Infineon、パワーモジュールのパッケージ新工場を�o開
Infineon Technologiesがドイツのバールシュタイン（Warstein）にパワー半導��パッケージング工��の新工場を�n働させ、このほど�o開した。パワー半導��といえども、LSI同様、小型化・低消�J電��(高効率)化・使いやすさを求められている。このため、単��のトランジスタから、複数のベアチップを実�△靴織皀献紂璽襪悗肇僖奪院璽犬録焚修靴討い襦� [→��きを読む]
�\術分析（プロセス）
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GaN-on-Diamondウェーハをサンプル出荷
英Element Six社がGaN-on-Diamondの4インチウェーハをサンプル出荷した。ダイアモンドの魅��は何といっても絶縁��ながら�X�B�^が極めて低いこと。このため、高周�Sパワートランジスタにはうってつけ(参考�@料1)。�X伝導率が1600W/mKと高く、放�X性が優れているため、��来のSiCを基��とするGaNよりも性�Δ�高い。 [→��きを読む]
finFETを���Cリニューアルに
16/14nm以�TのFinFETは、形�X、サイズ、ピッチ、材料、���]プロセスから見直すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノードのプロセッサHaswellから使われたが、その��長では済まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポートする。 [→��きを読む]
Infineonの完���O動化200mmラインとパワー半導����300mmラインを見た
ドイツのInfineon Technologiesは、パワー半導��向けに300mmウェーハラインをドレスデンに設��し�n働させている。パワー半導��は数量の点ではデジタルやアナログ����に劣るが、そのチップを�j口径化するメリットはやはり低コスト化にある。加えて、人�P�Jの高いドイツでもコスト的に見合う�攵�をするため200mmラインを完���O動化した。 [→��きを読む]
7nmと5nm時代はやってくるのだろうか？
新材料と新トランジスタでムーアの法�Г�1.5nm以下まで�Pばすことはできそうだが、問��は�兩僂澆�、まだ解のない問��も�Hい。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringは先端�\術を開発する�j�}半導��メーカーを�D材した。 [→��きを読む]
14nm以�Tに実��期を迎える3次元IC
3次元スタックダイ(3D IC)の実��化には時間がかかると10�Q�iから言われてきた。�x場調�h会社のGartnerによると、3D ICをすでに作��できるようになったTSMCは、1�Q後にはサンプル�攵�を終えるという。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringが最�Zの3次元ICの動きをレビューした。 [→��きを読む]
Element Six社、GaN on Diamondウェーハで�X�B�^を4割削��
電気的には絶縁��ながら�X伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発�Xの�jきな高周�Sパワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今��に販売するという。 [→��きを読む]
新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命�@
LEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考�@料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と�@��けることが��まった。GeTe/Sb2Te3��格子の中のGeの�‘阿世韻把笘B�^と高�B�^をスイッチングする。このカルコゲン材料による��格子を、トポロジカル絶縁��と�饑��駘�学の世�cで�}んでいる。 [→��きを読む]
東�jグループ、プラスチックICで13.56MHzのRF ID動作に成功
東�B�j学のグループは、プラスチックで作��した集積�v路で、13.56MHzのRF ID送�p信動作に成功した。これは、�‘暗戮�10cm2/Vsと�~機トランジスタとしては極めて�jきいトランジスタを作��したことで�uられたとしている。 [→��きを読む]
少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発
![少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発](/assets_c/900px/131212-leap.png "少電流・高�]・1億�v書き換え可�Δ柄衒儔愁瓮皀蠅�LEAPが開発")
相変化メモリがRAMとして使える可��性が出てきた。��低電圧デバイス�\術研�|組合（LEAP）は、�T晶Aと�T晶Bの���，世韻覗蠹��，任�る原理を�W��したメモリを開発し、1億�vを��える書き換え�v数を�uた。これ以�屬僚颪�換えテストは時間がかかりすぎるため、中�Vしたという。 [→��きを読む]
