シリコンバレーのベンチャーがスマホ周辺デバイスで独Oの地位狙う

スマートフォンの周辺デバイスに的を絞り、ユニークな半導を開発しているベンチャーがいる。kつはビデオの高]シリアルインターフェースとして最ZR`を集めてきたDisplayPortチップのファブレスAnalogix Semiconductor社、もう1社はiPhone向けの小さな充電_を構成するAC-DCコンバータチップを設しているiWatt社だ。 [→きを読む]
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スマートフォンの周辺デバイスに的を絞り、ユニークな半導を開発しているベンチャーがいる。kつはビデオの高]シリアルインターフェースとして最ZR`を集めてきたDisplayPortチップのファブレスAnalogix Semiconductor社、もう1社はiPhone向けの小さな充電_を構成するAC-DCコンバータチップを設しているiWatt社だ。 [→きを読む]
センサネットワークシステムがIOT(Internet of Things)へと進化している。これをpけて、盜颯▲淵蹈亜Ε潺ストシグナル半導のシリコンラボラトリーズ、リニアテクノロジが相次いで、ワイヤレスセンサネットワーク企業をA収、IOT時代を見据えたポートフォリオの充実を図っている。 [→きを読む]
櫂▲淵蹈/ミクストシグナル半導j}のマキシム・インテグレーテッド(Maxim Integrated)がミクストシグナルICの高集積化によって売り屬欧Pばしていることを9月に伝えたが(参考@料1)、集積度を屬欧討皀灰好箸呂修譴曚屬らないという彼らの考え気らかになった。 [→きを読む]
アルテラは、FPGA企業から脱皮してシリコンとソフトウエアの融合の時代にふさわしい企業になる、と新戦Sを発表した。同社はSoC FPGAと}び、C言語ベースでプログラミングするOpenCL開発ツールをDえることで、28nmから20nmへの々圓皀好燹璽垢砲覆襪箸垢。 [→きを読む]
歹逎リフォルニアを本社とするベンチャーのトランスフォーム(Transphorm)社(参考@料1)は、耐圧600VのGaNパワーHEMTとGaNショットキダイオードを限定ユーザーにサンプル出荷している。2007Qに設立された同社にこのほど日本インターと噞革新機構がそれぞれ500万ドル、2500万ドル出@した。トランスフォームはこれらの@金をuて、GaNの化を先~けたいと語る。 [→きを読む]
「できればO動Zx場は霪Dりたい」。ルネサスエレクトロニクスがカーエレクトロニクスに使われるECU(電子U御ユニット)x場にT欲を見せている。エンジンU御、シャシー、エアバッグ、カーオーディオ、EV/HEV(電気O動Z/ハイブリッド)、ボディU御、メータ、予防Wといったカーエレシステム(図1)のてにフラッシュマイコンを提供する、その1としてボディU御RH850をリリースした。 [→きを読む]
欧Δ2j半導j}がNFCの普及にを入れている。セキュアなアプリケーションにはもってこいだからである。NXPセミコンダクターズはもともとソニーとk緒にNFCのY化を進めてきた経緯もありさまざまなNFCの応にを入れているが、インフィニオンテクノロジーズはセキュアチップに集中している。 [→きを読む]
櫂▲淵蹈亜Ε潺ストシグナル半導j}のMaxim Integratedは、これまでのシステムソリューションプロバイダからk歩先んじて、高集積という段階に踏み出した。同社は、社@もこれまでのMaxim Integrated Products社から、Maxim Integratedに変した。これは、を売るだけではないというメッセージであり、戦Sのjきな変になる。Apple ComputerがAppleに変えたことと同じだという。 [→きを読む]
SiCのパワーモジュールが相次いでx場に出てきた。菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールをx場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発にDり組みショットキダイオード(SBD)を13Q後半には攵する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→きを読む]
NORフラッシュメモリをj量に使う新しいが開けてきた。音m認識の書やT味解析などのデータベースをNORフラッシュにj量にため込むというである。高]・不ァ発性・j容量という性を擇した応といえる。スパンションがNORフラッシュをベースにした音m認識のチップを開発、音m認識\術の要求の咾O動Zx場に向けた。 [→きを読む]
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