����業の�`�Yについて述べた。2012 〜15�Q度における世�c半導���x場の�Q平均の�Pびを3.6%と見積り、それよりも高い6.8%の成長率で�Pばすという��画を立てた。数ヵ月�iまでアップルはiPhone5Sの発表に�△┐�iPhone��来機の�攵�を�呂┐討�り、NANDフラッシュは供給�埔蠅陵輿蠅世辰�。11日にiPhone5S/5Cが発表されNANDフラッシュメーカーにとっては積極的に�攵�を�\やしていける�X況になった。
東��半導��の成長のエンジンはやはりNANDフラッシュ。サムスンの3D-NAND�\術に�瓦靴討�、��画通り微細化投�@を行い、コスト��をあげてから3Dへ進むと述べている。微細化によってコストを下げる。ビットの�Pびは、�Q平均40〜50%を�[定しており、出荷ビット数は2015�Q度には2012�Q度の3倍に�\やすという�`�Yだ。今�Q度は19 nm、14�Q度は1Z nm（Zは��らかにしていないが7��度かもしれない）、15�Q度は3次元メモリBiCSでライバル、サムスンに�眼^していく。BiCSでは30数層のメモリセルを�e積みにする�疑砲�。アスペクト比の�jきな溝パターンは表�C張��によってパターンがもたれ合うように破�sする現��が��きやすいため、3D-NANDはその問��を解��した後として15�Q度を�[定しているようだ。
設��投�@は、NANDフラッシュに加え、Bridgelux社からのライセンスによる白色LED（参考�@料2）、SSDストレージ、GaN/SiCのパワーデバイスなどにも使う予定だ。
参考�@料
1. IoTよりむしろInternet of Everything、クアルコムのジェイコブズ��が�喞� (2013/03/04)
2. 東��、GaN-on-Siの白色LEDを10月から200mmラインで量�凮始 (2012/07/25)
