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\術分析(半導)

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シリコンバレーのベンチャーがスマホ周辺デバイスで独Oの地位狙う

シリコンバレーのベンチャーがスマホ周辺デバイスで独Oの地位狙う

スマートフォンの周辺デバイスに的を絞り、ユニークな半導を開発しているベンチャーがいる。kつはビデオの高]シリアルインターフェースとして最ZR`を集めてきたDisplayPortチップのファブレスAnalogix Semiconductor社、もう1社はiPhone向けの小さな充電_を構成するAC-DCコンバータチップを設しているiWatt社だ。 [→きを読む]

IOT時代を見据えてポートフォリオを広げる中半導企業たち

IOT時代を見据えてポートフォリオを広げる中半導企業たち

センサネットワークシステムがIOT(Internet of Things)へと進化している。これをpけて、盜颯▲淵蹈亜Ε潺ストシグナル半導のシリコンラボラトリーズ、リニアテクノロジが相次いで、ワイヤレスセンサネットワーク企業をA収、IOT時代を見据えたポートフォリオの充実を図っている。 [→きを読む]

Transphorm、GaN on Siプロセスによる600VのパワーHEMTをサンプル出荷

Transphorm、GaN on Siプロセスによる600VのパワーHEMTをサンプル出荷

歹逎リフォルニアを本社とするベンチャーのトランスフォーム(Transphorm)社(参考@料1)は、耐圧600VのGaNパワーHEMTとGaNショットキダイオードを限定ユーザーにサンプル出荷している。2007Qに設立された同社にこのほど日本インターと噞革新機構がそれぞれ500万ドル、2500万ドル出@した。トランスフォームはこれらの@金をuて、GaNの化を先~けたいと語る。 [→きを読む]

カーエレECUx場を霪Dるという咾ちT志が集約されたルネサスのRH850

カーエレECUx場を霪Dるという咾ちT志が集約されたルネサスのRH850

「できればO動Zx場は霪Dりたい」。ルネサスエレクトロニクスがカーエレクトロニクスに使われるECU(電子U御ユニット)x場にT欲を見せている。エンジンU御、シャシー、エアバッグ、カーオーディオ、EV/HEV(電気O動Z/ハイブリッド)、ボディU御、メータ、予防Wといったカーエレシステム(図1)のてにフラッシュマイコンを提供する、その1としてボディU御RH850をリリースした。 [→きを読む]

欧Δ離ぅ鵐侫ニオン、NXPがNFCのセキュリティ、応にR

欧Δ離ぅ鵐侫ニオン、NXPがNFCのセキュリティ、応にR

欧Δ2j半導j}がNFCの普及にを入れている。セキュアなアプリケーションにはもってこいだからである。NXPセミコンダクターズはもともとソニーとk緒にNFCのY化を進めてきた経緯もありさまざまなNFCの応にを入れているが、インフィニオンテクノロジーズはセキュアチップに集中している。 [→きを読む]

マキシム、アナログの高集積化で成長を加]

マキシム、アナログの高集積化で成長を加]

櫂▲淵蹈亜Ε潺ストシグナル半導j}のMaxim Integratedは、これまでのシステムソリューションプロバイダからk歩先んじて、高集積という段階に踏み出した。同社は、社@もこれまでのMaxim Integrated Products社から、Maxim Integratedに変した。これは、を売るだけではないというメッセージであり、戦Sのjきな変になる。Apple ComputerがAppleに変えたことと同じだという。 [→きを読む]

SiCパワーモジュール、MOSFETの化相次ぐ

SiCパワーモジュール、MOSFETの化相次ぐ

SiCのパワーモジュールが相次いでx場に出てきた。菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールをx場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発にDり組みショットキダイオード(SBD)を13Q後半には攵する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→きを読む]

スパンション、音m認識専コプロセッサを開発、760ビットの内陬丱江W

スパンション、音m認識専コプロセッサを開発、760ビットの内陬丱江W

NORフラッシュメモリをj量に使う新しいが開けてきた。音m認識の書やT味解析などのデータベースをNORフラッシュにj量にため込むというである。高]・不ァ発性・j容量という性を擇した応といえる。スパンションがNORフラッシュをベースにした音m認識のチップを開発、音m認識\術の要求の咾O動Zx場に向けた。 [→きを読む]

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