シリコンバレーのベンチャーがスマホ周辺デバイスで独�Oの地位狙う
スマートフォンの周辺デバイスに的を絞り、ユニークな半導������を開発しているベンチャーがいる。�kつはビデオ��の高�]シリアルインターフェースとして最�Z�R�`を集めてきたDisplayPortチップのファブレスAnalogix Semiconductor社、もう1社はiPhone向けの小さな充電�_を構成するAC-DCコンバータチップを設��しているiWatt社だ。 [→��きを読む]
�\術分析（半導������）
» セミコンポータルによる分析 » �\術分析 » �\術分析（半導������）
IOT時代を見据えて����ポートフォリオを広げる中��半導��企業たち
センサネットワークシステムがIOT（Internet of Things）へと進化している。これを�pけて、�盜颯▲淵蹈亜Ε潺�ストシグナル半導��のシリコンラボラトリーズ、リニアテクノロジが相次いで、ワイヤレスセンサネットワーク企業を�A収、IOT時代を見据えた����ポートフォリオの充実を図っている。 [→��きを読む]
マキシム、高集積 ICでユーザの低コスト化と性�Ω��屬鯀糞�
�櫂▲淵蹈�/ミクストシグナル半導���j�}のマキシム・インテグレーテッド（Maxim Integrated）がミクストシグナルICの高集積化によって売り�屬欧��Pばしていることを9月に伝えたが（参考�@料1）、集積度を�屬欧討皀灰好箸呂修譴曚��屬�らないという彼らの考え�気���らかになった。 [→��きを読む]
アルテラ、FPGA企業からソフトとシリコンの融合半導��企業へ
アルテラは、FPGA企業から脱皮してシリコンとソフトウエアの融合の時代にふさわしい企業になる、と新戦�Sを発表した。同社はSoC FPGAと�}び、C言語ベースでプログラミングするOpenCL開発ツールを�Dえることで、28nmから20nmへの�々圓皀好燹璽垢砲覆襪箸垢�。 [→��きを読む]
Transphorm、GaN on Siプロセスによる600VのパワーHEMTをサンプル出荷
�歹逎�リフォルニアを本社とするベンチャーのトランスフォーム（Transphorm）社（参考�@料1）は、耐圧600VのGaNパワーHEMTとGaNショットキダイオードを限定ユーザーにサンプル出荷している。2007�Qに設立された同社にこのほど日本インターと�噞革新機構がそれぞれ500万ドル、2500万ドル出�@した。トランスフォームはこれらの�@金を�uて、GaNの����化を先�~けたいと語る。 [→��きを読む]
カーエレECU�x場を���霪Dるという�咾ちT志が集約されたルネサスのRH850
「できれば�O動�Z���x場は���霪Dりたい」。ルネサスエレクトロニクスがカーエレクトロニクスに使われるECU（電子�U御ユニット）�x場に�T欲を見せている。エンジン�U御、シャシー、エアバッグ、カーオーディオ、EV/HEV(電気�O動�Z/ハイブリッド)、ボディ�U御、メータ、予防�W��といったカーエレシステム(図1)の��てにフラッシュマイコンを提供する、その��1��としてボディ�U御��RH850をリリースした。 [→��きを読む]
欧�Δ離ぅ鵐侫�ニオン、NXPがNFCのセキュリティ、応��に�R��
欧�Δ�2�j半導���j�}がNFCの普及に��を入れている。セキュアなアプリケーションにはもってこいだからである。NXPセミコンダクターズはもともとソニーと�k緒にNFCの�Y��化を進めてきた経緯もありさまざまなNFCの応��に��を入れているが、インフィニオンテクノロジーズはセキュアチップに集中している。 [→��きを読む]
マキシム、アナログの高集積化で成長を加�]
![マキシム、アナログの高集積化で成長を加�]](/assets_c/900px/120925-maximintegration.png "マキシム、アナログの高集積化で成長を加�]")
�櫂▲淵蹈亜Ε潺�ストシグナル半導���j�}のMaxim Integratedは、これまでのシステムソリューションプロバイダから�k歩先んじて、高集積という段階に踏み出した。同社は、社�@もこれまでのMaxim Integrated Products社から、Maxim Integratedに変��した。これは、����を売るだけではないというメッセージであり、戦�Sの�jきな変��になる。Apple ComputerがAppleに変えたことと同じだという。 [→��きを読む]
SiCパワーモジュール、MOSFETの����化相次ぐ
SiCのパワーモジュールが相次いで�x場に出てきた。��菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールを�x場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発に�Dり組みショットキダイオード（SBD）を13�Q後半には�攵�する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→��きを読む]
スパンション、音�m認識専��コプロセッサを開発、760ビットの内�陬丱江W��
NORフラッシュメモリを�j量に使う新しい����が開けてきた。音�m認識��の��書や�T味解析などのデータベースをNORフラッシュに�j量にため込むという����である。高�]・不ｧ発性・�j容量という��性を�擇�した応��といえる。スパンションがNORフラッシュをベースにした音�m認識��のチップを開発、音�m認識�\術の要求の�咾��O動�Z�x場に向けた。 [→��きを読む]
<<�iのページ 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 次のページ »
