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TSMC、~機インターポーザによるCoWoS\術の優位性を実証

先端パッケージ(Advanced Package)\術が今後ICパッケージの中で最もjきな成長を~げるとx場調h会社が予Rしている通り、AppleのパソコンプロセッサであるM1チップやNvidiaの最新GPUチップH100(図1)などに使われている(参考@料1)。ここではインターポーザ\術がカギを曚襦TSMCは~機インターポーザによるCoWoS\術が性Δ世韻任呂覆信頼性も優れていることをらかにした。

図1 Nvidiaの最新GPU「H100」を搭載したボード 出Z:Nvidia

図1 Nvidiaの最新GPU「H100」を搭載したボード 出Z:Nvidia


先端パッケージ\術は2.5Dあるいは3D-ICなどと}ばれているが、その世cx場は2020Qから2027QにかけてQ平均成長率CAGRが10.2%で成長するという予Rから、7.84%成長や8%成長などいろいろなx場調h会社から発表されている。x場模も2026Qに382億ドルや475億ドル、2027Qに642億ドル、2028Qに550億ドルなどx場調h会社によってまちまちである。とはいえ、400〜500億ドルに成長するとみてよいだろう。

なぜか。TSMCは微細化の先頭を切って、7nm、5nmとやってきて最Zでは4nmと微細化を進めているが、コスト的には極めて高くなっている。例えば、TSMCは7nm以下のウェーハを投入ウェーハの1〜2割しかめていないが、その売幢Yはの半分にも及ぶ。コストがかかるため]サービス価格も屬欧討い。このため、巨jなチップよりはv路ごとに小さなチップレットに分割して切り出し、マルチチップ実△垢気Wい、と同社DirectorであるShin-Puu Jengは言っている。このマルチチップパッケージが先端パッケージである。

ただしチップレットやメモリ、SerDesなどの周辺v路のプロセスノードはまちまちで、しかも配線の電極パッドもバラバラなので、配線をし直さなければパッケージングできない。そこで再配線層(Redistribution Layer)となるインターポーザを導入して最終的にプリント基に実△靴笋垢する、あるいはY的なピン配に合わせるのである。

シリコン屬v路を構成したダイは、インターポーザ屬肪嫉劼鬟椒鵐妊ングされ、インターポーザ内の再配線層を通り、プリントv路基(サブストレート)の電極パッドと接される。jきなシリコンダイだと歩里泙蠅Kいが、小さなシリコンに分割する気もはやコストがWくなる、とTSMCのJengは言う。加えて反りが少し、信頼性も高まるとしている。インターポーザO身のjきさはレチクルサイズ(32mm×26mm)を基本単位とする。

このインターポーザの材料としてはシリコンウェーハを使う}がこれまでは~効だった。いわゆるシリコンインターポーザである。しかし、TSV(Through Silicon Via)が深くなりすぎると配線層が実的に長くなる。配線が長くなるとデータ]度が落ちるだけではなく、消J電も峺し、さらにノイズの影xをpけやすくなる。良いことはkつもない。HBM3とSoCとの間の{`はJEDEC格で5.5mm度なので、HBMのシリコンが厚ければその{`がさらにPびることになる。インターポーザとして、シリコンよりも薄く作できる~機ポリマーを使えば、配線{`を]縮できる。そこで、TSMCは~機インターポーザをいて配線層の]縮を図った。~機ポリマーをh価したT果、28GHzから56GHzへと周S数を屬欧襪亦い失は、これまでのシリコンインターポーザと同様jきくなるが、現Xの薄いシリコンインターポーザよりは小さい。

先端パッケージでは、SoCプロセッサにj容量3次元メモリのHBM(High Bandwidth Memory)が使われており、それもHBM3という最jバンド幅が819GB/秒と極めて広い3次元メモリである。このため配線がデータ]度を落とすことはされない。

TSMCはインターポーザ屬縫船奪廚鮟言僂垢襪海龍\術をCoWoS(Chip on Wafer on Substrate)\術と}んでいるが、SoCやチップレットとHBMを集積するではj量に使われそうだ。CoWoS\術における~機インターポーザは、シリコンとプリントv路基とのX膨張係数の違いによる応を緩和するバッファの役割もeつとしている。

実際、インターポーザの再配線層において信チ悗鯏展餐悄接地層で挟むことにより、7.2Gbpsの信、離▲ぅ瀬ぅ筌哀薀爐任離離ぅ困肇献奪拭爾篭砲瓩鴇なかった。さらに高a保管や高a動作、a度サイクルなどの試xを行ったT果、不良は発擇靴覆ったという。またjきなダイサイズのフリップチップ実△靴SoCと比べても、シリコンとプリント基とのX膨張係数の差を~機インターポーザがバッファとして吸収したことで応は少なかったとしている。また、シミュレーションだが、4チップのSoCと20チップのHBM3Eを、88.5mm×78.5mm(レチクル8分)という巨jな~機インターポーザ屬縫僖奪院璽犬靴疹豺腓任眸燭蠅郎能j59µmと少ないとしている。

今vの発表は、2022QIMSI(電子実工学研|所)オープンフォーラムにおける別講演としてJengがBされたもの。講演中にスライドをコピーして欲しくないと述べていたため、図をすことができなかったことは残念であるが、Jengは講演の最後に、ガラスインターポーザの可性について聞かれた問を紹介しよう。同は「インピーダンスが低いという点ではガラスは優れているが、問はクラックの発擇任△蝓△修譴鯔匹阿燭瓩療蟀@がjきい。その投@をどうv収するかが問であり、新プロセスはできる限り使いたくない」と述べている。

参考@料
1. 「Nvidia、最新GPU・CPU・ネットワークチップで世c最咾離灰鵐團紂璽燭鮑遒」、セミコンポータル (2022/03/25)

(2022/04/15)
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