シリコンシーベルトサミット福K2008レポート(1)
福K県および福K先端システムLSI開発拠点推進会議、九θ焼イノベーション協議会の3社が主して2008Q2月26日に福Kxで「シリコンシーベルトサミット福K2008」が開かれた。九Δ任O動Z噞と半導噞の拠点が複数あり、に成長が期待されているカーエレクトロニクスに点を当てた講演が出した。以下、行われた講演をつぶさにレポートする。
東 セミコンダクター社
システムLSI業霎菽SoC応\術
1.挨拶
福K県 麻據‥
本日は、シリコンシーベルトサミット2008を開し、HくのS様が出席されたことに感aします。
本サミットは、シリコンシーベルトプロジェクトのk棖任△蝓△海離掘璽戰襯Oは、Jに約7Q咾経圓靴討い襦8|開発を主として文科省の地域的クラスターの@金と県の@金を合わせ研|している動である。今後、さらに5カQけるが予定されている。九Δ蓮東アジアを中心に世c的な半導の\術開発動向と要分野の調hを中心に、世c的な半導の中心地を`指している。今vのテーマは、O動Zと半導を合わせ、さらに環境問も合わせて開した。現在九Δ任蓮◆O動Z150万構[」を掲げており、4つのプロジェクトの1つである「未来カー」の設開発拠点を`指している。O動Zに関する様々な問点、例えば\Jの問、Wの問、情報化の問等を考慮すると、半導とZの融合が不可Lである。そのT味でも、今vのテーマは、_要なT味をeっている。九Δ蓮◆150万構[」の`Yである「未来カー」の設拠点になる。2つの策の融合を`指したこのシンポジウムが、業cにおけるjきな動の刺かつ情報源になることを望んでいる。九Δ、世c的な半導の設開発及び]拠点になることを期待している。
2.組E委^長挨拶
組E委会委^長
九θ焼イノベーション協議会会長
日本電気株式会社 代表D締役会長 佐々v元
例により、最Zの半導噞のX況及びZと半導の\術動向を説する。
この表はQ調h会社の2007Qから2008Qにかけての半導x場の推,鮨した表である。電子機_のPび率が、T果的に半導x場に繋がるが、電子機_が3〜7%の成長に瓦掘半導は6〜9%の成長と予[されている。これに瓦掘]のx場推,任△襪、2009Qは2008QのB五茲慮紊里燭瓠横ばいまたは]と予Rされている。
この図は地域別の半導のx場予Rをしたグラフである。2008Qでは、x場の地域構]としては、アジアが50%、日本が18%のシェアを確保しており、アジア地域が68%のシェアをめている。
屬凌泙攵ξの推,鮨す。半導統に基づいたn働率をしているが、半導攵は、依として90%i後の高いn働率をしている。攵ξ(黄色のグラフ)も実に\加していることが分かる。
屬凌泙魯ΕА璽呂僚jきさ別の出荷量をす。水色が300mmをしており、Jに来の4,5インチの攵盋をvっている。つまり、300mm時代を迎えていると言える。
(く)